一种金属配合物及其应用制造技术

本发明专利技术涉及一种金属配合物、包含其的有机电致发光元件及消费型产品，本发明专利技术所述的金属配合物用作发光材料能够获得发光效率高的绿色磷光材料，且制备的发光材料的热稳定性好；本发明专利技术所述的有机电致发光元件发绿色磷光，具有发射光谱窄、稳定性高和效率高的优点；电子设备通过含有本发明专利技术的有机电致发光元件，能够获得电致发光为绿色光且发光效率提高的消费型产品。型产品。型产品。

【技术实现步骤摘要】
一种金属配合物及其应用


[0001]本专利技术属于发光材料
，具体涉及一种金属配合物、包含其的有机电致发光元件及消费型产品。

技术介绍

[0002]目前，利用有机材料的光电装置变得越来越受欢迎，且用于制造所述装置的许多材料相对较为便宜，因此有机光电装置具有优于无机装置的成本优势的潜力。另外，有机材料的固有性质(例如其柔性)可以使其较适用于特定应用，如在柔性衬底上的制造。有机光电装置的实例包括有机发光二极管/装置(OLED)、有机光电晶体管、有机光伏电池和有机光电检测器。对于OLED，有机材料可以具有优于常规材料的性能优势。
[0003]OLED利用有机薄膜，其在电压施加于装置上时会发射光。OLED正成为用于如平板显示器、照明和背光的应用中的日益受关注的技术。
[0004]磷光发射分子的一个应用是全色显示器。针对此类显示器的行业标准需要适合于发射特定颜色的像素。具体来说，这些标准需要饱和红色、绿色和蓝色像素。或者，OLED可经设计以发射白光。在常规液晶显示器中，使用吸收滤光器过滤来自白色背光的发射以产生红色、绿色和蓝色发射。相同技术也可以用于OLED。白色OLED可以是单发射层(EML)装置或堆叠结构。可以使用所属领域中所熟知的CIE坐标来测量色彩，现有技术中的发光材料发光稳定性不好，发光效率低。
[0005]鉴于以上原因，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0006]为了解决现有技术存在的以上问题，本专利技术提供了一种金属配合物、包含其的有机电致发光元件及消费型产品，本专利技术所述的金属配合物用于OLED中时，尤其用于绿色发射区域中时，展现增强的磷光量子产率。
[0007]本专利技术的第一目的，提供了一种电致发光稳定，发光效率高的金属配合物。
[0008]本专利技术的第二目的，提供了一种由所述金属配合物制成的有机电致发光元件。
[0009]本专利技术的第三目的，提供了一种由所述的有机电致发光元件制成的消费型产品。
[0010]为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0011]一种金属配合物，所述的金属配合物包含式(LA)所示配体：
[0012][0013]其中，
[0014]R1～R8各自独立地选自由氢、氘、氟、腈基、异腈基、C1～C
40
酰基、羧酸基、醚基、酯基、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、C1～C
40
链烷基、C3～C
40
环烷基、C1～C
40
杂烷基、C3～C
40
杂环烷基、C6～C
60
芳烷基、C3～C
40
硅烷基、C2～C
40
链烯基、C5～C
40
环烯基、C3～C
40
杂烯基、C2～C
40
炔基、C6～C
60
芳基、C2～C
60
杂芳基、或式(II)所示基团组成的群组，并且在R1～R8中至少有一者为式(II)所示的基团；
[0015][0016]X1～X5各自独立地选自CR
12
或N；
[0017]R9～R
12
各自独立地选自由氢、氘、氟、腈基、C1～C
40
酰基、C1～C
40
链烷基、C3～C
40
环烷基、C1～C
40
杂烷基、C3～C
40
杂环烷基、C6～C
60
芳烷基、C3～C
40
硅烷基、C2～C
40
链烯基、C5～C
40
环烯基、C3～C
40
杂烯基、C2～C
40
炔基、C6～C
60
芳基、C2～C
60
杂芳基组成的群组；
[0018]所述的金属配合物由式(LA)所示配体与金属M配位形成五元螯合环；
[0019]所述的金属配合物还包含其它配体，并且式(LA)所示配体与其它配体连接以构成三齿、四齿、五齿或六齿配体；
[0020]所述M选自Os、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag和Au中的一种；
[0021]*表示式(II)与式(LA)的连接键。
[0022]进一步的，所述的式(LA)包括以下所示结构中的任意一种：
[0023][0024]上述各式中的氢可被氘或氟部分取代或全取代。
[0025]进一步的，所述金属配合物的化学式为M(LA)
p
(LB)
q
，LB为二齿配体，p为1、2或3，q为0、1或2，且p+q等于金属M的氧化态；
[0026]其中，LB选自以下结构中的一种：
[0027][0028][0029]其中，Y1～Y
16
各自独立地选自N或CR
20
，T1选自BR
20
、NR
20
、PR
20
、O、S、Se、C＝O、S＝O、SO2、CR
20
R
21
、SiR
20
R
21
和GeR
20
R
21
中的一种，R
20
和R
21
可以任意接合或稠合形成环；T2选自N、B、SiR
20
、P或P＝O；
[0030]R
13
、R
14
、R
15
、R
16
、R
17
、R
18
、R
19
、R
20
、R
21
各自独立地选自由氢、氘、卤原子、C1～C
40
链烷基、C3～C
40
环烷基、C1～C
40
杂烷基、C3～C
40
杂环烷基、C6～C
60
芳烷基、C1～C
40
烷氧基、C6～C
60
芳氧基、氨基、C3～C
40
硅烷基、C2～C
40
链烯基、C5～C
40
环烯基、C3～C
40
杂烯基、C2～C
40
炔基、C6～C
60
芳基、C2～C
60
杂芳基、C1～C
40
酰基、羧酸基、醚基、酯基、腈基、异腈基、硫基、亚磺酰基、
磺酰基和膦基组成的群组；且任何两个或多个相邻的取代基之间任选地接合或稠合在一起形成取代或未取代的五元环、六元环或多环。
[0031]关于金属M的氧化态，在M为Ir时，Ir的氧化价态可以为3，在M为Pt时，Pt的氧化价态可以为2。
[0032]本专利技术意义上的“卤”、“卤素”、“卤原子”、“卤基”可互换地使用并且指氟、氯、溴或碘。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属配合物，其特征在于，所述的金属配合物包含式(LA)所示配体：其中，R1～R8各自独立地选自由氢、氘、氟、腈基、异腈基、C1～C
40
酰基、羧酸基、醚基、酯基、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、C1～C
40
链烷基、C3～C
40
环烷基、C1～C
40
杂烷基、C3～C
40
杂环烷基、C6～C
60
芳烷基、C3～C
40
硅烷基、C2～C
40
链烯基、C5～C
40
环烯基、C3～C
40
杂烯基、C2～C
40
炔基、C6～C
60
芳基、C2～C
60
杂芳基、或式(II)所示基团组成的群组，并且在R1～R8中至少有一者为式(II)所示的基团；X1～X5各自独立地选自CR
12
或N；R9～R
12
各自独立地选自由氢、氘、氟、腈基、C1～C
40
酰基、C1～C
40
链烷基、C3～C
40
环烷基、C1～C
40
杂烷基、C3～C
40
杂环烷基、C6～C
60
芳烷基、C3～C
40
硅烷基、C2～C
40
链烯基、C5～C
40
环烯基、C3～C
40
杂烯基、C2～C
40
炔基、C6～C
60
芳基、C2～C
60
杂芳基组成的群组；所述的金属配合物由式(LA)所示配体与金属M配位形成五元螯合环；所述的金属配合物还包含其它配体，并且式(LA)所示配体与其它配体连接以构成三齿、四齿、五齿或六齿配体；所述M选自Os、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag和Au中的一种；*
‑
表示式(II)与式(LA)的连接键。2.根据权利要求1所述的金属配合物，其特征在于，所述的式(LA)包括以下所示结构中的任意一种：
上述各式中的氢可被氘或氟部分取代或全取代。3.根据权利要求1或2所述的金属配合物，其特征在于，所述金属配合物的化学式为M(LA)
p
(LB)
q
，LB为二齿配体，p为1、2或3，q为O、1或2，且p+q等于金属M的氧化态；其中，LB选自以下结构中的一种：
其中，Y1～Y
16
各自独立地选自N或CR
20
，T1选自BR
20
、NR
20
、pR
20
、O、S、Se、C＝O、S＝O、SO2、CR
20
R
21
、SiR
20
R
21
和GeR
20
R
21
中的一种，R
20
...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹建华，姜卫东，李程辉，王振宇，唐伟，刘赛赛，徐先锋，李利铮，
申请(专利权)人：北京八亿时空液晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：