双端口SRAM单元和设计其的方法技术

提供双端口静态随机存取存储器(SRAM)单元及设计其的方法。所述双端口SRAM单元包括：P型有源图案，沿第一方向彼此间隔开，P型有源图案中的每个沿与第一方向垂直的第二方向延伸并且包括至少一个晶体管。P型有源图案包括沿第一方向顺序地布置的第一P型有源图案至第六P型有源图案。第一切割区设置在第二P型有源图案与所述双端口SRAM单元的沿第一方向延伸的第一边界之间，并且第二切割区设置在第五P型有源图案与相对第一边界并且沿第一方向延伸的第二边界之间。的第二边界之间。的第二边界之间。

【技术实现步骤摘要】
双端口SRAM单元和设计其的方法
[0001]本申请基于并要求于2021年10月12日提交到韩国知识产权局的第10
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2021
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0135305号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。


[0002]本公开涉及双端口静态随机存取存储器(SRAM)单元和设计双端口静态随机存取存储器的方法，更具体地，涉及包括由切割单元切割的有源图案的双端口SRAM的布局。

技术介绍

[0003]半导体技术正在持续地发展以减小尺寸，增大集成度，增大容量，增加速度并提供稳定的操作。半导体制造者的努力已经带来在微处理器技术、微装置技术和电路设计技术中带来进步，并且显著的成就正在半导体存储器单元的技术中被做出。
[0004]与单端口SRAM相比能够执行高速读取和写入操作的双端口SRAM已经被开发。在单端口SRAM中，一个单位存储器单元包括六个晶体管(即，两个加载晶体管、两个驱动晶体管和两个激活晶体管)，并且可顺序地执行读取和写入操作。双端口SRAM被配置为在双模式下同时地执行多于一个读取和写入操作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双端口静态随机存取存储器单元，包括：多个P型有源图案，沿第一方向彼此间隔开，所述多个P型有源图案中的每个沿与第一方向垂直的第二方向延伸并且包括至少一个晶体管，其中，所述多个P型有源图案包括：顺序地沿第一方向布置的第一P型有源图案、第二P型有源图案、第三P型有源图案、第四P型有源图案、第五P型有源图案和第六P型有源图案，其中，第一切割区设置在第二P型有源图案与沿第一方向延伸的所述双端口静态随机存取存储器单元的第一边界之间，并且第二切割区设置在第五P型有源图案与相对第一边界并且沿第一方向延伸的第二边界之间。2.根据权利要求1所述的双端口静态随机存取存储器单元，其中，第一切割区设置在第一P型有源图案与第一边界之间，并且第二切割区设置在第六P型有源图案与第二边界之间。3.根据权利要求1所述的双端口静态随机存取存储器单元，还包括：第一栅电极，设置在第二P型有源图案上并且沿第一方向延伸；第二栅电极，设置在第五P型有源图案上，沿第一方向延伸，并且沿第一方向与第一栅电极间隔开；第三栅电极，设置在第三P型有源图案上，沿第一方向与第二栅电极间隔开，并且沿第一方向与第二栅电极对齐；以及第四栅电极，设置在第四P型有源图案上，沿第一方向与第一栅电极间隔开，并且沿第一方向与第一栅电极对齐。4.根据权利要求3所述的双端口静态随机存取存储器单元，其中，第一栅电极在第一方向上从第二P型有源图案延伸到第三P型有源图案，并且第二栅电极在第一方向上从第四P型有源图案延伸到第五P型有源图案。5.根据权利要求3所述的双端口静态随机存取存储器单元，其中，第一P型有源图案和第三P型有源图案在第二方向上具有相同高度，并且所述双端口静态随机存取存储器单元还包括：第五栅电极，设置在第一P型有源图案上，沿第一方向与第三栅电极对齐，并且沿第一方向与第三栅电极间隔开。6.根据权利要求5所述的双端口静态随机存取存储器单元，其中，第一栅电极在第一方向上从第一P型有源图案延伸到第三P型有源图案，并且第二栅电极在第一方向上从第四P型有源图案延伸到第六P型有源图案。7.根据权力要求3所述的双端口静态随机存取存储器单元，还包括：有源接触件，在第一方向上从第一P型有源图案延伸到第三P型有源图案；以及节点形成图案，在第二方向上延伸，并且被配置为连接有源接触件和第二栅电极。8.根据权利要求7所述的双端口静态随机存取存储器单元，其中，有源接触件和节点形成图案包括相同材料并且具有设置在相同水平处的顶表面。9.根据权利要求1所述的双端口静态随机存取存储器单元，其中，第二P型有源图案在第一方向上的宽度不同于第三P型有源图案在第一方向上的宽度。10.根据权利要求9所述的双端口静态随机存取存储器单元，其中，第二P型有源图案在第一方向上的宽度大于第三P型有源图案在第一方向上的宽度。
11.根据权利要求1所述的双端口静态随机存取存储器单元，其中，第三P型有源图案在第一方向上的宽度从第一边界到第二边界是恒定的。12.根据权利要求1所述的双端口静态随机存取存储器单元，其中，设置在所述多个P型有源图案中的每个上的所述至少一个晶体管是全环绕栅极场效应晶体管或鳍式场效应晶体管。13.一种位单元，包括：多个有源图案，沿第一方向彼此间隔开，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李于晋，文大英，唐昊莹，金兑衡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：