发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、前垒缓冲层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述前垒缓冲层包括依次层叠于所述应力释放层上的Si

【技术实现步骤摘要】
发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管


[0001]本专利技术涉及光电
，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。

技术介绍

[0002]目前，GaN基发光二极管已经大量应用于固态照明领域以及显示领域，吸引着越来越多的人关注。为了获得高质量的GaN外延片，除了衬底使用图形化的蓝宝石衬底，还会在底层与多层量子阱层之间生长应力释放层，一方面可以缓解底层与量子阱之间的应力，另一方面可以减少缺陷延伸，削弱其对量子阱的破坏作用。这种应力释放层相当于是在底层与量子阱之间做了一个插入层，其结构主要是的GaN层与In
x
Ga1‑
x
N循环周期性生长所得，其中Si、In掺浓度与其余层有源区的量子阱、量子垒不尽相同，并且在生长过程中，应力释放层的温度是恒定的，通常介于800℃
‑
900℃之间。
[0003]对于绿光，由于量子阱层中的In含量大幅度上升，量子阱的晶体质量变差，量子阱与量子垒的失配变大，导致其抗ESD的能力下降以及光效的降低。通常的绿光多量子阱与量子垒中，多采用拉高量子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、前垒缓冲层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述前垒缓冲层包括依次层叠于所述应力释放层上的Si
x
N1‑
x
层、Si
y
In
z
Ga1‑
x
‑
y
N层和In
b
Ga1‑
b
N层，其中，x的取值范围为0.1
‑
0.3，y的取值范围为0
‑
0.8，z的取值范围为0
‑
0.8，b的取值范围为0.2
‑
0.6。2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述Si
y
In
z
Ga1‑
x
‑
y
N层包括第一子层、第二子层、第三子层和第四子层；所述第二子层的Si浓度高于所述第一子层，所述第三子层的Si浓度高于所述第四子层；所述第二子层的In浓度低于所述第一子层，所述第三子层的In浓度低于所述第四子层。3.如权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层的y取值范围为0
‑
0.1，z取值范围为0.3
‑
0.6；所述第二子层的y取值范围为0.5
‑
0.8，z取值范围为0
‑
0.1；所述第三子层的y取值范围为0.4
‑
0.7，z取值范围为0.1
‑
0.2；所述第四子层的y取值范围为0
‑
0.2，z取值范围为0.5
‑
0.8。4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述Si
x
N1‑
x
层包括第一Si
x
N1‑
x
层和第二Si
x
N1‑
x
层，所述第一Si
x
N1‑
x
层的生长温度高于所述第二Si
x
N1‑
x
层的生长温度。5.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述Si
x
N1‑
x
层的厚度为3nm
‑
15nm；所述Si
y
In
z
Ga1‑
x
‑
y
N层的厚度为20nm
‑
60nm；所述In
b
Ga1‑
b

【专利技术属性】
技术研发人员：印从飞，张彩霞，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：