一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器制造技术

本发明专利技术涉及射频微波技术领域，具体涉及是一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器，包括滤波器本体，滤波器本体内设置有滤波器工作部，其中滤波器工作部内设置有至少一个谐振腔，谐振腔中用于接收微波信号的谐振腔和用于输出微波信号的谐振腔分别位于滤波器工作部内的两侧，其余谐振腔位于以上两个谐振腔之间；每个谐振腔内均设置有YIG薄膜结构，YIG薄膜结构正面设置有正面耦合带线组，YIG薄膜结构背面设置有背面耦合带线组，YIG薄膜结构包括YIG薄膜和基片，通过在基板上设置正面耦合带线组和背面耦合带线组，形成带线上下耦合型结构，进一步提升了滤波器的输入输出端之间的隔离度，增加了滤波器的带外抑制。加了滤波器的带外抑制。加了滤波器的带外抑制。

【技术实现步骤摘要】
一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器


[0001]本专利技术涉及射频微波
，具体涉及是一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器。

技术介绍

[0002]YTF是基于YIG旋磁材料的可调谐器件，由YIG谐振电路以及磁路构成，其特点是窄带宽，高带外抑制，可电调谐。其工作原理是由YIG材料构成的谐振电路在外加磁场的激励下，产生谐振频率，从而实现该频点的滤波功能，通过改变磁场强度来改变谐振器的谐振频率，实现调谐功能。
[0003]从二十世纪六十年代至今，国外对 YTF工作原理、微波电路设计、磁路设计、耦合设计、YIG 材料配方、制作工艺等进行了深入的研究。同时以美国为代表的西方国家在这个
开展了大量的研究工作，并且已经形成了系列化产品广泛应用于军事电子装备如EW 的侦察接收、ECM 和 ECCM等系统中，其YTF技术已达到了一个相当高的水平。美国已相继研制出从 L 波段到 K 波段的一系列旋磁滤波器，并已广泛应用于军事装备系统与高端测量仪器中。在这个研究领域，目前已有Watkins
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Johnson 公司、Avantek公司、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器，包括滤波器本体（1），所述滤波器本体（1）内设置有滤波器工作部（19），其特征在于，所述滤波器工作部（19）内设置有至少一个谐振腔（20），且每个谐振腔（20）内设置有YIG薄膜层；所述YIG薄膜层上方设置有正面耦合带线组，YIG薄膜层下方设置有背面耦合带线组；所述YIG薄膜层包括多个YIG薄膜结构，且用于接收输入微波信号的YIG薄膜结构与用于输出微波信号的YIG薄膜结构间设置有隔板（12），YIG薄膜结构包括YIG薄膜（21）。2.根据权利要求1所述的一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器，其特征在于，所述谐振腔（20）内还设置有基板（17），所述YIG薄膜层设于基板（17）正面，YIG薄膜层包括第一YIG薄膜结构（2）、第二YIG薄膜结构（3）、第三YIG薄膜结构（4）和第四YIG薄膜结构（5），所述第一YIG薄膜结构（2）为用于接收输入微波信号的YIG薄膜结构，第四YIG薄膜结构（5）为用于输出微波信号的YIG薄膜结构，且第一YIG薄膜结构（2）与第四YIG薄膜结构（5）间设置有隔板（12）。3.根据权利要求2所述的一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器，其特征在于，所述第一YIG薄膜结构（2）和第四YIG薄膜结构（5）位于谐振腔（20）同一侧。4.根据权利要求1至3之一权利要求所述的一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器，其特征在于，所述背面耦合带线组包括第一耦合带线（10）和第二耦合带线（11），且通过电镀的方式设于基板（17）上。5.根据权利要求4所述的一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器，其特征在于，所述第一耦合带线（10）位于第一YIG薄膜结构（2）和第二YIG薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜姗姗，刘畅，王明，杨青慧，
申请(专利权)人：成都威频科技有限公司，
类型：发明
国别省市：