一种全频段渐变式辐射型漏泄同轴电缆制造技术

技术编号:37195526 阅读:30 留言:0更新日期:2023-04-20 22:54
本发明专利技术公开了一种全频段渐变式辐射型漏泄同轴电缆,涉及电缆加工领域,包括内导体,所述内导体的外壁附着有用于绝缘的绝缘层,所述绝缘层的外壁套设有外导体,所述外导体的外壁附着有对外导体进行绝缘保护的保护套;所述外导体的外壁被分割成若干槽段,每个槽段依次按照固定增量增加槽段距,若干所述槽段均采用八字型分段式槽孔结构;所述八字型分段式槽孔结构均对称分割成2个组,每组布设4个槽孔,每个槽孔采用分段式,将单个槽孔一分为二,形成分段式槽孔;所述八字型分段式槽孔结构的单个组内的槽孔依次按照固定增量增加槽孔距。内的槽孔依次按照固定增量增加槽孔距。内的槽孔依次按照固定增量增加槽孔距。

【技术实现步骤摘要】
一种全频段渐变式辐射型漏泄同轴电缆


[0001]本专利技术涉及电缆加工领域,具体为一种全频段渐变式辐射型漏泄同轴电缆。

技术介绍

[0002]漏泄同轴电缆是具有信号传输作用,又具有天线功能,通过对外导体开口的控制,可将受控的电磁波能量沿线路均匀的辐射出去及接收进来,实现对电磁场盲区的覆盖,以达到移动通信畅通的目的。漏泄同轴电缆有两个重要指标:传输衰减和耦合损耗。漏泄同轴电缆的系统损耗就是指传输衰减和耦合损耗的总和。传输衰减,也叫介入损耗,主要指传输线路的线性损耗,随频率而变化,以分贝/100米表示。耦合损耗是指通过开槽外导体从电缆散发出的电磁波在漏泄同轴电缆和移动接收机之间的路径损耗或信号衰减。因此在实际应用中,尤其是隧道中,对漏泄同轴电缆的研究与选择非常有必要。
[0003]我们现在所使用的漏泄同轴电缆,存在:随着漏泄同轴电缆的长度增加,漏泄同轴电缆的衰减和耦合损耗不好控制,且二者存在着不协调,影响漏泄同轴电缆的穿设质量。为了能够方便控制调节漏泄同轴电缆的衰减和耦合损耗,从而对现有的漏泄同轴电缆进行进一步的研究改进非常必要。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种全频段渐变式辐射型漏泄同轴电缆,其特征在于,包括内导体,所述内导体的外壁附着有用于绝缘的绝缘层,所述绝缘层的外壁套设有外导体,所述外导体的外壁附着有对外导体进行绝缘保护的保护套;所述外导体的外壁被分割成若干槽段,每个槽段依次按照固定增量增加槽段距,若干所述槽段均采用八字型分段式槽孔结构。2.根据权利要求1所述的一种全频段渐变式辐射型漏泄同轴电缆,其特征在于,所述八字型分段式槽孔结构均对称分割成2个组,每组布设4个槽孔,每个槽孔采用分段式,将单个槽孔一分为二,形成分段式槽孔;所述八字型分段式槽孔结构的单个组内的槽孔依次按照固定增量增加槽孔距。3.根据权利要求2所述的一种用于全频段渐变式辐射型漏泄同轴电缆的外导体的刻槽设备,其特征在于,包括设置在支撑平台架上且用于漏泄同轴电缆穿过的通道机构,所述通道机构的一端设置有限位活动机构,所述限位活动机构远离通道机构的一端设置有用于对漏泄同轴电缆的外导体进行刻槽的刻槽机构。4.根据权利要求3所述的一种用于全频段渐变式辐射型漏泄同轴电缆的外导体的刻槽设备,其特征在于,所述通道机构包括通道管道,所述通道管道固定在支撑平台架的顶面一端,漏泄同轴电缆的一端从通道管道靠近支撑平台架的侧壁端进入,从通道管道的另一端穿出且进入到设置在通道管道远离支撑平台架的侧壁端且通心设置的限位锥形套筒,所述限位锥形套筒固定在支撑平台架远离通道管道一侧;所述限位锥形套筒截面小的一端置于在通道管道内,漏泄同轴电缆从通道管道通过,从限位锥形套筒截面小的一端进入,从限位锥形套筒的另一端穿出;所述限位锥形套筒远离通道管道的一端对称设置有限位夹片,漏泄同轴电缆从限位锥形套筒的一端穿出,通过对称设置的限位夹片的限位夹持,进入到限位活动机构。5.根据权利要求4所述的一种用于全频段渐变式辐射型漏泄同轴电缆的外导体的刻槽设备,其特征在于,所述限位活动机构包括第一活动结构和第二活动结构,漏泄同轴电缆从第一活动结构和第二活动结构之间穿过且通过第一活动结构和第二活动结构配合带动下,进入到刻槽机构;所述第一活动结构包括第一传动主轴、第一传动从轴和第一传送带,所述第一传送带通过第一传动主轴和第一传动从轴传动连接,所述第一传动主轴通过转轴与支撑平台架转动连接,...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗仕木谭方为张磊赖玉强
申请(专利权)人:成都大唐线缆有限公司
类型:发明
国别省市:

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