供电电路及功率放大装置制造方法及图纸

技术编号:37242863 阅读:13 留言:0更新日期:2023-04-20 23:23
本申请实施例提供了一种供电电路及功率放大装置。供电电路与GaN芯片功率放大器连接,供电电路包括电压转换单元、栅极电压输出单元、逻辑控制单元和漏极电压输出单元,电压转换单元用于接收第一电压,输出若干第二电压和若干监控信号,栅极电压输出单元分别与电压转换单元和GaN芯片功率放大器连接,用于基于若干第二电压,输出栅极电压至GaN芯片功率放大器;逻辑控制单元与电压转换单元连接,用于基于第三电压和若干监控信号,输出第一使能信号;漏极电压输出单元分别与逻辑控制单元和GaN芯片功率放大器连接,用当监测到GaN芯片功率放大器的漏极电流大于预设漏极电流时,控制开关模块关断,停止为GaN芯片功率放大器提供漏极电压,以实现自动断电保护。以实现自动断电保护。以实现自动断电保护。

【技术实现步骤摘要】
供电电路及功率放大装置


[0001]本申请涉及电路
,具体而言,本申请涉及一种供电电路及功率放大装置。

技术介绍

[0002]5G时代,频率进一步提升,运营商频段已拓展到3.3GHz~3.6GHz以及4.8GHz~5GHz。同时,为了提升基站的覆盖范围,高功率需求也显著提升。LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)芯片功率放大器具有高功率特性,但无法满足高频特性。GaAs(砷化镓)芯片功率放大器具有高频特性,但无法满足高功率特性。而GaN(氮化镓)芯片功率放大器,同时具有高功率密度及高频特性。凭借这一特点,GaN芯片功率放大器的市场规模正不断扩大。
[0003]目前相关技术中的GaN芯片功率放大器的供电电路的可靠性较差。

技术实现思路

[0004]本申请针对现有方式的缺点,提出一种供电电路及功率放大装置。
[0005]第一方面,本申请实施例提供了一种供电电路,供电电路与GaN芯片功率放大器连接,供电电路包括:
[0006]电压转换单元,用于接收第一电压,输出若干第二电压和若干监控信号,若干第二电压与若干监控信号相对应,第二电压小于第一电压;
[0007]栅极电压输出单元,分别与电压转换单元和GaN芯片功率放大器连接,用于基于若干第二电压,输出栅极电压至GaN芯片功率放大器;
[0008]逻辑控制单元,与电压转换单元连接,用于基于第三电压和若干监控信号,输出第一使能信号;
[0009]漏极电压输出单元,分别与逻辑控制单元和GaN芯片功率放大器连接,漏极电压输出单元包括电流检测模块和开关模块,电流检测模块和开关模块均设置在第一电压至GaN芯片功率放大器的传输线上;电流检测模块用于监测GaN芯片功率放大器的漏极电流;
[0010]漏极电压输出单元用于基于第一使能信号,控制开关模块闭合,将第一电压经由电流检测模块和开关模块传输至GaN芯片功率放大器,为GaN芯片功率放大器提供漏极电压;当电流检测模块监测到GaN芯片功率放大器的漏极电流大于预设漏极电流时,控制开关模块关断,停止为GaN芯片功率放大器提供漏极电压。
[0011]在一种可能的实现方式中,漏极电压输出单元还包括:输入模块、控制模块和泄放模块;
[0012]输入模块,与逻辑控制单元连接,用于接收第一电压和第一使能信号,输出开启信号;
[0013]电流检测模块用于监测GaN芯片功率放大器的漏极电流,并输出电流检测信号;
[0014]控制模块,分别与输入模块、电流检测模块和开关模块连接,用于接收第一电压、开启信号和电流检测信号,基于开启信号,控制开关模块闭合,将第一电压经由电流检测模块和开关模块传输至GaN芯片功率放大器,为GaN芯片功率放大器提供漏极电压;基于电流
检测信号,控制开关模块关断,停止为GaN芯片功率放大器提供漏极电压;
[0015]泄放模块,分别与输入模块、开关模块和GaN芯片功率放大器连接,用于当开关模块关断时,将GaN芯片功率放大器接收的漏极电压泄放掉。
[0016]在一种可能的实现方式中,输入模块包括:
[0017]第一开关电路,与逻辑控制单元连接,用于接收第一电压,基于第一使能信号,执行闭合或断开操作,输出第二使能信号;
[0018]第二开关电路,分别与第一开关电路和控制模块连接,用于接收第一电压,基于第二使能信号,执行闭合或断开操作,输出开启信号至控制模块。
[0019]在一种可能的实现方式中,第一开关电路包括第一晶体管和第一电阻;
[0020]第一晶体管的基极接收第一使能信号,第一晶体管的集电极经由第一电阻接收第一电压,第一晶体管的发射极与接地端连接。
[0021]在一种可能的实现方式中,第二开关电路包括第二晶体管、第二电阻、第三电阻和第四电阻;
[0022]第二晶体管的基极与第一开关电路连接,用于接收第二使能信号,并经由的第二电阻与第二晶体管的发射极连接;
[0023]第二晶体管的发射极与接地端连接;
[0024]第二晶体管的集电极与控制模块连接,并经由第三电阻接收第一电压,经由第四电阻与接地端连接。
[0025]在一种可能的实现方式中,电流检测模块包括第五电阻;
[0026]第五电阻的一端接收第一电压,并与控制模块的电源端连接;
[0027]第五电阻的另一端与控制模块的感应端连接,并与第二开关模块的一端连接。
[0028]在一种可能的实现方式中,泄放模块包括:第三开关电路、第四开关电路和电阻模块;
[0029]第三开关电路,分别与第一开关电路、开关模块和GaN芯片功率放大器连接,用于基于第二使能信号,执行闭合或断开操作,输出开关控制信号;
[0030]第四开关电路,分别与第三开关电路、开关模块和GaN芯片功率放大器连接,用于基于开关控制信号,执行闭合或断开操作;
[0031]电阻模块,分别与第四开关电路和接地端连接,用于当第四开关电路执行闭合操作时,将GaN芯片功率放大器的漏极电压泄放掉。
[0032]在一种可能的实现方式中,第三开关电路包括:第三晶体管、第六电阻和第七电阻;
[0033]第三晶体管的基极与第一开关电路连接,用于接收第二使能信号;
[0034]第三晶体管的集电极与第六电阻的一端连接,第六电阻的另一端与第七电阻的一端连接,并与第四开关电路连接,用于输出开关控制信号;
[0035]第七电阻R202的另一端与开关模块、GaN芯片功率放大器连接。
[0036]在一种可能的实现方式中,电压转换单元包括:
[0037]第一降压模块,用于接收第一电压,并将第一电压转换为第四电压;
[0038]第二降压模块,与第一降压模块连接,用于将第四电压转换为若干第二电压和若干监控信号;第二电压与监控信号一一对应。
[0039]在一种可能的实现方式中,第二降压模块包括:
[0040]第一低压差电源模块,与第一降压模块连接,用于基于第四电压,输出第一组第二电压和监控信号;
[0041]第二低压差电源模块,与第一降压模块连接,用于基于第四电压,输出第二组第二电压和监控信号;
[0042]第三低压差电源模块,与第一降压模块连接,用于基于第四电压,输出第三组第二电压和监控信号。
[0043]在一种可能的实现方式中,逻辑控制单元包括第一逻辑与模块以及第二逻辑与模块;
[0044]第一逻辑与模块的第一输入端接收第二组的监控信号,第一逻辑与模块的第二输入端接收第三组的监控信号;
[0045]第一逻辑与模块的输出端和第二逻辑与模块的第一输入端连接,第二逻辑与模块的第二输入端接收第一组的监控信号;
[0046]第二逻辑与模块的输出端用于输出第一使能信号;
[0047]第一逻辑与模块的电源端、第二逻辑与模块的电源端均接收第三电压。
[0048]第二方面,本申请实施例提供了一种功率放大装置,包括GaN芯片功率放大器和第一方面本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种供电电路,用于给GaN芯片功率放大器供电,其特征在于,包括:电压转换单元,用于接收第一电压,输出若干第二电压和若干监控信号,所述若干第二电压与所述若干监控信号相对应,所述第二电压小于所述第一电压;栅极电压输出单元,分别与所述电压转换单元和所述GaN芯片功率放大器连接,用于基于所述若干第二电压,输出栅极电压至所述GaN芯片功率放大器;逻辑控制单元,与所述电压转换单元连接,用于基于第三电压和所述若干监控信号,输出第一使能信号;漏极电压输出单元,分别与所述逻辑控制单元和所述GaN芯片功率放大器连接,所述漏极电压输出单元包括电流检测模块和开关模块,所述电流检测模块和所述开关模块均设置在所述第一电压至所述GaN芯片功率放大器的传输线上;所述电流检测模块用于监测所述GaN芯片功率放大器的漏极电流;所述漏极电压输出单元用于基于所述第一使能信号,控制所述开关模块闭合,将所述第一电压经由所述电流检测模块和所述开关模块传输至所述GaN芯片功率放大器,为所述GaN芯片功率放大器提供漏极电压;当所述电流检测模块监测到所述GaN芯片功率放大器的漏极电流大于预设漏极电流时,控制所述开关模块关断,停止为所述GaN芯片功率放大器提供漏极电压。2.根据权利要求1所述的供电电路,其特征在于,所述漏极电压输出单元还包括:输入模块、控制模块和泄放模块;所述输入模块,与所述逻辑控制单元连接,用于接收所述第一电压和所述第一使能信号,输出开启信号;所述电流检测模块用于监测所述GaN芯片功率放大器的漏极电流,并输出电流检测信号;所述控制模块,分别与所述输入模块、所述电流检测模块和所述开关模块连接,用于接收所述第一电压、所述开启信号和所述电流检测信号,基于所述开启信号,控制所述开关模块闭合,将所述第一电压经由所述电流检测模块和所述开关模块传输至所述GaN芯片功率放大器,为所述GaN芯片功率放大器提供漏极电压;基于所述电流检测信号,控制所述开关模块关断,停止为所述GaN芯片功率放大器提供漏极电压;所述泄放模块,分别与所述输入模块、所述开关模块和所述GaN芯片功率放大器连接,用于当所述开关模块关断时,将所述GaN芯片功率放大器接收的漏极电压泄放掉。3.根据权利要求2所述的供电电路,其特征在于,所述输入模块包括:第一开关电路,与所述逻辑控制单元连接,用于接收所述第一电压,基于所述第一使能信号,执行闭合或断开操作,输出第二使能信号;第二开关电路,分别与所述第一开关电路和所述控制模块连接,用于接收所述第一电压,基于所述第二使能信号,执行闭合或断开操作,输出开启信号至所述控制模块。4.根据权利要求3所述的供电电路,其特征在于,所述第一开关电路包括第一晶体管和第一电阻;所述第一晶体管的基极接收所述第一使能信号,所述第一晶体管的集电极经由所述第一电阻接收所述第一电压,所述第一晶体管的发射极与接地端连接。5.根据权利要求3所述的供电电路,其特征在于,所述第二开关电路包括第二晶体管、
第二电阻、第三电阻和第四电阻;所述第二晶体管的基极与所述第一开关电路连接,用于接收所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:李福绅李兴华邓浩浩
申请(专利权)人:广州全盛威信息技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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