一种上下耦合可调带通滤波器制造技术

本发明专利技术涉及射频微波技术领域，具体涉及是一种上下耦合可调带通滤波器，包括滤波器本体，滤波器本体内设置有滤波器工作部，其中滤波器工作部内设置有至少一个谐振腔，且谐振腔通过耦合带线传递微波信号，每个谐振腔内均设置有YIG薄膜结构，YIG薄膜结构正面设置有正面耦合带线组，YIG薄膜结构背面设置有背面耦合带线组，YIG薄膜结构包括YIG薄膜和基片，通过在基板上设置正面耦合带线组和背面耦合带线组，形成带线上下耦合型结构，进一步提升了滤波器的输入输出端之间的隔离度，增加了滤波器的带外抑制，同时输入端和输出端被隔板进行分开在很大程度上能够保障输入谐振和输出谐振间的隔离度。间的隔离度。间的隔离度。

【技术实现步骤摘要】
一种上下耦合可调带通滤波器


[0001]本专利技术涉及射频微波
，具体涉及是一种上下耦合可调带通滤波器。

技术介绍

[0002]YTF是基于YIG旋磁材料的可调谐器件，由YIG谐振电路以及磁路构成，其特点是窄带宽，高带外抑制，可电调谐。其工作原理是由YIG材料构成的谐振电路在外加磁场的激励下，产生谐振频率，从而实现该频点的滤波功能，通过改变磁场强度来改变谐振器的谐振频率，实现调谐功能。
[0003]从二十世纪六十年代至今，国外对 YTF工作原理、微波电路设计、磁路设计、耦合设计、YIG 材料配方、制作工艺等进行了深入的研究。同时以美国为代表的西方国家在这个
开展了大量的研究工作，并且已经形成了系列化产品广泛应用于军事电子装备如EW 的侦察接收、ECM 和 ECCM等系统中，其YTF技术已达到了一个相当高的水平。美国已相继研制出从 L 波段到 K 波段的一系列旋磁滤波器，并已广泛应用于军事装备系统与高端测量仪器中。在这个研究领域，目前已有Watkins
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Johnson 公司、Avantek公司、MicroL本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种上下耦合可调带通滤波器，包括滤波器本体（1），所述滤波器本体（1）内设置有滤波器工作部（2），其特征在于，所述滤波器工作部（2）内设置有至少一个谐振腔，且所述谐振腔通过耦合带线传递微波信号，每个所述谐振腔内均设置有YIG薄膜结构，所述YIG薄膜结构正面设置有正面耦合带线组，YIG薄膜结构背面设置有背面耦合带线组，YIG薄膜结构包括YIG薄膜（28）。2.根据权利要求1所述的一种上下耦合可调带通滤波器，其特征在于，所述滤波器工作部（2）内设置有四个谐振腔，每个所述谐振腔内均设置有基板，所述YIG薄膜结构固定于基板上，四个所述谐振腔分别为第一谐振腔（3）、第二谐振腔（4）、第三谐振腔（5）和第四谐振腔（6），且第一谐振腔（3）、第二谐振腔（4）、第三谐振腔（5）和第四谐振腔（6）相互隔离，并呈田字排布。3.根据权利要求2所述的一种上下耦合可调带通滤波器，其特征在于，所述第一谐振腔（3）用于接收微波信号，第四谐振腔（6）用于输出微波信号，第一谐振腔（3）和第四谐振腔（6）位于滤波器工作部（2）同一侧，第二谐振腔（4）和第三谐振腔（5）位于滤波器工作部（2）同一侧。4.根据权利要求2或3所述的一种上下耦合可调带通滤波器，其特征在于，所述第一谐振腔（3）内设置有第一YIG薄膜结构（7），第二谐振腔（4）内设置有第二YIG薄膜结构（8），第三谐振腔（5）内设置有第三YIG薄膜结构（9），第四谐振腔（6）内设置有第四YIG薄膜结构（10），所述基板包括第一基板（11）和第二基板（14），所述第一基板（11）设于第一谐振腔（3）和第二谐振腔（4）内，且第一YIG薄膜结构（7）和第二YIG薄膜结构（8）均位于第一基板（11）上，所述第二基板（14）设于第三谐振腔（5）和第四谐振腔（6）内，且第三YIG薄膜结构（9）和第四YIG薄膜结构（10）均位于第二基板（14）上。5.根据权利要求4所述的一种上下耦合可调带通滤波器，其特征在于，所述正面耦合带线组包括输入带线（23）、输出带线（24）...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜姗姗，刘畅，王明，杨青慧，
申请(专利权)人：成都威频科技有限公司，
类型：发明
国别省市：