实现控制电流变化功能的电路结构制造技术

本发明专利技术涉及一种实现控制电流变化功能的电路结构，包括驱动电路模块，输入端接收输入信号；时延箝位电路模块，与所述的驱动电路模块相连接，并接收所述输入信号；功率模块，所述功率模块的输入端与所述的驱动电路模块的输出端相连接，接收所述驱动电路模块的输出信号Vo，且所述功率模块的输入端还与所述的时延箝位电路模块的输出端相连接。采用了本发明专利技术的实现控制电流变化功能的电路结构，利用时延结构将箝位作用在功率管开启阶段，从而限制的功率管导通的峰值电流，也限制反向恢复电流的大小及变化速率，起到对功率器件的保护作用；在箝位阶段解除后，功率管栅压提高到正常值，使其维持足够的导通能力。维持足够的导通能力。维持足够的导通能力。

【技术实现步骤摘要】
实现控制电流变化功能的电路结构


[0001]本专利技术涉及驱动控制电路领域，尤其涉及功率应用电路领域，具体是指一种实现控制电流变化功能的电路结构。

技术介绍

[0002]在现有技术的功率应用中，通常采用IGBT(或MOSFET)等功率器件来驱动电感和电机等。在该功率电路结构中一般采用高、低侧两个功率器件半桥结构，或多组功率管的全桥结构，如图1所示即为现有技术中常用的半桥驱动电路结构。
[0003]如图1所示，电路中包含高侧和低侧两组功率器件，在低侧功率管导通时，高侧功率管关闭；高侧功率管导通时，低侧功率管关闭。所述的高、低侧两组功率器件在驱动电路的控制下不能同时导通，以防止电源地之间出现直通产生大电流而烧毁。
[0004]如果负载是感性的，在一侧(如低侧)的功率管关断时，因为感性负载中电流的连续性，需要另一侧(高侧)的功率器件续流(主要是并联的二极管)。当低侧功率管再次开启时，如果高侧功率管处于续流状态，那么随着低侧的功率管电流的增大，高侧功率管的状态由续流状态转换为截止状态，功率器件也表现为PN结的正向导通转变为耗尽截止，由于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种实现控制电流变化功能的电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括：驱动电路模块，输入端接收输入信号；时延箝位电路模块，与所述的驱动电路模块相连接，并接收所述输入信号；功率模块，所述功率模块的输入端与所述的驱动电路模块的输出端相连接，接收所述驱动电路模块的输出信号Vo，且所述功率模块的输入端还与所述的时延箝位电路模块的输出端相连接；其中，所述的时延箝位电路模块包括：延时电路单元，与所述的驱动电路模块相连接，并接收输入信号；箝位电路单元，与所述的延时电路单元相连接，还与所述的驱动电路模块相连接；所述的时延箝位电路模块在所述驱动电路模块的功率管的开启阶段限制所述功率管的栅压值，并限制所述功率管开启阶段后的峰值电流以及反向恢复电流的大小及变化速率；所述的时延箝位电路模块控制箝位阶段解除，且提高所述驱动电路模块的功率管的栅压至正常值。2.根据权利要求1所述的实现控制电流变化功能的电路结构，其特征在于，所述的延时电路单元包括第二P型场效应管(MP32)、第三电阻(R33)和电容(C31)，所述的第二P型场效应管(MP32)的栅极接所述输入信号，漏极还通过电容(C31)接地，源极和衬底接电源，所述的第三电阻(R33)的一端接收所述输入信号，另一端与所述电容(C31)相连接。3.根据权利要求2所述的实现控制电流变化功能的电路结构，其特征在于，所述的箝位电路单元包括箝位器件(T01)和第二N型场效应管(MN32)，所述的第二N型场效应管(MN32)的栅极与所述第二P型场效应管(MP32)的漏极相连，所述第二N型场效应管(MN32)的源极和衬底相连后接地，所述箝位器件(T01)的一端与所述第二N型场效应管(MN32)的漏极相连，另一端与所述驱动电路模块相连。4.根据权利要求1所述的实现控制电流变化功能的电路结构，其特征在于，所述的驱动电路模块包括第一P型场效应管(MP31)、第一N型场效应管(MN31)、第一电阻(R31)、第二电阻(R32)和反相器(INV1)，所述的第一P型场效应管(MP31)的栅极与所述的反相器(INV1)的输出端相连，所述的第一P型场效应管(MP31)的源极和衬底均与电源相连，所述的第一N型场效应管(MN31)的源极和衬底与地相连，所述的第一N型...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘卫中，蒋亚平，张明丰，
申请(专利权)人：华润微集成电路无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：