线性补偿偏置电路制造技术

本发明专利技术公开了一种线性补偿偏置电路，其包括线性调节单元与温度补偿单元，线性调节单元分别与射频放大器及一外部电源连接，温度补偿单元分别与线性调节单元及另一外部电源连接，且温度补偿单元邻近于射频放大器的功率管；线性调节单元包括第一电阻、第二电阻及第一晶体管，第一电阻一端与功率管的基极连接，另一端与第一晶体管的发射极连接，第一晶体管的基极与第二电阻的一端连接，第二电阻的另一端与一外部电源连接，第一晶体管的集电极与温度补偿单元连接。本发明专利技术的线性补偿偏置电路可对射频放大器进行温度补偿与大信号线性补偿，使得射频放大器的温度更稳定，功率管的线性度更好，提升了射频放大器电路的动态性能调节能力。提升了射频放大器电路的动态性能调节能力。提升了射频放大器电路的动态性能调节能力。

【技术实现步骤摘要】
线性补偿偏置电路


[0001]本专利技术涉及射频微波领域，更具体地涉及一种线性补偿偏置电路。

技术介绍

[0002]随着移动通信技术的不断发展，新移动通信系统(5G)对数据传输速率提出了更高的要求，需要高宽带调制信号进行数据传输，这增大了线性射频功率放大器设计的难度。
[0003]射频功率放大器工作时，随着功率放大器工作时间及射频输入信号的增加，放大器的温度逐渐升高，功率管芯根据其物理特性(PN节温度上升，发射区中电子受热激发，漂移电子总数随温度升高而增加)使放大器电流增加，影响放大器工作状态，进而影响放大器的线性度(随着晶体管的工作状态的变化逐渐降低)。此时需要通过偏置电路提供额外的电流补偿来提升电路线性度，其中，图1为现有的线性补偿偏置电路的电路结构示意图；如图1所示，晶体管HBT1、HBT2、HBT3组成电流镜，电流镜和电容C1组成了线性偏置电路，晶体管HBT1、电阻R3和电容C1起到线性化的作用。当输入信号增大时，功率管HBT0的基极静态偏置电压V
BE(0)
减小，且有射频信号泄漏至偏置电路。泄漏信号通过晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种线性补偿偏置电路，适应于射频放大器，其特征在于，包括线性调节单元与温度补偿单元，所述线性调节单元分别与射频放大器及一外部电源连接，用以调节所述射频放大器的线性度，所述温度补偿单元分别与所述线性调节单元及另一外部电源连接，且所述温度补偿单元邻近于射频放大器的功率管，用以感应所述功率管的温度变化并根据温度变化情况实时对所述功率管进行温度补偿；所述线性调节单元包括第一电阻、第二电阻及第一晶体管，所述第一电阻一端与所述功率管的基极连接，另一端与所述第一晶体管的发射极连接，所述第一晶体管的基极与第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与一外部电源连接，所述第一晶体管的集电极与所述温度补偿单元连接。2.如权利要求1所述的线性补偿偏置电路，其特征在于，所述线性调节单元还包括一电感，所述电感连接于所述第一电阻与第一晶体管的发射极之间。3.如权利要求1所述的线性补偿偏置电路，其特征在于，所述线性调节单元还包括第一电容与第二电容，所述第一电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔博华，张宗楠，王鹏，邓小东，周竣峰，
申请(专利权)人：四川和芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：