一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器制造技术

本发明专利技术涉及射频微波技术领域，具体涉及是一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器，包括滤波器本体，滤波器本体内设置有滤波器工作部，其中滤波器工作部内设置有至少一个谐振腔，谐振腔中用于接收微波信号的谐振腔和用于输出微波信号的谐振腔分别位于滤波器工作部内的两侧，其余谐振腔位于以上两个谐振腔之间；每个谐振腔内均设置有YIG薄膜结构，YIG薄膜结构正面设置有正面耦合带线组，YIG薄膜结构背面设置有背面耦合带线组，YIG薄膜结构包括YIG薄膜和基片，通过在基板上设置正面耦合带线组和背面耦合带线组，形成带线上下耦合型结构，进一步提升了滤波器的输入输出端之间的隔离度，增加了滤波器的带外抑制。加了滤波器的带外抑制。加了滤波器的带外抑制。

【技术实现步骤摘要】
一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器


[0001]本专利技术涉及射频微波
，具体涉及是一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器。

技术介绍

[0002]YTF是基于YIG旋磁材料的可调谐器件，由YIG谐振电路以及磁路构成，其特点是窄带宽，高带外抑制，可电调谐。其工作原理是由YIG材料构成的谐振电路在外加磁场的激励下，产生谐振频率，从而实现该频点的滤波功能，通过改变磁场强度来改变谐振器的谐振频率，实现调谐功能。
[0003]从二十世纪六十年代至今，国外对 YTF工作原理、微波电路设计、磁路设计、耦合设计、YIG 材料配方、制作工艺等进行了深入的研究。同时以美国为代表的西方国家在这个
开展了大量的研究工作，并且已经形成了系列化产品广泛应用于军事电子装备如EW 的侦察接收、ECM 和 ECCM等系统中，其YTF技术已达到了一个相当高的水平。美国已相继研制出从 L 波段到 K 波段的一系列旋磁滤波器，并已广泛应用于军事装备系统与高端测量仪器中。在这个研究领域，目前已有Watkins
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Johnson 公司、Avantek公司、Ferretec公司、Micro Lambda 公司、OmniYIG公司等数家公司从事这方面的研究、开发和生产。
[0004]如公开号为CN103346752A的中国专利公开了一种实时修正YIG调谐滤波器扫描调谐非线性的装置，其中使用的YIG调谐滤波器采用的YIG小球作为谐振子，同时目前绝大部分YTF都是采用YIG小球作为谐振子，耦合结构采用耦合环方式，YIG 小球谐振子是通过YIG单晶生长、定向切割、机械化学磨抛工艺制作。由于YIG小球加工和装配工艺复杂，对装配误差要求苛刻，控制不当会造成YTF性能的恶化。并且YIG小球需要手动调节其晶向，以达到最好的微波性能和温度稳定性，但是在实际调试中，YIG小球晶向定向相当困难，不易把握。

技术实现思路

[0005]本专利技术针对以上问题，提供一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器。
[0006]采用的技术方案是，一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器，包括滤波器本体，所述滤波器本体内设置有滤波器工作部，其中所述滤波器工作部内设置有至少一个谐振腔，且每个谐振腔内设置有YIG薄膜层；所述YIG薄膜层上方设置有正面耦合带线组，YIG薄膜层下方设置有背面耦合带线组；所述YIG薄膜层包括多个YIG薄膜结构，且用于接收输入微波信号的YIG薄膜结构与用于输出微波信号的YIG薄膜结构间设置有隔板，YIG薄膜结构包括YIG薄膜。
[0007]进一步的，谐振腔内还设置有基板， YIG薄膜层设于基板正面，YIG薄膜层包括第一YIG薄膜结构、第二YIG薄膜结构、第三YIG薄膜结构和第四YIG薄膜结构，第一YIG薄膜结构为用于接收输入微波信号的YIG薄膜结构，第四YIG薄膜结构为用于输出微波信号的YIG薄膜结构，且第一YIG薄膜结构与第四YIG薄膜结构间设置有隔板。
[0008]进一步的，第一YIG薄膜结构和第四YIG薄膜结构位于谐振腔同一侧。
[0009]进一步的，背面耦合带线组包括第一耦合带线和第二耦合带线，且通过电镀的方式设于基板上。
[0010]可选的，第一耦合带线位于第一YIG薄膜结构和第二YIG薄膜结构背部，第二耦合带线位于第三YIG薄膜结构和第四YIG薄膜结构的背部。
[0011]进一步的，正面耦合带线组包括输入带线、输出带线和悬置带线，输入带线位于第一YIG薄膜结构上方，输出带线位于第四YIG薄膜结构上方，悬置带线位于第二YIG薄膜结构和第三YIG薄膜结构上方。
[0012]可选的，输入带线一端与设于滤波器本体内的输入同轴线连接，输入带线另一端接地，输出带线一端与设于滤波器本体内的输出同轴线连接，输出带线另一端接地，悬置带线两端接地。
[0013]可选的，隔板上开设有穿槽，且输入带线接地的一端和输出带线接地的一端均能进入穿槽。
[0014]可选的，滤波器工作部内还设置有第一方槽和第二方槽，且第一方槽和第二方槽分别靠近第二YIG薄膜结构和第三YIG薄膜结构，第一方槽和第二方槽均通过窄槽与谐振腔连通，悬置带线两端分别插入第一方槽和第二方槽。
[0015]可选的，隔板为金属材料隔板或表面涂覆有导电层的绝缘材料隔板。
[0016]本专利技术的有益效果至少包括以下之一；1、通过使用YIG薄膜作为可调带通滤波器的谐振器，不需要进行谐振器的晶向调节与定位，同时YIG薄膜的制备相对于YIG小球的制备更加容易，降低了对工艺的要求，提升了滤波器的调试效率。
[0017]2、通过在YIG薄膜层上设置正面耦合带线组和背面耦合带线组，形成带线上下耦合型结构，进一步减小了带线之间射频磁场的耦合，增加了滤波器的带外抑制。
[0018]3、通过在用于接收输入微波信号的YIG薄膜结构与用于输出微波信号的YIG薄膜结构间设置有隔板，使得输入端和输出端被隔板进行分开在很大程度上能够保障输入谐振和输出谐振间的隔离度，同时提升了滤波器的工作带宽。
[0019]4、利用带线激励YIG薄膜的方式形成了可调带通滤波器，实现了超宽带可调谐滤波器，不需要加工和焊接精细结构及小尺寸的金属环，工艺人员在组装滤波器效率更高，更容易实现滤波器的批量化生产。
[0020]5、通过在基板上进行电镀耦合带线的方式，使得滤波器装配更简单，装配误差小并且实现更容易。
附图说明
[0021]图1为YIG薄膜结构示意图；图2为滤波器本体正面透视结构示意图；图3为滤波器本体背面透视结构示意图；图4为滤波器工作部正面结构示意图；图5为滤波器工作部背面结构示意图；图6为滤波器在不同磁场下的测试图；其中附图标记1为滤波器本体、2为第一YIG薄膜结构、3为第二YIG薄膜结构、4为第
三YIG薄膜结构、5为第四YIG薄膜结构、7为输入带线、8为输出带线、9为悬置带线、10为第一耦合带线、11为第二耦合带线、12为隔板、13为输入同轴线、14为输出同轴线、15为第一方槽、16为第二方槽、17为基板、19为滤波器工作部、20为谐振腔、21为YIG薄膜、22为基片。
具体实施方式
[0022]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是,在不冲突的情况下,以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0023]需要说明的是,以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想,遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制,其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变,且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0024]如图1至图5所示，一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器，包括滤波器本体1，滤波器本体1内设置有滤波器工作部19，其中滤波本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器，包括滤波器本体（1），所述滤波器本体（1）内设置有滤波器工作部（19），其特征在于，所述滤波器工作部（19）内设置有至少一个谐振腔（20），且每个谐振腔（20）内设置有YIG薄膜层；所述YIG薄膜层上方设置有正面耦合带线组，YIG薄膜层下方设置有背面耦合带线组；所述YIG薄膜层包括多个YIG薄膜结构，且用于接收输入微波信号的YIG薄膜结构与用于输出微波信号的YIG薄膜结构间设置有隔板（12），YIG薄膜结构包括YIG薄膜（21）。2.根据权利要求1所述的一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器，其特征在于，所述谐振腔（20）内还设置有基板（17），所述YIG薄膜层设于基板（17）正面，YIG薄膜层包括第一YIG薄膜结构（2）、第二YIG薄膜结构（3）、第三YIG薄膜结构（4）和第四YIG薄膜结构（5），所述第一YIG薄膜结构（2）为用于接收输入微波信号的YIG薄膜结构，第四YIG薄膜结构（5）为用于输出微波信号的YIG薄膜结构，且第一YIG薄膜结构（2）与第四YIG薄膜结构（5）间设置有隔板（12）。3.根据权利要求2所述的一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器，其特征在于，所述第一YIG薄膜结构（2）和第四YIG薄膜结构（5）位于谐振腔（20）同一侧。4.根据权利要求1至3之一权利要求所述的一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器，其特征在于，所述背面耦合带线组包括第一耦合带线（10）和第二耦合带线（11），且通过电镀的方式设于基板（17）上。5.根据权利要求4所述的一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器，其特征在于，所述第一耦合带线（10）位于第一YIG薄膜结构（2）和第二YIG薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜姗姗，刘畅，王明，杨青慧，
申请(专利权)人：成都威频科技有限公司，
类型：发明
国别省市：