一种离子输出量监控设备、监测方法及离子注入设备技术

本申请公开了一种离子输出量监控设备、离子注入设备、离子输出量监测方法及电子设备，在等离子发生装置与电子束监测装置之间设置磁力发生装置，磁力发生装置所产生的磁感线方向与负电子的运动方向垂直，用于将未与电子束反应的负电子进行偏转，以使得未与电子束反应的负电子远离等离子发生装置的电子输出端，其中，所述负电子由所述等离子发生装置所产生。由此，在避免对电子束路径产生影响的基础上，利用弱磁力，对负电子实现偏转，有效的解决负电子回流问题。同时，磁力发生装置设置在机台空置区域，可以实现方便无障碍的安装，对现有机台的整体运行无影响。机台的整体运行无影响。机台的整体运行无影响。

【技术实现步骤摘要】
一种离子输出量监控设备、监测方法及离子注入设备


[0001]本申请涉及离子注入
，尤其涉及一种离子输出量监控设备、离子注入设备、离子输出量监测方法及电子设备。

技术介绍

[0002]Plasma(负电子)用于中和beam(电子束)中的正电子，使注入到wafer(晶圆)上的离子最后成电中性，Plasma是离子注入的主要指标。Plasma由PFG(Plasma Flood Gun，等离子枪)通过灯丝加电，产生大量的Plasma。实际生产过程中，为了完全中和正电离子，PFG通常被设计为过饱和提供plasma。也即，通常PFG所提供的Plasma的量会大于beam所需要的Plasma量，由beam决定需要中和的Plasma。
[0003]但是，目前对于Plasma的量没有有效的测量手段。若PFG产生大量的Plasma，离子注入的空间中存在大量的负电子，这将对机台前端的beam测量值产生较大影响，使得测量出现较大偏差。若PFG出现问题使得Plasma供源不足时，将导致wafer上积累大量正电荷，对电子器件特性产生较大影响，严重时将导致电子器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子输出量监控设备，其特征在于，所述设备包括：磁力发生装置，设置于等离子发生装置与电子束监测装置之间，所述磁力发生装置所产生的磁感线方向与负电子的运动方向垂直，用于将未与电子束反应的所述负电子进行偏转，以使得未与电子束反应的所述负电子远离所述等离子发生装置的电子输出端，所述负电子由所述等离子发生装置所产生。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，磁力发生装置包括：两个磁极不同的磁体；石墨，设置于两个所述磁体之间。3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述磁力发生装置还包括：绝缘体，设置于所述磁体的外侧，用于固定所述磁力发生装置。4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述设备还包括：电流监测装置，与所述磁力发生装置连接，用于监测所述磁力发生装置所产生的电流变化。5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，所述设备还包括：控制装置，与所述电流检测装置连接，用于根据所述电流变化，确定所述等离子发生装置所产生的所述负电子的量是否正常。6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述控制装置还用于在所述等离子发生装置所产生的所述负电子的量异常时，控制关闭离子注入设备并发出提醒。7.一种离子注入设备，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏文华，李振雨，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：