一种MOSFET驱动器可靠性试验评估方法及其电路技术

一种MOSFET驱动器可靠性试验评估方法及其电路，属于集成电路测试领域。包括实时检测方法、电参数检测与评估方法、可靠性检测与评价方法、长期可靠性评价方法，电路系统包括控制系统、测试系统、负载系统、电源系统，所述控制系统输出控制信号到测试系统，测试系统输出负载信号到负载系统，下一级将设备运行状态反馈至前一级，根据反馈信号，输出新的控制指令,电源系统为控制系统、测试系统及负载系统提供电源。控制系统包括直流电源、信号源、控制电路；测试系统包括待测器件、测试电路；负载系统包括模拟负载及显示模块。解决功率MOSFET驱动电路模块可靠性试验评估问题。广泛应用于MOSFET驱动器的电性能测试及可靠性试验中。MOSFET驱动器的电性能测试及可靠性试验中。MOSFET驱动器的电性能测试及可靠性试验中。

【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET驱动器可靠性试验评估方法及其电路


[0001]本专利技术属于集成电路测试领域，进一步来说涉及MOSFET器件驱动器测试领域，具体来说，涉及一种MOSFET驱动器可靠性试验评估方法及其电路。

技术介绍

[0002]随着半导体器件的发展，功率型MOSFET的应用越来广泛，如硅基、SiC基等材料的功率型MOSFET应用越来越多。功率MOSFET必须有前置驱动电路才能正常工作，驱动功率MOSFET的前级驱动器需要考虑MOSFET的诸多因素，不然会很容易导致MOSFET损坏，如MOS管的弥勒效应、GS极间寄生电容的大小、开关频率等等。现有技术中，驱动功率MOSFET的前级驱动器采用混合集成的方式集成为电路模块产品，形成功能模块器件(驱动电路模块)，目前没有对驱动电路模块进行可靠性筛选的试验评估方法及其相关电路。
[0003]为此，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是：解决如何对功率型MOSFET驱动电路模块进行可靠性试验评估的问题。
[0005]本专利技术的专利技术构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET驱动器可靠性试验评估方法，其特征在于，包括如下方法：(1)实时检测方法：对驱动电路模块产品从生产的整个生产过程，对产品进行实时功能性检测，实时检测系统的巡检信号为电流模拟量，并分别记录故障的情况；(2)电参数检测与评估方法:驱动电路模块产品是由不同的分立器件通过一定的电路设计构成的，对驱动电路模块产品的电参数特性进行测试和评估，制定电性能参数测试项目及标准，形成集测试电路、测试程序、测试夹具于一体的综合电参数测试方案；(3)可靠性检测与评价方法：根据驱动电路模块产品的功能及电参数特性，设计适用于驱动电路模块产品的可靠性试验系统；(4)长期可靠性评价方法：通过模拟产品使用状态，进行长期高频次可靠性试验，开关频次达到千次以上，形成长期可靠性评价体系。2.如权利要求1所述的一种MOSFET驱动器可靠性试验评估方法的电路，其特征在于，包括控制系统、测试系统、负载系统、电源系统：所述控制系统输出控制信号到测试系统，测试系统输出负载信号到负载系统，下一级将设备运行状态反馈至前一级，根据反馈信号，输出新的控制指令,电源系统包括直流电源P1、直流电源P2，为控制系统、测试系统及负载系统提供电源；所述控制系统包括控制模块，控制模块包括直流电源P1、信号源、控制电路，为测试系统提供源信号，对试验系统及负载系统发送动作指令，同时对试验系统中采集到的数据进行处理并显示、存储，所述信号源为可调频信号源，使用波形可调、频率可调的PWM模块电路实现，为功率型电压型数字量，最高需要输出36V，负载电流需要5A；所述测试系统包括测试模块，测试模块包括待测器件、测试电路，为负载系统提供负载信号，根据试验环境的要求变换试验环境，所述的测试模块的输入信号IN为两种状态，一种为模块开通时的信号，为脉冲信号，脉宽在100μs到20ms可调；所述负载系统包括负载模块，负载模块包括模拟负载及显示模块，模拟负载为可调电阻，根据产品的使用场景，搭建可调负载系统，根据产品的性能进行调节，显示模块为指示灯，指示灯亮表示产品正常老炼。3.如权利要求2所述的一种MOSFET驱动器可靠性试验评估方法的电路，其特征在于：(1)所述控制系统的设计：MOSFET驱动器输入信号采用双电源设计；输入端采用双电源的方式进行，一组电源采用线性可调电压源，作为输入端主电源，最高电压为36V,另一组电源为可调频信号源主要用于试验电路的频率信号，最高电压为10V；(2)所述测试系统的设计：测试系统包括若干个工位，每个工位包括若干个...

【专利技术属性】
技术研发人员：王曾，蒋兴彪，袁锟，马路遥，杨超平，马星丽，唐启美，
申请(专利权)人：中国振华集团永光电子有限公司国营第八七三厂，
类型：发明
国别省市：