一种ITO平面靶快速烧结脱脂方法及其使用的承托板技术

本发明专利技术公开了一种ITO平面靶快速烧结脱脂的方法，属于靶材制备技术领域。该方法通过使用特殊结构的承托板承托ITO平面靶材进行烧结，并配合特定的烧结工艺，不仅可有效解决传统ITO平面靶烧结脱脂过程中耗时长且上下面温差较大的问题，同时不会造成ITO靶材发生额外变形的问题，所得产品翘曲度低，相对密度高。本发明专利技术还公开了应用于所述方法的ITO平面靶烧结脱脂用承托板。脱脂用承托板。

【技术实现步骤摘要】
一种ITO平面靶快速烧结脱脂方法及其使用的承托板


[0001]本专利技术涉及靶材制备
，具体涉及一种ITO平面靶快速烧结脱脂方法及其使用的承托板。

技术介绍

[0002]ITO薄膜是一种一般由ITO靶材经过磁控溅射形成的薄导电膜，因其具有良好的透明度和导电性，被广泛应用于光电子领域，具有应用在于制备电子显示屏、智能手机元件、太阳能异质结电池中。然而，由于技术的发展，目前的ITO薄膜产量已跟不上需求量，导致其制备原料ITO靶材尤其是利用率较低的ITO平面靶的需求空间也逐渐增大。
[0003]目前的ITO平面靶材常用常压烧结工艺进行加工，然而由于加工过程中ITO平面靶需要放置在加工台上，导致其底面无法实现排气，导致整个烧结脱脂过程耗时较长，同时靶材的上下面温度也会产生差异，导致最终烧结的靶材翘曲较大，同时密度偏低。
[0004]CN212419632U公开了一种靶材烧结承托板，通过底部设置的矩形导流槽可实现靶材烧结时的底部热空气导流，同时保持温度均衡。但矩形导流槽需要整体贯穿承托板才能实现导流，导致该承托板在使用太久后容易受靶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ITO平面靶快速烧结脱脂方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将经过成型的ITO平面靶放置在承托板上；所述承托板自下而上包括底部的支持圆筒以及承载ITO平面靶的承载板；所述承载板上设有平面分布且规格相同的导热圆孔，其中导热圆孔的孔直径≤50mm，孔间隔距离为10～50mm；所述承载板的非导热圆孔区域上还设有一层耐热沙；(2)先对ITO平面靶进行预热，随后以0.5～3℃/min的升温速率升温至550～650℃进行一段保温处理，随后以2～8℃/min的升温速率升温至850～950℃，最后以1～5℃/min的升温速率升温至1500～1600℃并在氧气氛围下进行二段保温处理，降温，即完成ITO平面靶的烧结脱脂。2.如权利要求1所述ITO平面靶快速烧结脱脂方法，其特征在于，所述承载板为氧化铝制备的承载板，纯度＞99.5％，表面粗糙度≤0.2μm，厚度为18～22mm。3.如权利要求1所述ITO平面靶快速烧结脱脂方法，其特征在于，所述支撑圆筒为氧化铝支撑圆筒，长度≤50mm，直径为25～35mm。4.如权利要求1所述ITO平面靶快速烧...

【专利技术属性】
技术研发人员：李帅，尹琳，李叶，李明鸿，林宇鹏，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：