【技术实现步骤摘要】
供电电路及功率放大装置
[0001]本申请涉及电路
,具体而言,本申请涉及一种供电电路及功率放大装置。
技术介绍
[0002]5G时代,频率进一步提升,运营商频段已拓展到3.3GHz~3.6GHz以及4.8GHz~5GHz。同时,为了提升基站的覆盖范围,高功率需求也显著提升。LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)芯片功率放大器具有高功率特性,但无法满足高频特性。GaAs(砷化镓)芯片功率放大器具有高频特性,但无法满足高功率特性。而GaN(氮化镓)芯片功率放大器,同时具有高功率密度及高频特性。凭借这一特点,GaN芯片功率放大器的市场规模正不断扩大。
[0003]目前相关技术中的GaN芯片功率放大器的供电电路的可靠性较差。
技术实现思路
[0004]本申请针对现有方式的缺点,提出一种供电电路及功率放大装置。
[0005]第一方面,本申请实施例提供了一种供电电路,供电电路与GaN芯片功率放大器连接,供电电路包括:
[0006]电压转换单元,用于接收第一电压,输出若干第二电压和若干监控信号,若干第二电压与若干监控信号相对应,第二电压小于第一电压;
[0007]栅极电压输出单元,分别与电压转换单元和GaN芯片功率放大器连接,用于基于若干第二电压,输出栅极电压至GaN芯片功率放大器;
[0008]逻辑控制单元,与电压转换单元连接,用于基于第三电压和若干监控信号,输出第一使能信号;
[0009]漏极电压输出单元,分别与逻辑控制单元和GaN芯片功率放大器连接,漏极 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种供电电路,用于给GaN芯片功率放大器供电,其特征在于,包括:电压转换单元,用于接收第一电压,输出若干第二电压和若干监控信号,所述若干第二电压与所述若干监控信号相对应,所述第二电压小于所述第一电压;栅极电压输出单元,分别与所述电压转换单元和所述GaN芯片功率放大器连接,用于基于所述若干第二电压,输出栅极电压至所述GaN芯片功率放大器;逻辑控制单元,与所述电压转换单元连接,用于基于第三电压和所述若干监控信号,输出第一使能信号;漏极电压输出单元,分别与所述逻辑控制单元和所述GaN芯片功率放大器连接,所述漏极电压输出单元包括电流检测模块和开关模块,所述电流检测模块和所述开关模块均设置在所述第一电压至所述GaN芯片功率放大器的传输线上;所述电流检测模块用于监测所述GaN芯片功率放大器的漏极电流;所述漏极电压输出单元用于基于所述第一使能信号,控制所述开关模块闭合,将所述第一电压经由所述电流检测模块和所述开关模块传输至所述GaN芯片功率放大器,为所述GaN芯片功率放大器提供漏极电压;当所述电流检测模块监测到所述GaN芯片功率放大器的漏极电流大于预设漏极电流时,控制所述开关模块关断,停止为所述GaN芯片功率放大器提供漏极电压。2.根据权利要求1所述的供电电路,其特征在于,所述漏极电压输出单元还包括:输入模块、控制模块和泄放模块;所述输入模块,与所述逻辑控制单元连接,用于接收所述第一电压和所述第一使能信号,输出开启信号;所述电流检测模块用于监测所述GaN芯片功率放大器的漏极电流,并输出电流检测信号;所述控制模块,分别与所述输入模块、所述电流检测模块和所述开关模块连接,用于接收所述第一电压、所述开启信号和所述电流检测信号,基于所述开启信号,控制所述开关模块闭合,将所述第一电压经由所述电流检测模块和所述开关模块传输至所述GaN芯片功率放大器,为所述GaN芯片功率放大器提供漏极电压;基于所述电流检测信号,控制所述开关模块关断,停止为所述GaN芯片功率放大器提供漏极电压;所述泄放模块,分别与所述输入模块、所述开关模块和所述GaN芯片功率放大器连接,用于当所述开关模块关断时,将所述GaN芯片功率放大器接收的漏极电压泄放掉。3.根据权利要求2所述的供电电路,其特征在于,所述输入模块包括:第一开关电路,与所述逻辑控制单元连接,用于接收所述第一电压,基于所述第一使能信号,执行闭合或断开操作,输出第二使能信号;第二开关电路,分别与所述第一开关电路和所述控制模块连接,用于接收所述第一电压,基于所述第二使能信号,执行闭合或断开操作,输出开启信号至所述控制模块。4.根据权利要求3所述的供电电路,其特征在于,所述第一开关电路包括第一晶体管和第一电阻;所述第一晶体管的基极接收所述第一使能信号,所述第一晶体管的集电极经由所述第一电阻接收所述第一电压,所述第一晶体管的发射极与接地端连接。5.根据权利要求3所述的供电电路,其特征在于,所述第二开关电路包括第二晶体管、
第二电阻、第三电阻和第四电阻;所述第二晶体管的基极与所述第一开关电路连接,用于接收所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:李福绅,李兴华,邓浩浩,
申请(专利权)人:广州全盛威信息技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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