同轴屏蔽筒和脉冲发生器制造技术

本申请涉及一种同轴屏蔽筒和脉冲发生器。同轴屏蔽筒包括：屏蔽筒主体，屏蔽筒主体内设有沿轴向贯穿屏蔽筒主体的屏蔽孔，其中，屏蔽筒主体为绝缘结构；第一连接件，设于屏蔽孔内并与屏蔽筒主体连接，第一连接件内设有沿轴向贯穿第一连接件的第一通孔，第一连接件用于与马克思发生器末端气隙开关第一端的第一电极连接，其中，第一电极穿过第一通孔，第一连接件为导电结构；第二连接件，设于屏蔽孔内且与第一连接件间隔设置，第二连接件内设有沿轴向贯穿第二连接件的第二通孔，第二通孔用于供马克思发生器末端气隙开关第二端的第二电极穿过，其中，第二连接件为绝缘结构。该同轴屏蔽筒能够缩短马克思发生器输出的高压脉冲的上升时间。间。间。

【技术实现步骤摘要】
同轴屏蔽筒和脉冲发生器


[0001]本申请涉及电脉冲
，特别是涉及一种同轴屏蔽筒和脉冲发生器。

技术介绍

[0002]快速上升沿脉冲源在脉冲功率技术及其应用上具有广泛的应用，由于脉冲的上升时间短，从而使得频带较宽，例如，对于上升沿小于1ns的电脉冲，其频带范围宽达1GHz以上，因而，通过超宽带天线辐射后，可以进行更大范围的电子设备和电子器件与电磁脉冲交互作用的实验，具有广泛的应用前景。
[0003]目前，高压脉冲源通常采用气隙开关，然而，由于气隙击穿完成需要一定的时间，即气隙从第一个有效电子出现到气隙完全击穿需要一定的积累时间，然而，如果输出端采用普通的电极形式，由于电极的辐射天线效应，电磁辐射消耗的部分能量将影响到电晕区域的积累和发展、同时火花通道存在一定的电感，以上这几个因素会使大多数马克思发生器输出的高压脉冲的实际上升沿与理想上升沿相距甚远。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够缩小脉冲的上升时间的同轴屏蔽筒和脉冲发生器。
[0005]第一方面，本申请提供了一种同轴屏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同轴屏蔽筒，其特征在于，包括：屏蔽筒主体，所述屏蔽筒主体内设有沿轴向贯穿所述屏蔽筒主体的屏蔽孔，其中，所述屏蔽筒主体为绝缘结构；第一连接件，设于所述屏蔽孔内并与所述屏蔽筒主体连接，所述第一连接件内设有沿轴向贯穿所述第一连接件的第一通孔，所述第一连接件用于与马克思发生器末端气隙开关第一端的第一电极连接，其中，所述第一电极穿过所述第一通孔，所述第一连接件为导电结构；第二连接件，设于所述屏蔽孔内且与所述第一连接件间隔设置，所述第二连接件内设有沿轴向贯穿所述第二连接件的第二通孔，所述第二通孔用于供马克思发生器末端气隙开关第二端的第二电极穿过，其中，所述第二连接件为绝缘结构。2.根据权利要求1所述的同轴屏蔽筒，其特征在于，所述屏蔽筒主体接地。3.根据权利要求1所述的同轴屏蔽筒，其特征在于，所述第一连接件、所述第二连接件分别与所述屏蔽孔的内壁连接，且所述第一连接件和所述第二连接件配合封闭所述屏蔽孔，以在所述第一连接件和所述第二连接件之间形成密封的屏蔽腔。4.根据权利要求1所述的同轴屏蔽筒，其特征在于，所述屏蔽孔为圆柱形孔。5.根据权利要求1所述的同...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵伟恒，陈颖慧，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室，
类型：发明
国别省市：