一种衬底切换电路与半导体结构制造技术

本申请公开了一种衬底切换电路与半导体结构，其中电路包括比较器模块，用于根据输入的第一电压以及第二电压之间的电压差，产生高电平或者低电平；电平转换器，用于将所述高电平或者低电平转换为所述驱动级反相器的输入模拟信号；驱动级反相器，用于将所述输入模拟信号转化为功率开关模块的第一控制信号或者第二控制信号；功率开关模块，用于根据所述第一控制信号以及所述第二控制信号，输出所述第一电压或者所述第二电压，以使衬底的电压。本方法可以通过比较器模块、电平转换器、驱动级反相器以及功率开关模块将输入衬底切换电路的不同输入电压转化为衬底的电压，可以节约成本。本申请可广泛应用于半导体电路设计技术领域内。域内。域内。

【技术实现步骤摘要】
一种衬底切换电路与半导体结构


[0001]本申请涉及半导体电路设计
，尤其是一种衬底切换电路与半导体结构。

技术介绍

[0002]在CMOS工艺中，设计电路中通常PMOS的衬底是某个电压域下的最高电压，PMOS器件的衬底和源端的压差也就是衬偏电压会影响PMOS的阈值电压，而且在PMOS的关断状态或者防漏电的情况下，也需要确保衬底电压和栅端的电压足够高。因此在电源电压不同的设计中，如果确保PMOS衬底电压和栅端电压的切换，是低功耗设计和升压电路设计中的至关重要的部分。
[0003]现有技术中，目前其中的常见一种方式是如图1所示，采用简单的2个二极管进行实现。该技术的特点是不能够确保PMOS的衬底电压是2个电压中最高的，而且PMOS的栅端控制端电压也不是最高的。这种情况下，PMOS衬底电压可能为VIN减去一个二极管电压，或者电池电压减去一个二极管电压，这两种情况下都不能正确的控制关断PMOS；
[0004]另外，根据CN202111161432.7描述的另一个现有实现方案，参照图2，其特点是包括了：迟滞比较器，反相器，2层NM本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种衬底切换电路，其特征在于，包括：比较器模块，用于根据输入的第一电压以及第二电压之间的电压差，产生高电平或者低电平；电平转换器，用于将所述高电平或者低电平转换为驱动级反相器的输入模拟信号；驱动级反相器，用于将所述输入模拟信号转化为功率开关模块的第一控制信号或者第二控制信号；功率开关模块，用于根据所述第一控制信号以及所述第二控制信号，输出所述第一电压或者所述第二电压，以使衬底的电压。2.根据权利要求1所述一种衬底切换电路，其特征在于，还包括滤波模块；所述滤波模块的第一输出端外接衬底切换电路的输出端；所述滤波模块的第二输出端外接低电平。3.根据权利要求1所述一种衬底切换电路，其特征在于，所述功率开关模块包括第五MOS管以及第六MOS管；所述第五MOS管的漏极外接所述第一电压的输入端，所述第五MOS管的栅极与所述驱动级反相器的第四输出端连接，所述第五MOS管的源极外接衬底切换电路的输出端；所述第六MOS管的漏极外接所述第二电压的输入端，所述第六MOS管的栅极与所述驱动级反相器的第三输出端连接，所述第六MOS管的源极外接衬底切换电路的输出端。4.根据权利要求3所述一种衬底切换电路，其特征在于，所述驱动级反相器包括：第一MOS管、...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫昌文，
申请(专利权)人：佛山巨晟微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：