带电粒子束装置和带电粒子束装置的控制方法制造方法及图纸

提供能防止数据取得时间的长时间化的带电粒子束装置等。一种带电粒子束装置，包含：消隐器，其进行带电粒子束的消隐；载台，其保持试样且使所述试样能倾斜；消隐控制部，其对带电粒子束的消隐进行控制来向试样照射脉冲束；以及倾斜控制部，其控制试样的倾斜角度，消隐控制部基于试样的倾斜角度来设定脉冲束的占空比。比。比。

【技术实现步骤摘要】
带电粒子束装置和带电粒子束装置的控制方法


[0001]本专利技术涉及带电粒子束装置和带电粒子束装置的控制方法。

技术介绍

[0002]已知通过对透射型电子显微镜(TEM)或扫描透射型电子显微镜(STEM)应用CT法而能进行三维结构物的结构观察/结构解析的手法(层析成像：Tomography)(例如，专利文献1)。在层析成像中，使试样以各种各样的角度倾斜，并取得每个倾斜角度的透射电子显微镜像(倾斜像系列)。在此，若使试样倾斜，则试样的表观的厚度会改变，因此要进行：根据试样的倾斜角度来改变曝光时间(倾斜像的数据取得时间)，使得倾斜角度越大则曝光时间越长。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：特开2005
‑
19218号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]若如上述这样通过检测器的数据取得时间来控制电子束照射量，则在取得倾斜像系列时需要很多时间。当数据取得时间变长时，会出现试样漂移(drift)，从而招致取得图像的劣化，另外，试样由于电子束照射而受到的损伤也会变大。
[0008]本专利技术是鉴于如以上这样的问题而完成的，根据本专利技术的若干方案，能够提供可防止数据取得时间的长时间化的带电粒子束装置和带电粒子束装置的控制方法。
[0009]用于解决问题的方案
[0010](1)本专利技术的带电粒子束装置包含：消隐器，其进行带电粒子束的消隐；载台，其保持试样且使所述试样能倾斜；消隐控制部，其对所述带电粒子束的消隐进行控制来向所述试样照射脉冲束；以及倾斜控制部，其控制所述试样的倾斜角度，所述消隐控制部基于所述试样的倾斜角度来设定所述脉冲束的占空比。
[0011]另外，本专利技术涉及带电粒子束装置的控制方法，所述带电粒子束装置具备：消隐器，其进行带电粒子束的消隐；以及载台，其保持试样且使所述试样能倾斜，所述带电粒子束装置的控制方法包含：消隐控制工序，对所述带电粒子束的消隐进行控制来向所述试样照射脉冲束；以及倾斜控制工序，控制所述试样的倾斜角度，在所述消隐控制工序中，基于所述试样的倾斜角度来设定所述脉冲束的占空比。
[0012]根据本专利技术，通过根据倾斜角度改变脉冲束的占空比来控制带电粒子束照射量，因此能够防止数据取得时间的长时间化。
[0013](2)在本专利技术的带电粒子束装置和带电粒子束装置的控制方法中，也可以是，所述消隐控制部(在所述消隐控制工序中)将所述占空比设定为：所述倾斜角度的绝对值越大，则所述占空比越大。
[0014](3)在本专利技术的带电粒子束装置和带电粒子束装置的控制方法中，也可以是，所述消隐器是静电偏转板。
附图说明
[0015]图1是示出本实施方式的带电粒子束装置的构成的一个例子的图。
[0016]图2是示出脉冲束的占空比与电子束照射量的关系的图。
[0017]图3是示出处理部的处理的流程的流程图。
[0018]附图标记说明
[0019]1…
电子显微镜(带电粒子束装置)，10
…
电子显微镜主体，11
…
电子束源，12
…
消隐器，13
…
照射透镜系统，14
…
偏转器，15
…
载台，16
…
物镜，17
…
投影透镜，18
…
检测器，20
…
消隐器控制装置，21
…
载台控制装置，100
…
处理部，102
…
消隐控制部，104
…
倾斜控制部，106
…
像取得部，108
…
三维像构建部，110
…
操作部，120
…
显示部，130
…
存储部，OA
…
光轴，S
…
试样，TA
…
倾斜轴。
具体实施方式
[0020]以下，使用附图来详细说明本专利技术的优选的实施方式。并且，以下所说明的实施方式并不是要对权利要求书所记载的本专利技术的内容进行不当的限制。另外，以下所说明的所有构成不一定都是本专利技术的必需构成要素。
[0021]图1是示出本实施方式的带电粒子束装置(电子显微镜)的构成的一个例子的图。在此，说明电子显微镜具有透射型电子显微镜(TEM)的构成的情况，但电子显微镜也可以具有扫描透射型电子显微镜(STEM)的构成。此外，本实施方式的电子显微镜也可以设为将图1的构成要素(各部)中的一部分省略的构成。
[0022]如图1所示，电子显微镜1包含电子显微镜主体10、处理部100、操作部110、显示部120以及存储部130。
[0023]电子显微镜主体10包含电子束源11、消隐器(blanker)12、照射透镜系统13、偏转器14、载台15、物镜16、投影透镜17、检测器18、消隐器控制装置20以及载台控制装置21。
[0024]电子束源11产生电子束(带电粒子束的一个例子)。电子束源11将从阴极放出的电子在阳极进行加速来将电子束放出。作为电子束源11，例如能够使用电子枪。
[0025]消隐器12配置在电子束源11的后级。消隐器12进行电子束的消隐(blanking)。作为消隐器12，使用能以高速进行开启/关闭(非照射/照射)的切换的静电偏转板(静电光闸)。消隐器12由消隐器控制装置20来控制。
[0026]照射透镜系统13配置在消隐器12的后级。照射透镜系统13由多个聚焦透镜(省略图示)构成。照射透镜系统13对照射到试样S的电子束(入射电子束)的收敛角进行调整。
[0027]偏转器14配置在照射透镜系统13的后级。偏转器14具有多个偏转线圈、以及用于对流到该多个偏转线圈的电流量进行控制的电流控制部(省略图示)。偏转器14通过由电流控制部对流到各偏转线圈的电流进行控制来使入射电子束二维地偏转。
[0028]载台15以使试样S位于偏转器14的后级的方式保持试样S。载台15由载台控制装置21来控制，使试样S在水平方向或垂直方向上移动，另外使试样S旋转、倾斜。载台15构成为能以与光轴OA正交的倾斜轴TA为中心(轴)倾斜，以使得试样S以倾斜轴TA为中心(轴)倾斜
的方式保持试样S。
[0029]物镜16配置在试样S的后级。物镜16使透射过试样S的电子束成像。投影透镜17配置在物镜16的后级。投影透镜17将由物镜16所成像的像进一步放大，并使其在检测器18上成像。
[0030]检测器18配置在投影透镜17的后级。检测器18对由投影透镜17成像的透射电子显微镜像进行检测。作为检测器18的例子，能够举出具有由二维配置的CCD(Charge Coupled Device：电荷耦合器件)形成的受光面的CCD相机。检测器18检测出的透射电子显微镜像的像信息被输出到处理部100。
[0031本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带电粒子束装置，其特征在于，包含：消隐器，其进行带电粒子束的消隐；载台，其保持试样且使所述试样能倾斜；消隐控制部，其对所述带电粒子束的消隐进行控制来向所述试样照射脉冲束；以及倾斜控制部，其控制所述试样的倾斜角度，所述消隐控制部基于所述试样的倾斜角度来设定所述脉冲束的占空比。2.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其中，所述消隐控制部将所述占空比设定为：所述倾斜角度的绝对值越大，则所述占空比越大。3.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：金子武司，石川勇，奥西荣治，
申请(专利权)人：日本电子株式会社，
类型：发明
国别省市：