【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】触控基板、显示装置
[0001]本公开涉及显示
,尤其涉及一种触控基板、显示装置。
技术介绍
[0002]随着有源矩阵有机发光二极管(英文:Active
‑
matrix organic light
‑
emitting diode,简称AMOLED)显示技术的迅猛发展,AMOLED显示产品以其低功耗、广色域、能够实现大尺寸等优点被广泛应用在各个领域。而且为了更好的提升AMOLED显示产品的用户体验,AMOLED显示产品同时集成了触控结构,使显示产品兼具显示功能和触控功能。
技术实现思路
[0003]本公开的目的在于提供一种触控基板、显示装置。
[0004]为了实现上述目的,本公开提供如下技术方案:
[0005]本公开的第一方面提供一种触控基板,包括:触控区域和包围所述触控区域的周边区域;所述触控基板还包括:相耦接的触控电极和触控信号线;
[0006]所述触控电极的至少部分位于所述触控区域;
[0007]所述触控信号线的至少部分位于所述周边区域,所述触控信号线包括至少一个拐角部分,所述拐角部分包括依次首尾相接的第一部分,第二部分和第三部分,所述第一部分和所述第三部分的延伸方向相同,所述第二部分的延伸方向与所述第一部分的延伸方向相交;
[0008]所述第二部分在垂直于其自身延伸方向上的宽度,大于所述第一部分在垂直于其自身延伸方向上的宽度;和/或,大于所述第三部分在垂直于其自身延伸方向上的宽度。
[0009]可选的,所述 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种触控基板,包括:触控区域和包围所述触控区域的周边区域;所述触控基板还包括:相耦接的触控电极和触控信号线;所述触控电极的至少部分位于所述触控区域;所述触控信号线的至少部分位于所述周边区域,所述触控信号线包括至少一个拐角部分,所述拐角部分包括依次首尾相接的第一部分,第二部分和第三部分,所述第一部分和所述第三部分的延伸方向相同,所述第二部分的延伸方向与所述第一部分的延伸方向相交;所述第二部分在垂直于其自身延伸方向上的宽度,大于所述第一部分在垂直于其自身延伸方向上的宽度;和/或,大于所述第三部分在垂直于其自身延伸方向上的宽度。2.根据权利要求1所述的触控基板,其中,所述触控基板包括多条所述触控信号线,多条所述触控信号线包括的多个所述拐角部分划分为至少一组拐角部分,每组拐角部分包括的多个所述第二部分沿第一方向间隔排列,所述第一方向与所述第一部分的延伸方向和所述第二部分的延伸方向均相交。3.根据权利要求2所述的触控基板,其中,在同一组拐角部分中,所述第一方向与所述第一部分的延伸方向的夹角a1满足:30
°
≤a1≤80
°
。4.根据权利要求2所述的触控基板,其中,所述第二部分的延伸方向与所述第一方向不垂直,属于同一条触控信号线的第一部分和第二部分之间的夹角,与第三部分和第二部分之间的夹角均为钝角。5.根据权利要求2所述的触控基板,其中,属于一组拐角部分的多个所述第二部分之间的最小间隔,大于该组拐角部分中多个所述第一部分之间的间隔,和/或,大于该组拐角部分中多个所述第三部分之间的间隔。6.根据权利要求1所述的触控基板,其中,所述第一部分和所述第三部分在该第一部分的延伸方向上不重叠,所述第一部分和所述第三部分在垂直于该第一部分的延伸方向的方向上不重叠。7.根据权利要求1所述的触控基板,其中,所述第三部分相对于所述第一部分更靠近所述触控区域。8.根据权利要求1所述的触控基板,其中,所述第二部分在垂直于其自身延伸方向上的宽度,为所述第一部分在垂直于其自身延伸方向的宽度的1.5倍至4倍。9.根据权利要求1所述的触控基板,其中,所述触控信号线包括异层设置的第一导电层和第二导电层;所述第一导电层和所述第二导电层均包括所述拐角部分,所述第一导电层中的所述第二部分与所述第二导电层中的所述第二部分耦接。10.根据权利要求9所述的触控基板,其中,所述触控基板还包括设置于所述第一导电层和所述第二导电层之间的触控绝缘层,所述触控绝缘层包括第一过孔,所述第一过孔在所述触控基板的基底上的正投影,与所述第一导电层中的所述第二部分在所述基底上的正投影交叠,且与所述第二导电层中的所述第二部分在所述基底上的正投影交叠,所述第一导电层中的所述第二部分与所述第二导电层中的所述第二部分通过所述第一过孔耦接。11.根据权利要求10所述的触控基板,其中,所述第一过孔在所述基底上的正投影的延伸方向与所述第二部分的延伸方向相同。12.根据权利要求10所述的触控基板,其中,在垂直于所述第二部分的延伸方向的方向上,所述第一过孔的宽度为所述第二部分的宽度的0.2倍至0.5倍。
13.根据权利要求9所述的触控基板,其中,所述触控电极包括多个第一触控电极和多个第二触控电极,所述第一触控电极包括形成为一体结构的多个第一电极图形,所述第二触控电极包括依次排列的多个第二电极...
【专利技术属性】
技术研发人员:何帆,仝可蒙,樊聪,王玉,马宏伟,马倩,
申请(专利权)人:成都京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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