实现离子轰击和电子轰击辅助转换的氧等离子体刻蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种实现离子轰击和电子轰击辅助转换的氧等离子体刻蚀方法，具体包括如下步骤：步骤1，测定氧等离子体基片周围磁镜处的悬浮电位V

【技术实现步骤摘要】
实现离子轰击和电子轰击辅助转换的氧等离子体刻蚀方法


[0001]本专利技术属于等离子加工
，涉及一种实现离子轰击和电子轰击辅助转换的氧等离子体刻蚀方法。

技术介绍

[0002]碳材料的表层改性对于拓宽其在微机电系统、生物医学、航天工业和磁存储等领域的应用非常重要。常用的碳材料表面加工方法包括高能质子以及高能电子束照射，高温氧化退火以及紫外光照射等。但高能粒子束轰击对粒子束的发生装置有较高要求，且加工范围较小。高温氧化退火和紫外光照射存在加工过程不可控以及不安全等问题。等离子体加工具有加工过程可控、功能可扩展、高效安全，且可用于大面积大批量处理等优点，可以克服这些问题。尤其是氧等离子体刻蚀加工，由于同碳材料具有较高的化学反应活性，已广泛应用于碳材料的表面改性。
[0003]已报道的氧等离子体刻蚀加工通常能够使碳膜表层的sp3键含量增加，机械性能改善。通过分析发现，在这类刻蚀加工过程中，主要是利用氧等离子体中的正离子轰击碳膜表面，属于离子轰击辅助的氧等离子体刻蚀加工。受加工装置等的局限，如何将氧等离子体中的电子引出轰击碳膜表面进行刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.实现离子轰击和电子轰击辅助转换的氧等离子体刻蚀方法，其特征在于：具体包括如下步骤：步骤1，测定氧等离子体基片周围磁镜处的悬浮电位V
f
；步骤2，对碳膜进行氧等离子体刻蚀加工；步骤3，根据步骤1测定的悬浮电位V
f
进行氧等离子体刻蚀过程中离子轰击和电子轰击的切换。2.根据权利要求1所述的实现离子轰击和电子轰击辅助转换的氧等离子体刻蚀方法，其特征在于：所述步骤1的具体过程为：在ECR加工装置的工作台(10)上放入朗缪尔探针，将加工装置抽取真空后，通过双气路系统(20)在真空腔体(30)中通入氩气和氧气的混合气体，打开磁线圈电流以及微波，将真空腔体(30)中的混合气体电离，激发产生ECR氧等离子体(40)，利用朗缪尔探针测量得到氧等离子体中基片周围磁镜(50)处的悬浮电位V
f
。3.根据权利要求2所述的实现离子轰击和电子轰击辅助转换的氧等离子体刻蚀方法，其特征在于：所述步骤2的具体工程为：在ECR加工装置的工作台(10)上放置...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭美玲，许振涛，赵鹏康，杨振朝，杨明顺，李言，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：