一种ArF浸没式光刻胶用添加剂及含其的光刻胶制造技术

本发明专利技术公开了一种ArF浸没式光刻胶用添加剂及含其的光刻胶。具体公开了一种如式I所示的添加剂；所述添加剂的重均分子量为1000～3000；所述添加剂的重均分子量/数均分子量比值为1～5。本发明专利技术添加剂至少具有以下优势：含有该添加剂的光刻胶可改善在浸没式光刻曝光过程中材料在水中被浸出的问题，从而可以形成具有优异敏感性和高分辨率的光刻胶膜微图案。具有优异敏感性和高分辨率的光刻胶膜微图案。具有优异敏感性和高分辨率的光刻胶膜微图案。

【技术实现步骤摘要】
一种ArF浸没式光刻胶用添加剂及含其的光刻胶


[0001]本专利技术涉及一种ArF浸没式光刻胶用添加剂及含其的光刻胶。

技术介绍

[0002]随着近年来大规模集成电路(LSI)具有更高的集成度和更高的速度，需要光致光刻胶的准确微图案化。作为形成抗蚀图案中所用的曝光光源，ArF光源(193nm)或KrF光源(248nm)已被广泛使用。
[0003]在使用ArF受激准分子激光作为光源的ArF浸没式光刻法中，在投影透镜和晶片衬底之间的空间充满水。根据该方法，即使使用具有1.0以上的NA的透镜，也可以利用水在193nm处的折射率来形成图案，并且此方法通常被称为浸没式光刻法。然而，由于光刻胶膜直接与水接触，光刻胶图案由于溶胀而可能变形或可能崩溃，或可能产生各种缺陷如气泡和水印。为此，亟需开发能改善该种情况的光刻胶树脂或添加剂。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的上述问题，本专利技术旨在提供一种ArF浸没式光刻胶用添加剂及含其的光刻胶，本专利技术添加剂至少具有以下优势：含有该添加剂的光刻胶可改善在浸没式光刻曝光过程中材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种如式I所示的添加剂；所述添加剂的重均分子量为1000～3000；所述添加剂的重均分子量/数均分子量比值为1～5；2.如权利要求1所述的添加剂，其特征在于，所述添加剂的重均分子量为1500～2500，例如1940；和/或，所述添加剂的重均分子量/数均分子量比值为1～2，例如1.1。3.如权利要求1所述的添加剂，其特征在于，所述的添加剂的制备方法包括以下步骤：S1:有机溶剂中，将化合物B1与L
‑
酒石酸二甲酯和对甲苯磺酸进行缩醛反应，制得化合物C1即可；所述化合物B1为S2:溶剂中，在碱的作用下，将所述化合物C1进行酯水解反应，制得化合物D1即可；S3:有机溶剂中，将所述化合物D1与4
‑
二甲基氨基吡啶进行聚合反应，制得如式I所示的添加剂即可。4.如权利要求3所述的添加剂，其特征在于，S1中，所述有机溶剂为芳烃类溶剂；和/或，S1中，所述化合物B1与所述L
‑
酒石酸二甲酯摩尔比为1:(1
‑
1.5)；和/或，S1中，所述化合物B1与所述对甲苯磺酸摩尔比为1：(20
‑
60)；和/或，S1中，所述缩醛反应的反应时间为26小时～60小时。5.如权利要求3所述的添加剂，其特征在于，S2中，所述溶剂为酮类溶剂；和/或，S2中，所述碱为无机碱，所述碱优选以碱水溶液的形式参与到反应中，所述碱与水的质量比可为0.1:1～0.6:1；和/或，S2中，所述化合物C1与所述溶剂的摩尔体积比为0.1～0.7mol/L；和/或，S2中，所述酯水解反应的时间为3小时～15小时。6.如权利要求3所述的添加剂，其特征在于，S3中，所述有机溶剂为酸酐类溶剂；和/或，S3中，所述4
‑
二甲基氨基吡啶与所述化合物D1摩尔比为...

【专利技术属性】
技术研发人员：王溯，方书农，徐森，邹琴峰，
申请(专利权)人：上海芯刻微材料技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：