基于铁电忆阻器的逻辑电路的实现方法技术

本发明专利技术公开了一种基于铁电忆阻器的逻辑电路的实现方法，目的在于将高性能的铁电忆阻器应用到逻辑运算中。该方法将铁电忆阻器的伏安特性进行数据拟合，以建立具有铁电忆阻器特性的器件模型，然后通过Cadence Virtuoso工具设计出基于铁电忆阻器的与门、或门、减法器、加法器和比较器一系列基本逻辑电路，并对各个电路进行仿真验证本发明专利技术的可靠性。本发明专利技术意在将低功耗、快读写速度、耐久性好的铁电忆阻器器件运用到逻辑运算中，具有广阔的前景。具有广阔的前景。具有广阔的前景。

【技术实现步骤摘要】
基于铁电忆阻器的逻辑电路的实现方法


[0001]本专利技术涉及逻辑电路应用
，尤其是基于铁电忆阻器的逻辑电路的实现方法。

技术介绍

[0002]后摩尔时代的到来伴随着元件尺寸微缩逐渐趋于物理极限，速度的提高变得困难，功耗很难降低等一系列问题。随着大数据和人工智能的快速发展，逐渐暴露出冯〃诺依曼瓶颈的存储墙和功耗墙等问题，大量延迟和功耗迫切要求更高性能的元器件和芯片。因此，将低功耗、性能稳定且适用于“存算一体化”的非易失性存储器件应用到实际电路中成为突破冯诺依曼瓶颈的重要解决方案。
[0003]忆阻器被认为是电阻、电容和电感之外的第四种电路基本元件，且被视为下一代非易失性存储器技术，具有高速、低功耗、易集成，以及与CMOS工艺兼容等优势，能够满足下一代高密度信息存储和高性能计算对通用型电子存储器的性能需求。同时，忆阻器能够实现非易失性状态逻辑运算和类脑神经计算功能，在大数据时代超高密度信息存储、超高性能计算和类脑人工智能等重大战略领域中具有里程碑的意义和基石作用。
[0004]然而，传统忆阻器内部导电细丝的形成和断裂是不稳定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于铁电忆阻器的逻辑电路的实现方法，其特征在于：包括，通过工具获取铁电忆阻器的I
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V特性曲线；对所述的铁电忆阻器I
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V特性曲线进行数据拟合进而建模；使用工具对铁电忆阻器模型进行了参数分析，以显示铁电忆阻器模型的有效性；使用工具将铁电忆阻器模型搭建为各种经典逻辑门电路，并仿真证明基于铁电忆阻器模型的各个逻辑门电路的可行性。2.根据权利要求1所述的基于铁电忆阻器的逻辑电路的实现方法，其特征在于：所述逻辑电路的实现方法包括，所述工具为Cadence Virtuoso工具，所述Cadence Virtuoso工具用于获取铁电忆阻器的I
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V特性曲线用于铁电忆阻器的建模和对所述的铁电忆阻器I
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V特性曲线进行数据拟合进而建模，该模型是可用于Cadence Virtuoso工具中的电路元器件模型。3.根据权利要求1或2所述的基于铁电忆阻器的逻辑电路的实现方法，其特征在于：所述的建模是基于Verilog
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A对铁电忆阻器的I
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V特性曲线进行拟合生成相对应的器件模型，拟合的I
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V特性曲线通过调整模型参数应该尽可能接近原曲线。4.根据权利要求3所述的基于铁电忆阻器的逻辑电路的实现方法，其特征在于：所述逻辑电路的实现...

【专利技术属性】
技术研发人员：但荣辉，魏仡昕，刘城，戎焕焕，丁子轩，贺林，童祎，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：