一种欠压保护电路和电子设备制造技术

本申请涉及欠压保护电路领域，具体公开了一种欠压保护电路，包括分压电路部分和放大电路部分；分压电路部分包括：第一电阻、第二电阻和第一NMOS管，第一电阻的第一端与电源端口电连接，第一电阻的第二端与第二电阻的第一端电连接，第二电阻的第二端与第一NMOS管的漏极电连接，第一NMOS管的栅极与电源端口电连接，第一NMOS管的源极与地电连接且与第一NMOS管的衬底电连接；放大电路部分用于放大电源电压的变化情况。本申请解决了模拟集成电路在使用的过程中由于欠压造成的电路损坏问题。过程中由于欠压造成的电路损坏问题。过程中由于欠压造成的电路损坏问题。

【技术实现步骤摘要】
一种欠压保护电路和电子设备


[0001]本申请涉及欠压保护电路的
，特别是一种欠压保护电路和电子设备。

技术介绍

[0002]随着电子科学技术的迅速发展，近年来电子器件在各行各业的应用领域中越发深入，人们对电路的欠压保护技术的需求也愈加迫切，特别是在现代化、自动化的模拟集成电路中，电路的输入欠压保护尤其重要，当电路的输入电压显著降低时，如果没有欠压保护电路，则会出现电路工作失常甚至电路损坏等情况，因此我们需要在模拟集成电路中添加可靠的欠压保护结构单元。欠压保护电路在温度传感器、驱动器等众多模拟集成电路中起着至关重要的作用，当模拟集成电路正常工作时，电源电压过分地降低将引起电路性能下降甚至无法正常工作，如长时间不采取保护措施，将会使电路中部分元器件损坏，有发生事故的潜在隐患，因此，在电压降低达到一定程度时需要切断电源。
[0003]我国在模拟电路欠压保护领域设计和研发起步较晚，仅有少数半导体厂家在进行研发，且水平不一，很多厂商是参考国外的输入欠压保护电路研发自己的产品，并且由于国内设计和工艺水平的限制，产品尚有很大的发展空间，所以为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种欠压保护电路，其特征在于，包括分压电路部分和放大电路部分，所述分压电路部分用于捕捉所述欠压保护电路的电源电压的变化情况，所述放大电路部分用于放大所述电源电压的变化情况，所述电源电压为所述欠压保护电路的电源端口与地的电压差；所述分压电路部分包括：第一电阻、第二电阻和第一NMOS管，所述第一电阻的第一端与所述电源端口电连接，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端电连接，所述第二电阻的第二端与所述第一NMOS管的漏极电连接，所述第一NMOS管的栅极与所述电源端口电连接，所述第一NMOS管的源极与所述地电连接且与所述第一NMOS管的衬底电连接；所述放大电路部分的第一端与所述第二电阻的第一端电连接，所述放大电路部分的第二端与所述电源端口电连接，所述放大电路部分的第三端与所述地电连接，所述放大电路部分的第四端与偏置电流端口电连接，所述放大电路部分的第五端用于输出所述欠压保护电路的信号。2.根据权利要求1所述的欠压保护电路，其特征在于，所述放大电路部分包括：第一三极管、第二三极管、第三三级管、第四三极管、第五三极管、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第二NMOS管，所述第一三极管的基极与所述放大电路部分的第一端电连接，所述第一三极管的集电极与所述第三电阻的第一端电连接，所述第一三极管的发射极与所述第四电阻的第一端电连接；所述第二三极管的基极与所述放大电路部分的第一端电连接，所述第二三极管的集电极与所述第四三极管的集电极电连接，所述第二三极管的发射极与所述第四电阻的第二端电连接，且与所述第五电阻的第一端电连接；所述第三三级管的基极与所述第三三极管的集电极电连接，还与所述第三电阻的第二端电连接，且与所述第四三极管的基极电连接，所述第三三级管的发射极与所述电源端口电连接；所述第四三级管的发射极与所述电源端口电连接，电连接在所述第二三极管的集电极和所述第四三极管的集电极之间的端口与所述第五三极管的基极电连接；所述第五三极管的发射极与所述电源端口电连接，所述第五三极管的集电极与所述放大电路部分的第四端和第五端均电连接；所述第二NMOS管的漏极与所述第五电阻的第二端电连接，所述第二NMOS管的栅极与所述电源端口电连接，所述第二NMOS管的源极与所述地电连接且与所述第二NMOS管的衬底电连接。3.根据权利要求2所述的欠压保护电路，其特征在于，所述放大电路部分还包括第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管；所述第三NMOS管的源极与所述地电连接且与所述第三NMOS管的衬底电连接，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾明昊，陈俞岐，杨晓君，王瑛，彭领，孔瀛，吕超，王枭鸿，
申请(专利权)人：北京微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：