直接飞时测距模组及其制作方法技术

技术编号:37251133 阅读:32 留言:0更新日期:2023-04-20 23:29
本发明专利技术提供一种直接飞时测距模组,其包括有:一基板、一晶片组件、一发射雷射组件以及一成型层。该晶片组件以及该发射雷射组件分别连接于该基板二侧,该晶片组件更以一焊线与该基板电讯连接。而该成型层以压模封胶制程制作于该基板表面上,且包覆该晶片组件、该发射雷射组件以及该焊线。由于该成型层仅有150微米(μm),可达到将本发明专利技术直接飞时测距模组进行薄型化的功效。化的功效。化的功效。

【技术实现步骤摘要】
直接飞时测距模组及其制作方法


[0001]本专利技术属于一种飞时测距模组,特别是指一种以压模封胶制程使模组薄型化的直接飞时测距模组及其制作方法。

技术介绍

[0002]现今的智能电话、平板电脑或其他手持装置搭配有光学模组,来达成手势侦测、三维(3D)成像或近接侦测或者相机对焦等功能。操作时,飞行时间(TOF)感测器向场景中发射近红外光,利用光的飞行时间信息,测量场景中物体的距离。飞行时间(TOF)感测器的优点是深度信息计算量小,抗干扰性强,测量范围远,因此已经渐渐受到青睐。
[0003]而飞行时间(TOF)感测器的核心组件包含:光源,特别是红外线垂直共振腔面射雷射(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL);光感测器,特别是单光子雪崩二极体(Single Photon Avalanche Diode,SPAD);和时间至数字转换器(Time to Digital Converter,TDC)。SPAD是一种具有单光子探测能力的光电探测雪崩二极体,只要有微弱的光信号就能产生电流。飞行时间(T本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直接飞时测距模组,其特征在于,包括有:基板;晶片组件,与所述基板相连接,所述晶片组件位于所述基板一侧,包括有:晶片本体,具有开槽,且以焊线与所述基板电讯连接;单光子崩溃二极体,位于所述开槽内;第一窄带滤光片,连接于所述晶片本体上,且覆盖所述单光子崩溃二极体;第一黑树脂层,覆盖所述第一窄带滤光片,所述第一黑树脂层具有第一开孔,所述第一开孔位置与所述单光子崩溃二极体位置相对应;发射雷射组件,与所述基板相连接,所述发射雷射组件位于所述基板另一侧,包括有:垂直腔面发射雷射体,与所述基板相连接;第二窄带滤光片,覆盖所述垂直腔面发射雷射体;第二黑树脂层,覆盖所述第二窄带滤光片,所述第二黑树脂层具有第二开孔;成型层,与所述基板相连接,且覆盖所述晶片组件以及所述发射雷射组件,所述成型层表面与所述基板相距有高度。2.如权利要求1所述的直接飞时测距模组,其特征在于,所述基板厚度为150微米、所述高度为150微米以及所述晶片本体厚度为70微米。3.如权利要求1所述的直接飞时测距模组,其特征在于,所述基板为印刷电路板或软性印刷电路板。4.如权利要求1所述的直接飞时测距模组,其特征在于,所述成型层为环氧树脂、酚醛树脂、聚丁烯对苯二甲酸脂树脂类所制成,且所述成型层透光率大于70%。5.如权利要求1所述的直接飞时测距模组,其特征在于,所述焊线为金、银或铜所制成。6.如权利要求1所述的直接飞时测距模组,其特征在于,所述第一窄带滤光片厚度以及所述第二窄带滤光片厚度皆为0.1微米至10微米之间,且以有机材质或无机材质所制成。7.如权利要求1所述的直接飞时测距模组,其特征在于,所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:张俊德刘忠武
申请(专利权)人:业泓科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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