一种坩埚制造技术

本发明专利技术公开了一种坩埚，具体涉及单晶硅生长设备技术领域，包括坩埚和提拉装置，所述坩埚外表面开设有凹槽，所述凹槽自所述坩埚顶面的第一位置向所述坩埚底部延伸并经过所述坩埚外底面后向所述坩埚顶部延伸至所述坩埚顶面的第二位置，所述第一位置与所述第二位置不重合，所述提拉装置的一部分能够嵌入到所述凹槽中。本发明专利技术的坩埚方便拆卸，能够提高设备的使用寿命，降低使用成本。降低使用成本。降低使用成本。

【技术实现步骤摘要】
一种坩埚


[0001]本专利技术涉及单晶硅生长设备
，特别是涉及一种坩埚。

技术介绍

[0002]单晶硅是硅的单晶体，具有优良的物理、化学、机械及半导体性能，因此被作为基础材料广泛用于大规模集成电路、半导体器件以及光伏太阳能电池制造过程中。
[0003]目前，单晶硅的制备是将高纯度的多晶硅原料放入石英坩埚中，石英坩埚放置在碳/碳复合材料坩埚或石墨坩埚内通过高温将多晶硅熔化，然后，对熔化的硅液稍做降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体(称作籽晶)插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长。
[0004]由于石英坩埚的形状是仿形贴合碳/碳复合材料坩埚或石墨坩埚内型面而成，而石英坩埚经过高温会软化变形，导致其与碳/碳复合材料坩埚或石墨坩埚内表面贴合十分紧密，因此，当单晶硅的制备完成后，需要更换新石英坩埚继续生产时，常通过外力敲击等机械方式才能剥离旧石英坩埚，这种方式会对碳/碳复合材料坩埚或石墨坩埚造成损伤，存在安全隐患，缩短的碳/碳复合材料坩埚或者石墨坩埚的使用寿命，也提高了使用成本。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种坩埚，以解决上述现有技术存在的问题，方便拆卸，提高设备的使用寿命，降低使用成本。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
[0007]本专利技术提供一种坩埚，包括坩埚和提拉装置，所述坩埚外表面开设有凹槽，所述凹槽自所述坩埚顶面的第一位置向所述坩埚底部延伸并经过所述坩埚外底面后向所述坩埚顶部延伸至所述坩埚顶面的第二位置，所述第一位置与所述第二位置不重合，所述提拉装置的一部分能够嵌入到所述凹槽中。
[0008]优选的，所述凹槽包括依次设置且连通的第一侧壁凹槽、底面凹槽和第二侧壁凹槽，所述第一侧壁凹槽自所述坩埚顶面的第一位置延伸至所述坩埚底部，所述底面凹槽开设于所述坩埚外底面上，所述第二侧壁凹槽自所述坩埚底部延伸所述坩埚顶面的第二位置，且所述第一侧壁凹槽的底面沿长度方向的中心线与所述第二侧壁凹槽的底面沿长度方向的中心线关于所述坩埚的轴线对称，且所述第一侧壁凹槽的底面沿长度方向的中心线、所述第二侧壁凹槽的底面沿长度方向的中心线和所述坩埚的轴线位于一中心剖面上。
[0009]优选的，所述凹槽设置多条。
[0010]优选的，所述凹槽开设有两条，分别为第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽的所述中心剖面与所述第二凹槽的所述中心剖面垂直。
[0011]优选的，所述第一凹槽与所述第二凹槽的宽度相同。
[0012]优选的，所述凹槽的底面为平面或弧形面。
[0013]优选的，所述提拉装置为碳绳或金属绳。
[0014]优选的，所述坩埚为石英坩埚。
[0015]本专利技术相对于现有技术取得了以下技术效果：
[0016]本专利技术提供一种坩埚，在坩埚的外表面开设有自坩埚顶面的第一位置向坩埚底部延伸并经过坩埚外底面后向坩埚顶部延伸至坩埚顶面与第一位置不重合的第二位置的凹槽，并将提拉装置的一部分嵌入到凹槽中，通过人工拉起位于凹槽外部的提拉装置，能够轻松地使高温软化后的坩埚从碳/碳复合材料坩埚或石墨坩埚脱离，方便对坩埚进行清理，避免机械外力敲击对碳/碳复合材料坩埚或者石墨坩埚造成损伤。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本实施例的一种坩埚的结构示意图；
[0019]图2为本实施例的一种坩埚的正视图；
[0020]图3为图2坩埚的仰视图；
[0021]图4为图2坩埚的俯视图；
[0022]图5为图4中沿A
‑
A的剖视图；
[0023]图6为图5中B部分凹槽的放大图。
[0024]图中：1
‑
坩埚；2
‑
凹槽；3
‑
第一侧壁凹槽；4
‑
第二侧壁凹槽；5
‑
底面凹槽。
具体实施方式
[0025]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]本专利技术的目的是提供一种坩埚，以解决上述现有技术存在的问题，方便拆卸，提高设备的使用寿命，降低使用成本。
[0027]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0028]实施例1
[0029]如图1
‑
4所示，本实施例提供一种坩埚，包括坩埚1和提拉装置，坩埚1外表面开设有凹槽2，凹槽2自坩埚顶面的第一位置向坩埚底部延伸并经过坩埚外底面后向坩埚顶部延伸至坩埚顶面的第二位置，第一位置与第二位置不重合，提拉装置的一部分能够嵌入到贯穿槽2中，先将提拉装置嵌在凹槽2中，再将坩埚放入碳/碳复合材料坩埚或石墨坩埚的加热设备中，当单晶硅的制备完成后，需要更换新坩埚1继续生产时，通过人工拉起位于凹槽2外部的提拉装置，能够轻松地使高温软化后的坩埚1从碳/碳复合材料坩埚或石墨坩埚脱离，方便对坩埚1进行清理和替换，避免了机械外力敲击对碳/碳复合材料坩埚或者石墨坩埚造成损伤。
[0030]如图5所示，本实施例中进一步优选的，凹槽2包括依次设置且连通的第一侧壁凹槽3、底面凹槽5和第二侧壁凹槽4，第一侧壁凹槽3自坩埚1顶面的第一位置延伸至坩埚1底部，底面凹槽5开设于坩埚1外底面上，第二侧壁凹槽4自坩埚1底部延伸坩埚1顶面的第二位置，且第一侧壁凹槽3的底面沿长度方向的中心线与第二侧壁凹槽4的底面沿长度方向的中心线关于坩埚1的轴线对称，且第一侧壁凹槽3的底面沿长度方向的中心线、第二侧壁凹槽4的底面沿长度方向的中心线和坩埚5的轴线位于一中心剖面上，即第一侧壁凹槽3的底面沿长度方向的中心线与第二侧壁凹槽4的底面沿长度方向的中心线关于坩埚的轴线180
°
对称，使嵌在凹槽2中的提拉装置能够竖直地提起坩埚1，避免在提起过程中坩埚1因不平衡发生倾斜，导致坩埚1受损。
[0031]本实施例中进一步优选的，凹槽2能够设置多条，多条凹槽2内都能够嵌入提拉装置，人工从碳/碳复合材料坩埚或石墨坩埚提拉出坩埚1更加轻松省力，当凹槽2开设有两条，分别为第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽的中心剖面与第二凹槽的中心剖面垂直，即第一凹槽的第一侧壁凹槽与第二凹槽的第一侧壁凹槽关于所述坩埚的轴线90
°
对称，嵌入在第一凹槽和第二凹槽内的两个提拉装置能够相互垂直，保证提起坩埚1时的平衡度更高。
[0032]本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种坩埚，其特征在于：包括坩埚和提拉装置，所述坩埚外表面开设有凹槽，所述凹槽自所述坩埚顶面的第一位置向所述坩埚底部延伸并经过所述坩埚外底面后向所述坩埚顶部延伸至所述坩埚顶面的第二位置，所述第一位置与所述第二位置不重合，所述提拉装置的一部分能够嵌入到所述凹槽中。2.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于：所述凹槽包括依次设置且连通的第一侧壁凹槽、底面凹槽和第二侧壁凹槽，所述第一侧壁凹槽自所述坩埚顶面的第一位置延伸至所述坩埚底部，所述底面凹槽开设于所述坩埚外底面上，所述第二侧壁凹槽自所述坩埚底部延伸所述坩埚顶面的第二位置，且所述第一侧壁凹槽的底面沿长度方向的中心线与所述第二侧壁凹槽的底面沿长度方向的中心线关于所述坩埚的轴线...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟辉，姜勇，徐雄，徐爱日，
申请(专利权)人：晶源新材料内蒙古有限公司，
类型：发明
国别省市：