含挥发性有机化合物制程废气的净化处理系统技术方案

本实用新型专利技术提供了一种含挥发性有机化合物制程废气的净化处理系统，其包括至少一净化处理单元、及焚化处理单元；所述净化处理单元包含有第一净化处理设备及设置于所述第一净化处理设备下游端的第二净化处理设备；所述各个净化处理设备圆轮状表面分别被区分为吸附区、冷却区及脱附区，用以处理吸附制程废气中的挥发性有机化合物，随后可再利用脱附气体将净化处理设备中的挥发性有机化合物脱附，并输送至所述焚化处理单元中焚烧处理，借此能够移除制程废气中98％以上的挥发性有机化合物。除制程废气中98％以上的挥发性有机化合物。除制程废气中98％以上的挥发性有机化合物。

【技术实现步骤摘要】
含挥发性有机化合物制程废气的净化处理系统


[0001]本申请涉及一种用于处理含挥发性有机化合物废气的净化系统，特别涉及一种包括净化处理设备及焚化处理设备的含挥发性有机化合物制程废气的净化处理系统。

技术介绍

[0002]随着半导体及光电技术的蓬勃发展，也带动了国家的科技产业在近年快速的成长；相对地，在另一方面，却也衍生了许多与环保息息相关的问题，特别是在半导体组件或光电组件的制程多半需要利用化学反应完成，在生产过程中会排放大量含有挥发性有机物(VOCs,VolatileOrganicCompounds)，而这些VOCs绝大部份属于有害性的空气污染物(HazardousAirPollutants；HAPs)，人体长期暴露于含高浓度VOCs的环境中会有产生中毒及致癌性肿瘤等反应。再者，存在在大气中的VOCs会产生光化学反应，导致大气中臭氧浓度升高及产生高氧化性污染物。因此，这些含有挥发性有机物的废气排放前必须先加以处理，不可直接排放到大气中，避免造成环境危害。
[0003]由于半导体制造业和光电业的废气排放量大，且VOCs的浓度属中低范围，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含挥发性有机化合物制程废气的净化处理系统，其特征在于，包括：至少一个净化处理单元，其包含有一第一净化处理设备以及设置于所述第一净化处理设备的下游端的一第二净化处理设备，其中，所述第一净化处理设备为具有整体可被区分为一第一吸附区、一第一冷却区、及一第一脱附区的旋转式轮状构造，所述第二净化处理设备为具有整体能够被区分为一第二吸附区、一第二冷却区、及一第二脱附区的旋转式轮状构造；以及一焚化处理单元，其是至少具有一焚化设备并且与所述净化处理单元的所述第一净化处理设备及/或所述第二净化处理设备相互连通；其中所述第一吸附区是供导入所述制程废气，用以吸附所述制程废气中的至少一部分挥发性有机化合物并送出一第一过滤气体；所述第二吸附区是供导入所述第一过滤气体，用以吸附第一过滤气体中的至少一部分挥发性有机化合物并送出一第二过滤气体；所述第一冷却区是供导入一第一冷却气体，用以使进行脱附后导致升温的所述第一净化处理设备降温，所述第一冷却气体为所述制程废气的一部分分流或外部气体；所述第二冷却区是供导入一第二冷却气体，用以使进行脱附后导致升温的所述第二净化处理设备降温，所述第二冷却气体为所述第一过滤气体的一部分分流或外部气体；所述第一脱附区是供导入一第一脱附气体，用以脱附所述第一净化处理设备所吸附的挥发性有机化合物并送出一第一VOC浓缩气体；所述第二脱附区是供导入一第二脱附气体，用以脱附所述第二净化处理设备所吸附的挥发性有机化合物并送出一第二VOC浓缩气体；所述第一净化处理设备的所述第一吸附区、所述第一冷却区、及所述第一脱附区的面积比为10：1：1或6：1：1；所述第二净化处理设备的所述第二吸附区、所述第二冷却区、及所述第二脱附区的面积比为10：1：1或6：1：1；以及所述焚化设备是用以焚烧所述第一VOC浓缩气体中的挥发性有机化合物而生成一焚...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄锦烽，
申请(专利权)人：庄锦烽，
类型：新型
国别省市：