【技术实现步骤摘要】
SiC MOSFET的保护电路
[0001]本申请涉及电力电子
，尤其涉及一种SiC MOSFET的保护电路。
技术介绍
[0002]电力电子功率变换器作为电能利用的重要装置，在生产和生活中发挥着重要作用。电力电子功率变换器的核心是功率半导体器件，很大程度上决定了电力电子功率变换器的性能。目前，大部分功率半导体器件是Si半导体材料，其特性已接近理论极限，成为电力电子功率变换器进一步发展的瓶颈。与Si功率器件相比，SiC功率器件具有更加优异特性：SiC功率器件具有更高的开关速度，能够在更高的结温下工作，可以同时实现高频、高电压和大电流。这些特性能够显著提升半导体功率变换器的性能，获得更高的电能转换效率，实现更高的功率密度，降低系统成本等。
[0003]在电力电子变换器中，微控制器发出的控制信号属于弱点信号，不能直接驱动功率半导体器件，需要在微控制器与功率半导体器件之间设置驱动电路。驱动电路主要是对微控制器发出的弱电控制信号整形、功率放大后实现对功率半导体器件的通断控制；当功率半导体器件及其所在电路中出现故障时，也...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种SiC MOSFET的保护电路，其特征在于，包括：输出侧逻辑控制模块，用于接收所述SiC MOSFET的驱动脉冲信号并输出，还用于输出与所述驱动脉冲信号同步的控制信号；输出级功率放大电路，与所述输出侧逻辑控制模块电连接，并被配置为对所述驱动脉冲信号进行放大，并输出至所述SiC MOSFET；软关断模块，电连接所述输出侧逻辑控制模块和所述输出级功率放大电路，且被配置为在所述SiC MOSFET发生短路或过流故障后，使驱动脉冲电压逐渐降低，以实现驱动脉冲信号的延时关断。2.根据权利要求1所述的SiC MOSFET的保护电路，其特征在于，所述软关断模块包括：第四MOS管，所述第四MOS管的栅极电连接所述输出侧逻辑控制模块，源端电连接输出侧地；第八电容，所述第八电容的第一端电连接所述输出侧地；第十三电阻，所述第十三电阻的第一端电连接所述第四MOS管的漏端，第二端电连接所述第八电容的第二端；第十四电阻，所述第十四电阻的第一端电连接直流正压，第二端电连接所述第八电容的第二端；第三二极管，所述第三二极管的阳极电连接输出级功率放大电路，阴极电连接所述第八电容的第二端；第五MOS管，所述第五MOS管的栅极电连接所述输出侧逻辑控制模块，源端接输出侧地；第二稳压二极管，所述第二稳压二极管的阳极电连接所述第五MOS管的漏极，阴极电连接所述输出级功率放大电路；其中，在第一阶段，所述输出侧逻辑控制模块向所述第五MOS管发送导通信号，所述第五MOS管导通；在第二阶段，所述输出侧逻辑控制模块向所述第四MOS管发送导通信号，所述第四MOS管导通；在第三阶段，所述输出侧逻辑控制模块向所述第四MOS管和所述第五MOS管发送关断信号，所述第四MOS管和所述第五MOS管关断。3.根据权利要求1所述的SiC MOSFET的保护电路，其特征在于，所述输出级功率放大电路包括PMOS管和NMOS管构成的推挽式驱动电路，或者包括NPN和PNP三极管构成的推挽式驱动电路。4.根据权利要求3所述的SiC MOSFET的保护电路，其特征在于，所述输出级功率放大电路包括：放大器，所述放大器的输入端电连接所述输出侧逻辑控制模块，所述放大器还电连接直流正压、直流负压以及输出侧地；PMOS管，所述PMOS管的源极电连接所述直流正压，栅极电连接所述放大器的输出端，漏极通过第三电阻与所述SiC MOSFET的栅极电连接；NMOS管，所述NMOS管的源极电连接所述直流负压，...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵凤俭，
申请(专利权)人：飞锃半导体上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。