一种用于制备ArF干法光刻的树脂的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于制备ArF干法光刻的树脂的制备方法。该制备方法包括以下步骤：将以重量份计的40

【技术实现步骤摘要】
一种用于制备ArF干法光刻的树脂的制备方法


[0001]本专利技术涉及一种用于制备ArF干法光刻胶的树脂的制备方法。

技术介绍

[0002]光刻技术是指利用光刻材料(特指光刻胶)在可见光、紫外线、电子束等作用下的化学敏感性，通过曝光、显影、刻蚀等工艺过程，将设计在掩膜版上的图形转移到衬底上的图形微细加工技术。光刻材料(特指光刻胶)，又称光致抗蚀剂，是光刻技术中涉及的最关键的功能性化学材料，其主要成分是树脂、光产酸剂(Photo Acid Generator，PAG)、以及相应的添加剂和溶剂。光产酸剂是一种光敏感的化合物，在光照下分解产生酸，所产生的酸可使酸敏树脂发生分解或者交联反应，从而使光照部分与非光照部分在显影液中溶解反差增大，可以用于图形微细加工

[0003]光刻胶的三个重要参数包括分辨率、灵敏度、线宽粗糙度，它们决定了光刻胶在芯片制造时的工艺窗口。随着半导体芯片性能不断提升，集成电路的集成度呈指数型增加，集成电路中的图形不断缩小。为了制作更小尺寸的图形，必须提高上述三个光刻胶的性能指标。根据瑞利方程式，在光刻工艺中使用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种树脂的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：将以重量份计的40
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50份的单体A、以重量份计的0.5
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5份的单体B、以重量份计的0.25
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2.5份的单体C和以重量份计的0.25
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2.5份的单体D在有机溶剂中进行聚合反应，得到所述的树脂；其中，R1为C1‑
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的烷基；R2为H或C1‑
10
的烷基；R3为C1‑
10
的烷基；R4为C2‑4的烯基；R5和R6独立地为H或C1‑5的烷基。2.如权利要求1所述的树脂的制备方法，其特征在于，所述的树脂的制备方法满足如下一个或多个条件：(1)R1中，所述的C1‑
10
的烷基为C1‑5的烷基，优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基或叔丁基，例如甲基；(2)R2中，所述的C1‑
10
的烷基为C1‑5的烷基，优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基或叔丁基，例如甲基；(3)R3中，所述的C1‑
10
的烷基为C1‑5的烷基，优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基或叔丁基，例如甲基；(4)R4中，所述的C2‑4的烯基为C2‑3的烯基，优选为乙烯基或异丙烯基，例如异丙烯基；(5)R5中，所述的C1‑5的烷基，优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基或叔丁基，例如甲基。3.如权利要求1所述的树脂的制备方法，其特征在于，所述的树脂的制备方法满足如下一个或多个条件：(1)所述的单体A为(2)所述的单体C为
(3)所述的单体D为(4)所述的单体A的份数为42.5
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45；(5)所述的单体B的份数为2.5
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5份；(6)所述的单体C的份数为0.5
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1.25份；(7)所述的单体D的份数为0.5
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1.25份。4.如权利要求3所述的树脂的制备方法，其特征在于，所述的树脂的制备方法满足如下一个或多个条件：(1)所述的单体B的份数为3份；(2)所述的单体C的份数为0.75；(3)所述的单体D的份数为0.75或1.0。5.如权利要求1所述的树脂的制备方法，其特征在于，所述的单体A为份数为42.5
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45份；所述的单体B的份数为2.5
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5份；所述的单体C为份数为0.5
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1.25份；所述的单体D为份数为0.5
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1.25份。6.如权利要求1所述的树脂的制备方法，其特征在于，所述的树脂的制备方法中，将如组1
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8中任一组以重量份数的单体进行聚合反应：组1：42.5份单体A、5份的单体B、1.25份的单体C...

【专利技术属性】
技术研发人员：王溯，方书农，徐森，林逸鸣，
申请(专利权)人：上海芯刻微材料技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：