悬置框架体声波器件制造技术

本公开的各方面涉及体声波器件，其具有在第一电极和第二电极之间的压电层和悬置在间隙上方的悬置框架结构。该间隙可在第一电极和压电层之间或第二电极和压电层之间。体声波器件可在悬置框架内部具有内部凸起框架部分。间隙可设置在第一和第二电极的延伸超过压电层的端部的各部分之间。导电材料可延伸穿过位于间隙正上方位置处的钝化层中的开口。间隙正上方位置处的钝化层中的开口。间隙正上方位置处的钝化层中的开口。

【技术实现步骤摘要】
悬置框架体声波器件
[0001]优先权申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年10月1日提交，标题为“SUSPENDED FRAME BULK ACOUSTIC WAVE DEVICES”的美国临时专利申请63/251,316的优先权，并且还要求于2021年10月1日提交，标题为“BUK ACOUSTIC WAVE DEVICES WITH GAP FOR IMPROVED PERFORMANCE”的美国临时专利申请63/251,259的优先权，其内容均通过引用整体并入本文。


[0003]本文公开的一些实施例涉及声波器件，诸如体声波器件，并且涉及包括体声波器件的滤波器。

技术介绍

[0004]声波滤波器可在射频电子系统中实现。例如，移动电话的射频前端中的滤波器可包括一个或多个声波滤波器。可将多个声波滤波器布置为多路复用器。例如，可将两个声波滤波器设置为双工器。
[0005]声波滤波器可包括被布置成对射频信号进行滤波的多个谐振器。示例声波滤波器包括表面声波(SAW)滤波器和体声波(BAW)滤波器。BAW滤波器可包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波器件，包括：第一电极；第二电极；所述第一电极与所述第二电极之间的压电层；有源区域，其中所述压电层与所述第一电极和所述第二电极重叠，所述有源区域包括中间区域；以及在所述有源区域的所述中间区域外部的凸起框架结构，所述凸起框架结构包括在所述第一电极与所述第二电极之间的间隙，使得所述凸起框架结构的至少一部分为悬置于所述间隙上方的悬置框架。2.如权利要求1所述的体声波器件，其中，所述压电层在所述第一电极上方，所述第二电极在所述压电层上方，并且所述间隙在所述第一电极和所述压电层之间。3.如权利要求1所述的体声波器件，其中，所述压电层在所述第一电极上方，所述第二电极在所述压电层上方，并且所述间隙在所述第二电极和所述压电层之间。4.如权利要求1至3中任一项所述的体声波器件，其中，所述凸起框架结构包括在所述中间区域外部且在所述悬置框架内部的内部凸起框架部分。5.如权利要求4所述的体声波器件，其中，所述悬置框架具有高于所述内部凸起框架部分的高度的高度。6.如权利要求4至5中任一项所述的体声波器件，其中，所述凸起框架结构包括在所述间隙的至少一部分上方延伸的凸起框架层。7.如权利要求6所述的体声波器件，其中，所述凸起框架层向所述间隙的内部延伸以形成所述凸起框架结构的所述内部凸起框架部分的至少一部分。8.如权利要求6至7中任一项所述的体声波器件，其中，所述凸起框架层具有比所述第一电极、所述第二电极和所述压电层中的至少一个更低的声阻抗。9.如权利要求1至8中任一项所述的体声波器件，还包括在所述第一电极、所述第二电极、所述压电层和所述凸起框架结构上方的钝化层。10.如权利要求9所述的体声波器件，包括位于所述凸起框架结构和所述中间区域之间的凹陷框架区域，所述凹陷框架区域处的所述钝化层比所述中间区域处的更薄。11.如权利要求9至10中任一项所述的体声波器件，还包括设置在所述钝化层的一部分上方的导电层，所述导电层的一部分延伸到所述钝化层中的开口中以电接触所述第二电极。12.如权利要求11所述的体声波器件，其中，所述钝化层中的所述开口直接位于所述间隙上方。13.如权利要求1至12中任一项所述的体声波器件，其中，所述间隙的一部分横向向外延伸经过所述压电层的端部。14....

【专利技术属性】
技术研发人员：黄宰申，J，
申请(专利权)人：天工全球私人有限公司，
类型：发明
国别省市：