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本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供基底；于所述基底内形成初始沟槽；对所述初始沟槽底部的所述基底进行离子注入，以形成离子注入区；对所述基底进行热氧化处理，以于所述初始沟槽的底部形成底部为弧形的底部牺...
该专利属于上海鼎泰匠芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海鼎泰匠芯科技有限公司授权不得商用。

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