保护基板的制备方法及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种保护基板的制备方法及显示装置，制备方法包括：首先提供初始基板，之后对初始基板进行等离子表面处理，使初始基板的至少一个表面为防眩光表面，得到保护基板，其中，保护基板的防眩光表面具有第二粗糙度，且第二粗糙度的粗糙度范围在6Ra至500Ra之间；上述保护基板的制备方法通过对初始基板进行等离子表面处理，以使初始基板的至少一个表面为防眩光表面，且防眩光表面的粗糙度范围在6Ra至500Ra之间，可以在不影响保护基板的透明度的同时，有效地降低了保护基板表面的光线反射率，防止保护基板表面产生眩光效果，进而提高了显示装置的显示效果。了显示装置的显示效果。了显示装置的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
保护基板的制备方法及显示装置


[0001]本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种保护基板的制备方法及显示装置。

技术介绍

[0002]对于许多显示器表面，往往需要减少镜面反射(眩光的重要因素)，对设计室外用产品的制造商来说尤其如此，室外日光会加剧眩光。一种用来减少镜面反射强度的方法是使得玻璃表面变粗糙或者用有纹理的膜覆盖玻璃表面。该粗糙度或纹理的尺寸应当足够大，以便对可见光进行散射，由此形成略微模糊或消光的表面，但是又不能过大，以免显著影响玻璃的透明度。
[0003]目前使玻璃表面变粗糙的一种方法是使用有纹理或含颗粒的聚合物膜。然而，这些聚合物膜易磨损，这会削弱显示装置的显示功能。使玻璃表面变粗糙的另一种方法是化学蚀刻。湿蚀刻法是一种能够在玻璃上形成防眩光表面、同时能够保持玻璃本身具有的表面机械性质的方法。然而，湿蚀刻法只适用于具有不同溶解性微结构区域的玻璃，其对于在缺乏此类不同溶解性微结构区域的其他显示玻璃(例如碱土铝硅酸盐和混合的碱性硼硅酸盐，以及含例如锂、钠、钾等组分或其组合的碱性和混合碱性铝硅酸盐)上产生均匀、防眩光表面是效率低下的。
[0004]因此，亟需一种保护基板的制备方法及显示装置以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于，提供一种保护基板的制备方法及显示装置，用于改善现有技术的保护基板容易产生眩光的技术问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种保护基板的制备方法，制备方法包括：
[0007]提供初始基板；/>[0008]对初始基板进行等离子表面处理，使初始基板的至少一个表面为防眩光表面，得到保护基板；
[0009]其中，保护基板的防眩光表面具有第二粗糙度，且第二粗糙度的粗糙度范围在6Ra至500Ra之间。
[0010]在本专利技术实施例提供的保护基板的制备方法中，在第一表面处理之前，初始基板的至少一个表面具有第一粗糙度；
[0011]其中，当第一粗糙度的粗糙度小于6Ra时，在进行等离子表面处理过程中，可通过减小气体流量、射频功率或压强中的一种或者几种来降低等离子体的密度，同时通过增加处理时间来增加初始基板表面的粗糙度。
[0012]在本专利技术实施例提供的保护基板的制备方法中，对初始基板进行等离子表面处理所采用的气体为氧气、四氟化碳、氮气或氩气中的一种或几种。
[0013]在本专利技术实施例提供的保护基板的制备方法中，对初始基板进行等离子表面处理所采用的射频功率范围在1kw至10kw之间。
[0014]在本专利技术实施例提供的保护基板的制备方法中，对初始基板进行等离子表面处理所采用的离子轰击角度的角度范围在0
°
至180
°
之间。
[0015]在本专利技术实施例提供的保护基板的制备方法中，采用等离子处理装置系统对初始基板进行等离子表面处理，等离子处理装置系统包括物料小车、真空等离子设备、循环水冷机以及真空泵组；
[0016]其中，物料小车用于承载初始基板，真空等离子设备用于对初始基板进行等离子表面处理，循环水冷机用于对真空等离子设备内的等离子电极板进行冷却，真空泵组用于给真空等离子设备提供真空环境。
[0017]在本专利技术实施例提供的保护基板的制备方法中，采用等离子处理装置系统对初始基板进行等离子表面处理的步骤还包括：
[0018]启动钥匙开关，进入真空等离子设备的触摸屏控制界面；
[0019]通过触摸屏控制界面设置第一参数配方并调用至真空等离子设备中，第一参数配方包括气体流量参数、射频功率参数、压强参数以及时间参数中的一种或者几种；
[0020]通过物料小车将初始基板转移至真空等离子设备的真空腔室内；
[0021]通过触摸屏控制界面启动真空等离子设备，对初始基板进行等离子表面处理，得到保护基板。
[0022]在本专利技术实施例提供的保护基板的制备方法中，对初始基板进行等离子表面处理之前，还包括对初始基板的至少一个表面进行紫外光照臭氧处理。
[0023]在本专利技术实施例提供的保护基板的制备方法中，初始基板包括钠钙硅酸盐玻璃、碱土铝硅酸盐玻璃、碱性铝硅酸盐玻璃、碱性硼硅酸盐玻璃、硼铝硅酸盐玻璃或其组合中的至少一种。
[0024]相应地、本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括如上任一项的保护基板的制备方法制备而成的保护基板。
[0025]本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术提供一种保护基板的制备方法及显示装置，制备方法包括：首先提供初始基板，之后对初始基板进行等离子表面处理，使初始基板的至少一个表面为防眩光表面，得到保护基板，其中，保护基板的防眩光表面具有第二粗糙度，且第二粗糙度的粗糙度范围在6Ra至500Ra之间；上述保护基板的制备方法通过对初始基板进行等离子表面处理，以使初始基板的至少一个表面为防眩光表面，且防眩光表面的粗糙度范围在6Ra至500Ra之间，可以在不影响保护基板的透明度的同时，有效地降低了保护基板表面的光线反射率，防止保护基板表面产生眩光效果，进而提高了显示装置的显示效果。
附图说明
[0026]图1是本专利技术实施例所提供的保护基板的制备方法的流程示意图；
[0027]图2为本专利技术实施例所提供的保护基板的制备方法的结构示意图；
[0028]图3是本专利技术实施例所提供的保护基板的制备方法中等离子处理装置系统的结构示意图；
[0029]图4是本专利技术实施例所提供的保护基板的制备方法中真空等离子设备的正面示意图；
[0030]图5是本专利技术实施例所提供的保护基板的制备方法中使用等离子处理装置系统对初始基板进行等离子表面处理的流程示意图。
具体实施方式
[0031]下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本专利技术保护的范围。
[0032]现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
[0033]请参阅图1以及图2，图1是本专利技术实施例所提供的保护基板20的制备方法的流程示意图，图2为本专利技术实施例所提供的保护基板20的制备方法的结构示意图；具体地，上述保护基板20的制备方法包括：
[0034]S10，提供初始基板10；具体地，S10还包括：
[0035]首先，提供一初始基板10，如图2所示；其中，初始基板10包括钠钙硅酸盐玻璃、碱土铝、硅酸盐玻璃、碱性铝硅酸盐玻璃、碱性硼硅酸盐玻璃、硼铝硅酸盐玻璃或其组合中的至少一种。
[0036]进一步地，初始基板10具有第一粗糙度，且第一粗糙度不在第二粗糙度的范围之外。
[0037]S20，对初始基板10进行等离子表面处理，使初始基板10的至少一个表面为防眩光表面201，得到保护基板20；具体地，S20还包括：
[0038]首先，对初始基板10的至少一个表面进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种保护基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供初始基板；对所述初始基板进行等离子表面处理，使所述初始基板的至少一个表面为防眩光表面，得到保护基板；其中，所述保护基板的防眩光表面具有第二粗糙度，且所述第二粗糙度的粗糙度范围在6Ra至500Ra之间。2.根据权利要求1所述的保护基板的制备方法，其特征在于，在所述第一表面处理之前，所述初始基板的至少一个表面具有第一粗糙度；其中，当所述第一粗糙度的粗糙度小于6Ra时，在进行等离子表面处理过程中，可通过减小气体流量、射频功率或压强中的一种或者几种来降低等离子体的密度，同时通过增加处理时间来增加初始基板表面的粗糙度。3.根据权利要求2所述的保护基板的制备方法，其特征在于，对所述初始基板进行等离子表面处理所采用的气体为氧气、四氟化碳、氮气或氩气中的一种或几种。4.根据权利要求2所述的保护基板的制备方法，其特征在于，对所述初始基板进行等离子表面处理所采用的射频功率范围在1kw至10kw之间。5.根据权利要求2所述的保护基板的制备方法，其特征在于，对所述初始基板进行等离子表面处理所采用的离子轰击角度的角度范围在0
°
至180
°
之间。6.根据权利要求2所述的保护基板的制备方法，其特征在于，采用等离子处理装置系统对所述初始基板进行等离子表面处理，所述等离子处理装置系统包括物料小...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖红星，程灿，
申请(专利权)人：湖北优尼科光电技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：