半导体结构的制备方法及半导体结构技术

本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供基底；于所述基底内形成初始沟槽；对所述初始沟槽底部的所述基底进行离子注入，以形成离子注入区；对所述基底进行热氧化处理，以于所述初始沟槽的底部形成底部为弧形的底部牺牲层；去除所述底部牺牲层，以得到底部为弧形的沟槽。本申请的半导体结构的制备方法可以减小对沟槽的侧推，进而可以保证基于此沟槽进行后续制程工艺时获得的结构的关键尺寸符合要求，并且可以避免因为沟槽底部存在尖角导致出现尖端放电的问题，在将沟槽用作栅极沟槽时可以更好地保护栅极。好地保护栅极。好地保护栅极。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制备方法及半导体结构


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]随着半导体工艺技术的不断改进，器件的特征尺寸也不断按比例缩小，对应的器件沟槽尺寸也变小，而因为沟槽底部边角形状多为具有尖角的形状，会导致施加电压后在沟槽底角出现尖端放电的现象，故通常在沟槽刻蚀后需进一步对沟槽底部进行圆化刻蚀。
[0003]一般工艺进行沟槽圆化刻蚀时，常使用各向同性刻蚀气体对沟槽底部进行刻蚀以去除尖角，但是该方法在沟槽关键尺寸缩小到一定尺寸时存在局限性，譬如利用各向同性刻蚀气体对沟槽底部进行圆化处理时对沟槽的侧推量较为明显，会导致沟槽的尺寸受到严重影响，无法满足沟槽尺寸需求。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对利用各向同性刻蚀气体对沟槽底部进行圆化处理时对沟槽的侧推量较为明显问题提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构。
[0005]为了实现上述目的，一方面，本申请提供了一种半导体结构的制备方法，包括：
[0006]提供基底；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；于所述基底内形成初始沟槽；对所述初始沟槽底部的所述基底进行离子注入，以形成离子注入区；对所述基底进行热氧化处理，以于所述初始沟槽的底部形成底部为弧形的底部牺牲层；去除所述底部牺牲层，以得到底部为弧形的沟槽。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述基底内形成初始沟槽之后，所述对所述初始沟槽底部的所述基底进行离子注入之前，还包括：形成覆盖牺牲层，所述覆盖牺牲层至少覆盖所述初始沟槽的侧壁及底部；所述对所述初始沟槽底部的所述基底进行离子注入之后，所述对所述基底进行热氧化处理之前，还包括：去除位于所述初始沟槽底部的覆盖牺牲层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述去除所述底部牺牲层的同时，还包括：去除位于所述初始沟槽侧壁的覆盖牺牲层。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述基底内形成初始沟槽，包括：于所述基底的表面形成掩膜层，所述掩膜层内具有开口，所述开口定义出所述初始沟槽的形状及位置；基于所述掩膜层刻蚀所述基底，以于所述基底内形成所述初始沟槽；其中，所述覆盖牺牲层还覆盖所述掩膜层远离所述基底的表面；所述去除位于所述初始沟槽底部的覆盖牺牲层的同时，还包括：去除位于所述掩膜层远离所述基底的表面的覆盖牺牲层；去除所述底部牺牲层及所述覆盖牺牲层之后，还包括：去除所述掩膜层。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁婧媛，邵克坚，李明，梁玲，邬瑞彬，赵君红，
申请(专利权)人：上海鼎泰匠芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：