发光装置、包括发光装置的电子设备和有机金属化合物制造方法及图纸

本申请提供了发光装置。发光装置可包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及第一电极和第二电极之间的夹层，夹层包括发射层，其中发射层包括由式1表示的有机金属化合物。本申请还提供了包括发光装置的电子设备，发光装置包括由式1表示的有机金属化合物，本申请进一步提供了由式1表示的有机金属化合物：式1其中式1与本说明书中描述的相同。本说明书中描述的相同。本说明书中描述的相同。

【技术实现步骤摘要】
发光装置、包括发光装置的电子设备和有机金属化合物
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在韩国知识产权局于2021年9月30日提交的韩国专利申请第10
‑
2021
‑
0130284号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本公开的实施方式的一个或多个方面涉及包括有机金属化合物的发光装置、包括发光装置的电子设备和有机金属化合物。

技术介绍

[0004]发光装置中的自发射装置具有宽视角、高对比度、短响应时间和在亮度、驱动电压和/或响应速度方面的卓越的或适当的特性。
[0005]在发光装置中，第一电极布置在基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次布置在第一电极上。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝着发射层移动，并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝着发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在这样的发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而生成光。

技术实现思路

[0006]本公开的实施方式的一个或多个方面涉及包括有机金属化合物的发光装置、包括发光装置的电子设备和有机金属化合物。
[0007]另外的方面将在随后的描述中部分陈述，并且部分将从描述中显而易见，或可通过所呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。
[0008]根据一个或多个实施方式，提供了发光装置，其包括：
[0009]第一电极，
[0010]面向第一电极的第二电极，和
[0011]布置在第一电极和第二电极之间且包括发射层的夹层，
[0012]其中发射层包括由式1表示的有机金属化合物：
[0013]式1
[0014][0015]在式1中，
[0016]M可为铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铑(Rh)、钌(Ru)、铼(Re)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)或铥(Tm)，
[0017]X1至X3可各自独立地为单键、*
‑
C(R5)(R6)
‑
*'、*
‑
C(R5)＝*'、*＝C(R5)
‑
*'、*
‑
C(R5)＝C(R6)
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、*
‑
B(R5)
‑
*'、*
‑
N(R5)
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
P(R5)
‑
*'、*
‑
Si(R5)(R6)
‑
*'、*
‑
P(＝O)(R5)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'或*
‑
Ge(R5)(R6)
‑
*'，
[0018]n1至n3可各自独立地为1、2或3，
[0019]L1和L2可各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
20
亚烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
亚烯基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
亚炔基，
[0020]T1可为*
‑
C(Z7)(Z8)
‑
*'、*
‑
C(Z7)＝*'、*＝C(Z7)
‑
*'、*
‑
C(Z7)＝C(Z8)
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、*
‑
B(Z7)
‑
*'、*
‑
N(Z7)
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
P(Z7)
‑
*'、*
‑
Si(Z7)(Z8)
‑
*'、*
‑
P(＝O)(Z7)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'或*
‑
Ge(Z7)(Z8)
‑
*'，
[0021]T2可为*
‑
C(Z9)(Z
10
)
‑
*'、*
‑
C(Z9)＝*'、*＝C(Z9)
‑
*'、*
‑
C(Z9)＝C(Z
10
)
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、*
‑
B(Z9)
‑
*'、*
‑
N(Z9)
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
P(Z9)
‑
*'、*
‑
Si(Z9)(Z
10
)
‑
*'、*
‑
P(＝O)(Z9)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'或*
‑
Ge(Z9)(Z
10
)
‑
*'，
[0022]m1和m2可各自独立地为0、1、2或3，并且i)当m1为0时，T1可不存在，和ii)当m2为0时，T2可不存在，
[0023]Y1至Y4可各自独立地为C或N，
[0024]环A1至环A4和环B1至环B6可各自独立地为C3‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基，
[0025]R1至R6和Z1至Z
10
可各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；和所述第一电极和所述第二电极之间的夹层，所述夹层包括发射层，其中所述发射层包括由式1表示的有机金属化合物：式1并且其中，在式1中，M为Ir、Pt、Pd、Cu、Ag、Au、Rh、Ru、Re、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb或Tm，X1至X3各自独立地为单键、*
‑
C(R5)(R6)
‑
*'、*
‑
C(R5)＝*'、*＝C(R5)
‑
*'、*
‑
C(R5)＝C(R6)
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、*
‑
B(R5)
‑
*'、*
‑
N(R5)
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
P(R5)
‑
*'、*
‑
Si(R5)(R6)
‑
*'、*
‑
P(＝O)(R5)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'或*
‑
Ge(R5)(R6)
‑
*'，n1至n3各自独立地为1、2或3，L1和L2各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
20
亚烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
亚烯基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
亚炔基，T1为*
‑
C(Z7)(Z8)
‑
*'、*
‑
C(Z7)＝*'、*＝C(Z7)
‑
*'、*
‑
C(Z7)＝C(Z8)
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、*
‑
B(Z7)
‑
*'、*
‑
N(Z7)
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
P(Z7)
‑
*'、*
‑
Si(Z7)(Z8)
‑
*'、*
‑
P(＝O)(Z7)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'或*
‑
Ge(Z7)(Z8)
‑
*'，T2为*
‑
C(Z9)(Z
10
)
‑
*'、*
‑
C(Z9)＝*'、*＝C(Z9)
‑
*'、*
‑
C(Z9)＝C(Z
10
)
‑
*'、*
‑
C(＝
O)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、*
‑
B(Z9)
‑
*'、*
‑
N(Z9)
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
P(Z9)
‑
*'、*
‑
Si(Z9)(Z
10
)
‑
*'、*
‑
P(＝O)(Z9)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'或*
‑
Ge(Z9)(Z
10
)
‑
*'，m1和m2各自独立地为0、1、2或3，且i)当m1为0时，T1不存在，和ii)当m2为0时，T2不存在，Y1至Y4各自独立地为C或N，环A1至环A4和环B1至环B6各自独立地为C3‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基，R1至R6和Z1至Z
10
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，R1至R6和Z1至Z
10
中的两个或更多个任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，a1至a4各自独立地为选自0至10的整数，b1至b6各自独立地为选自0至10的整数，*和*'各自指示与相邻原子的结合位点，R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基；各自独立地未被取代或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基、C2‑
C
60
杂芳基烷基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任意组合；各自独立地未被取代或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基或C2‑
C
60
杂芳基烷基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基、C2‑
C
60
杂芳基烷基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其任意组合；或
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)、
‑
O(Q
31
)、
‑
S(Q
31
)、
‑
P(Q
31
)(Q
32
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，并且Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地为：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰基；硝基；或者各自独立地未被取代或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C7‑
C
60
芳基烷基或C2‑
C
60
杂芳基烷基：氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任意组合。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述夹层进一步包括在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区以及在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组
合，并且所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层被配置为发射最大发射波长的范围为430nm至500nm的蓝光。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包括主体和掺杂剂，并且所述掺杂剂包括所述由式1表示的有机金属化合物。5.一种电子设备，包括如权利要求1至4中任一项所述的发光装置。6.如权利要求5所述的电子设备，进一步包括薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且所述发光装置的所述第一电极电耦接至所述薄膜晶体管的所述源电极或所述漏电极中的至少一个。7.如权利要求6所述的电子设备，进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。8.一种由式1表示的有机金属化合物：式1其中，在式1中，M为Ir、Pt、Pd、Cu、Ag、Au、Rh、Ru、Re、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb或Tm，X1至X3各自独立地为单键、*
‑
C(R5)(R6)
‑
*'、*
‑
C(R5)＝*'、*＝C(R5)
‑
*'、*
‑
C(R5)＝C(R6)
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、*
‑
B(R5)
‑
*'、*
‑
N(R5)
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
P
(R5)
‑
*'、*
‑
Si(R5)(R6)
‑
*'、*
‑
P(＝O)(R5)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'或*
‑
Ge(R5)(R6)
‑
*'，n1至n3各自独立地为1、2或3，L1和L2各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
20
亚烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
亚烯基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
亚炔基，T1为*
‑
C(Z7)(Z8)
‑
*'、*
‑
C(Z7)＝*'、*＝C(Z7)
‑
*'、*
‑
C(Z7)＝C(Z8)
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、*
‑
B(Z7)
‑
*'、*
‑
N(Z7)
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
P(Z7)
‑
*'、*
‑
Si(Z7)(Z8)
‑
*'、*
‑
P(＝O)(Z7)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'或*
‑
Ge(Z7)(Z8)
‑
*'，T2为*
‑
C(Z9)(Z
10
)
‑
*'、*
‑
C(Z9)＝*'、*＝C(Z9)
‑
*'、*
‑
C(Z9)＝C(Z
10
)
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、*
‑
B(Z9)
‑
*'、*
‑
N(Z9)
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
P(Z9)
‑
*'、*
‑
Si(Z9)(Z
10
)
‑
*'、*
‑
P(＝O)(Z9)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'或*
‑
Ge(Z9)(Z
10
)
‑
*'，m1和m2各自独立地为0、1、2或3，且i)当m1为0时，T1不存在，和ii)当m2为0时，T2不存在，Y1至Y4各自独立地为C或N，环A1至环A4和环B1至环B6各自独立地为C3‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基，R1至R6和Z1至Z
10
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、

【专利技术属性】
技术研发人员：李炫汀，姜一俊，申秀珍，全美那，朱真熙，韩定勳，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：