一种砂磨工艺制备蒸镀用低密度ITO靶材的方法技术

本发明专利技术公开了一种砂磨工艺制备蒸镀用低密度ITO靶材的方法，包括：将粒径D50为0.1～0.5um的氧化铟与氧化锡粉末混合均匀；对混合粉末进行煅烧；对煅烧后的粉末制浆，并将浆料、粘结剂加入砂磨机中进行砂磨；对砂磨后的浆料进行喷雾干燥，造粒；将造粒后的粉末进行冷压成型，得到冷压素坯；将冷压素坯进行脱脂；将脱脂后的冷压素坯置于氧气气氛下进行常压烧结，得到蒸镀用低密度ITO靶材。本发明专利技术可获得晶粒尺寸均匀、体电阻率低的蒸镀用低密度ITO靶材，其相对密度为55～65％；制得的低密度ITO靶材在蒸镀使用时不易开裂且靶材利用率高，并在蒸镀后可获得均匀的低电阻率、高透光率的导电薄膜。膜。膜。

【技术实现步骤摘要】
一种砂磨工艺制备蒸镀用低密度ITO靶材的方法


[0001]本专利技术涉及靶材制造
，具体涉及一种砂磨工艺制备蒸镀用低密度ITO靶材的方法。

技术介绍

[0002]氧化锡铟(Indium Tin Oxide，简称为ITO)镀膜玻璃是平板显示器制备的关键材料之一，该材料具有在可见光区内透光率高、电阻率低等优异的光电特性，诸多研究已经证明其电阻率可达10
‑3～10
‑4Ω
·
cm，可见光的透射率达85％以上，因而ITO透明导电薄膜被广泛应用于光电领域，如显示器产业的液晶显示器(LCD)、薄膜晶体管显示器(TFT.LCD)等。
[0003]现有ITO薄膜的制备方法主要是由磁控溅射法和真空蒸镀法，磁控溅射法主要用于高密度ITO靶材，其靶材相对密度大于99％，而真空蒸镀原理是对低密度的ITO靶材进行加热，由于其密度较低，从而使其蒸发并沉积在需要镀膜的基片上。
[0004]现蒸镀用铟锡氧化物靶材，通常其体电阻一般为1.4
×
10
‑4Ω
·
>cm，密度为3.9本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种砂磨工艺制备蒸镀用低密度ITO靶材的方法，其特征在于，包括：将粒径D50为0.1～0.5um的氧化铟与氧化锡粉末混合均匀；对混合粉末进行煅烧；对煅烧后的粉末制浆，并将浆料、粘结剂加入砂磨机中进行砂磨；对砂磨后的浆料进行喷雾干燥，造粒；将造粒后的粉末进行冷压成型，得到冷压素坯；将冷压素坯进行脱脂；将脱脂后的冷压素坯置于氧气气氛下进行常压烧结，得到蒸镀用低密度ITO靶材。2.如权利要求1所述的砂磨工艺制备蒸镀用低密度ITO靶材的方法，其特征在于，所述氧化铟与氧化锡粉末的混合时间为4～8h，所述混合粉末中In2O3和SnO2的质量百分比为(90～95)：(10～5)。3.如权利要求1所述的砂磨工艺制备蒸镀用低密度ITO靶材的方法，其特征在于，所述混合粉末的煅烧温度为800～1250℃，煅烧时间为2～6h。4.如权利要求1所述的砂磨工艺制备蒸镀用低密度ITO靶材的方法，其特征在于，所述浆料由煅烧后的粉末和水配置而成，所述浆料的固含量为40～80％。5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨杰，左宁伟，杨龙，
申请(专利权)人：江苏莱希海姆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：