【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及等离子体的产生方法和装置。近来，形成具有很高硬度的碳膜的生产方法，已发展到使用化学气相反应。日本专利申请、申请号是56146936(1981年9月17日申请)，给出了一个这样的例子。这种型式的碳膜由于它的高硬度，提供了一个光滑的抗腐蚀的表面，而很有用。然而使用现有技术的装置和方法，会使一大片面积或一些基片未能同时处理到。尤其是在不平的表面上涂层或处理此表面时，在洼陷的表面部位、只能产生很少的淀积。本专利技术的目的在于提供一种等离子体的产生方法和装置，以便在大面积的处理上，进行等离子体的处理。本专利技术的另一个目的是提供一种等离子体的产生方法和装置，以增加电气装置的生产率。为了实现以上的和其它的目的以及优点，在一对电极之间产生了反应气体的等离子体，高频电源向这对电极供电。一些基片安置于此等离子体空间内，并由交流电源供电。当在一对电极之间施以高频电时、产生辉光放电。提供给基片的交流电的效能是产生溅射作用。在淀积时，溅射的功能是得以淀积一种非晶体的无定形薄膜，並且在蚀刻时、将提高蚀刻速度。与本专利技术相应的淀积碳膜，是例如为一种所谓的类金刚石碳膜，其...
【技术保护点】
一种产生等离子体的方法，包括有：（１）在反应空间中，至少安装一个基片，（２）向所说的反应空间中，供给反应气体，（３）施加高频电能到所说的反应气体，以导至在所说的反应室中，产生等离子体，（４）在所说的基片表面上，进行等离子态反 应，其特征在于：一个频率低于所述高频电源频率的交流电源，在等离子态反应的期间，施加到所述的基片上，为的是加速在所说的基片上的溅射作用。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，土屋光则，川野笃，今任慎二，中下一寿，浜谷敏次，大岛乔，伊藤健二，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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