氡暴露早期损伤诊断分子标志物及其用途制造技术

本发明专利技术公开了一种氡暴露早期损伤诊断分子标志物及其用途，所述氡暴露早期损伤诊断分子标志物为mRNA分子TXNDC2、PADI1、SYP、ZSCAN10；mRNA及非编码RNA在肿瘤的发生发展中起着重要的调控作用，本发明专利技术的氡暴露早期损伤诊断mRNA分子标志物可在早期对氡暴露损伤提出预警，避免在不可逆转的阳性病变后才能被发现；且可为后期因氡暴露α粒子损伤提供治疗靶点；同时本发明专利技术的氡暴露损伤诊断mRNA分子标志物可作为试剂盒用于快速检测氡暴露损伤后的血清蛋白。血清蛋白。

【技术实现步骤摘要】
氡暴露早期损伤诊断分子标志物及其用途


[0001]本专利技术属于辐射防护
，具体涉及一种氡暴露早期损伤诊断分子标志物及其用途。

技术介绍

[0002]氡(Rn)及其子体是存在于环境中的天然辐射源，占人类接受天然本底照射总剂量的一半。在封闭空间(如矿井)中人为活动可导致受照剂量的增加。由于氡的短寿命子体大部分在呼吸道内衰变，释放的α粒子主要对支气管上皮细胞产生辐射照射，可能诱发细胞突变导致癌症的发生。氡致肺癌已经被大量人群流行病学研究所证实。氡及其子体被国际癌症研究机构(IARC)归为Ⅰ类致癌因素，成为位居吸烟之后的第二大致癌因素，其也是主要的职业照射危害因素。在2013年我国新调整发布的《职业病分类和目录》中，高氡暴露所致肺癌是唯一被明确的放射性肿瘤类型。铀矿工是主要的高氡暴露人群，铀矿工的个人剂量在核燃料循环领域居于首位。因此，铀矿工氡致肺癌成为核工业职业健康管理关注的主要职业病类型。在职业病防治过程中，定期的职业健康体检是健康监护的主要手段，以达到疾病的早发现、早治疗。目前铀矿工体检中的胸部X射线检查和痰细胞涂片病理检查是肺癌筛查的主要指标。然而，这些经典指标仍然停留在整体和组织形态水平的观察，当发现阳性病变时，肺癌已经不可逆地发生发展，尚缺乏氡致肺癌早期预警分子指标。

技术实现思路

[0003]针对现有技术所存在的上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种可在氡暴露损伤早期诊断辐射病变的分子标志物及其用途。
[0004]为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：一种氡暴露早期损伤诊断分子标志物，所述氡暴露早期损伤诊断分子标志物为mRNA分子TXNDC2、PADI1、SYP、ZSCAN10。
[0005]进一步地，所述氡暴露早期损伤为氡暴露α粒子辐射损伤。
[0006]进一步地，所述氡暴露早期损伤为氡暴露α粒子累积照射对人支气管上皮细胞BEAS
‑
2B转录组表达损伤。
[0007]进一步地，所述氡暴露早期损伤分子标志物在人体外周血血清中提取。
[0008]本专利技术还提供了一种氡暴露早期损伤诊断分子标志物的用途，所述氡暴露损伤诊断分子标志物用于氡暴露损伤检测试剂盒。
[0009]进一步地，所述mRNA分子TXNDC2、PADI1、SYP、ZSCAN10用于氡暴露损伤检测试剂盒。
[0010]采用本专利技术的技术手段带来的有益效果是，一种氡暴露早期损伤诊断分子标志物，为mRNA分子TXNDC2、PADI1、SYP、ZSCAN10；mRNA及非编码RNA在肿瘤的发生发展中起着重要的调控作用，本专利技术的氡暴露早期损伤诊断mRNA分子标志物可在早期对氡暴露损伤提出预警，避免在不可逆转的阳性病变后才能被发现损伤；可作为后期因氡暴露α粒子早期辐射损伤的治疗靶点；同时本专利技术的氡暴露损伤诊断mRNA分子标志物可作为试剂盒用于快速检
测氡暴露损伤后的血清蛋白。
具体实施方式
[0011]下面结合实施例对本专利技术进行详细的描述。
[0012]实施例一
[0013]本专利技术实施例提供了一种氡暴露损伤诊断分子标志物，所述氡暴露损伤诊断分子标志物为mRNA分子，所述mRNA分子为TXNDC2、PADI1、SYP、ZSCAN10。
[0014]优选地，所述氡暴露损伤为氡暴露α粒子早期辐射损伤。
[0015]优选地，所述氡暴露损伤分子标志物在人体外周血血清中提取。
[0016]优选地，所述氡暴露损伤为氡暴露α粒子早期累积照射对人支气管上皮细胞BEAS
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2B转录组表达损伤。本专利技术实施例在照射后通过细胞增殖活力、细胞周期、细胞凋亡、细胞迁移及侵袭等生物学指标检测，表征确定α粒子照射致人支气管上皮细胞损伤模型的构建。
[0017]本专利技术实施例还提供了一种氡暴露损伤诊断分子标志物的用途，所述氡暴露损伤诊断分子标志物用于氡暴露损伤检测试剂盒。
[0018]优选地，所述mRNA分子TXNDC2、PADI1、SYP、ZSCAN10用于氡暴露损伤检测试剂盒。
[0019]实施例二
[0020]通过利用α粒子照射装置对人支气管上皮细胞BEAS
‑
2B进行分次累积照射，照射后通过细胞增殖活力、细胞周期、细胞凋亡、细胞迁移及侵袭等生物学指标检测，表征确定α粒子照射致人支气管上皮细胞损伤模型的成功构建。通过筛选第二次累积照射和第四次累积照射各处理组细胞模型作为α粒子暴露不同损伤阶段的模型细胞，利用基因芯片确定α粒子累积照射对人支气管上皮细胞BEAS
‑
2B转录组表达的影响，进一步通过对两次照射后各细胞模型中差异表达mRNA分子的比较筛查，确定α粒子照射诱发人支气管上皮细胞损伤潜在分子靶标。
[0021](1)细胞模型的建立
[0022]在BEGM完全培养基中，于37℃、5％CO2条件下培养人支气管上皮细胞BEAS
‑
2B。利用α粒子照射装置进行照射，取对数生长期的BEAS
‑
2B细胞接种于带无菌圆形盖玻片的六孔板中，调整细胞数量为3
×
104个/孔～5
×
104个/孔。置于α粒子照射装置的样品槽中进行α粒子照射。采用分次照射的方式，每次照射后继续传代培养，传代培养10代后再次进行照射，累计照射4次，传代培养40代；每次照射剂量分别为0.1、0.5、2Gy。与对照组细胞相比，经α粒子累积照射2次，传代培养20代的细胞实验组2B
‑
0.1Gy(2)
‑
20、2B
‑
0.5Gy(2)
‑
20、2B
‑
2.0Gy(2)
‑
20，α粒子累积照射诱发人支气管上皮细胞增殖速率升高；使细胞周期呈现从G1期快速向S期转化的趋势；诱导EMT相关蛋白E
‑
Cadherin的下调表达和Vimentin、VEGFA、TGF
‑
β的上调表达；照射细胞呈现随照射次数累加及传代次数增加，其迁移及侵袭能力提高的趋势。表明α粒子累积照射诱发人支气管上皮细胞产生恶性转化的趋势，本专利技术实施例的α粒子分次累积照射致人支气管上皮细胞损伤模型构建成功。
[0023](2)基因芯片分析
[0024]将以上建立的早期损伤细胞模型2B
‑
0.1Gy(2)
‑
20、2B
‑
0.5Gy(2)
‑
20、2B
‑
2Gy(2)
‑
20作为研究对象。提取各组细胞总RNA并进行基因芯片Agilent Human lncRNAV6(4
×
180K，Design ID:084410)检测，利用Genespring12.5软件进行quantile标准化和后续处理。标准
化后的数据进行过滤，在用于比较的每组样本中至少有1组100％标记为Detected的探针留下进行后续本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氡暴露早期损伤诊断分子标志物，其特征是：所述氡暴露早期损伤诊断分子标志物为mRNA分子，所述mRNA分子为TXNDC2、PADI1、SYP、ZSCAN10。2.根据权利要求1所述的一种氡暴露早期损伤诊断分子标志物，其特征是：所述氡暴露早期损伤为氡暴露α粒子辐射损伤。3.根据权利要求1所述的一种氡暴露早期损伤诊断分子标志物，其特征是：所述氡暴露早期损伤为氡暴露α粒子累积照射对人支气管上皮细胞BEAS
‑
2B转录组表达损伤。4.根据权利要求1所述的一种氡暴露早期损伤诊断分子标志物，其特征是：所述氡暴露早期损伤分子标志物在人体外周血血清中提取。5.根据权利要求1～4任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：程娇，刘晓明，党旭红，杨彪，柴栋良，张睿凤，董娟聪，李琳，崔双双，王婧洁，
申请(专利权)人：中国辐射防护研究院，
类型：发明
国别省市：