晶圆检测方法与检测设备技术

技术编号:37181296 阅读:12 留言:0更新日期:2023-04-20 22:47
本发明专利技术公开了一种晶圆检测方法与检测设备,通过探针模块对晶圆上的晶粒进行电压的检测。探针模块包括:处理模块、与晶粒的第一电极点耦接的第一探针、及与晶粒的第二电极点耦接的第二探针。第一探针并耦接处理模块,第二探针并耦接接地。处理模块通过第一探针对晶粒提供驱动电流,并取得晶粒对应的检测电压。处理模块基于分别代表正常工作的晶粒的高临界阀值及低临界阀值的二参考电压,对检测电压产生检测结果。检测结果指示出晶粒的运作状态。据此,降低了检测成本且提高了效率。降低了检测成本且提高了效率。降低了检测成本且提高了效率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆检测方法与检测设备


[0001]本专利技术涉及一种晶圆的检测,更具体地讲,本专利技术涉及一种晶圆检测方法与检测设备。

技术介绍

[0002]晶圆检测方式是利用探针与晶粒的电极点形成接触,以进行电性测试。传统上,对于晶圆上每个晶粒的测试来说,除了要使探针与对应的晶粒的电极点形成供电性测试的电性连接路径之外,还需要通过测试装置来执行电性测试的程序。
[0003]举例来说,在对晶粒供给电源后,测试装置会通过晶圆检测设备的探针,对各个晶粒进行数值读取,以取得该晶粒反馈的电性数值,进而用于判定晶粒的品质。
[0004]为了缩短测试的总时间,须要对一个范围内的所有晶粒进行同时检测,然而,由于一个晶粒就会需要占用测试装置的一个信道数,这使得单一测试装置须提供更多的通道数或是同时采用多台的测试装置来达成,这导致了测试成本的增加。

技术实现思路

[0005]在本专利技术公开的一些实施例中,解决了晶圆的检测成本过高的问题。
[0006]在本专利技术公开的一些实施例中,提高了检测效率。
[0007]根据一些实施例,晶圆检测设备包含:探针模块。探针模块包括第一探针、第二探针及处理模块。第一探针被提供来与晶圆上的晶粒的第一电极点形成耦接。第二探针被提供来与晶圆上的晶粒的第二电极点形成耦接。第一探针还耦接处理模块,第二探针还耦接接地。其中,处理模块通过第一探针及第一电极点对晶粒提供驱动电流,并在晶粒被驱动时取得对应的检测电压,处理模块用于基于二参考电压对检测电压产生检测结果。其中,二参考电压分别代表晶粒的高临界阀值及低临界阀值。
[0008]根据一些实施例,处理模块具有:驱动器、比较单元及逻辑元件。驱动器耦接第一探针以及提供驱动电流。比较单元耦接第一探针以用于取得检测电压。比较单元并用于基于二参考电压,各别与检测电压进行比较,以产生检测结果。逻辑元件耦接比较单元以用于储存检测结果。
[0009]根据一些实施例,比较单元具有并联的第一比较器及第二比较器。第一比较器及第二比较器的输出端耦接逻辑元件。第一比较器的第一输入端耦接第一探针。第二比较器的第一输入端耦接第一探针。第一比较器的第二输入端具有二参考电压的其一,第二比较器的第二输入端具有二参考电压的另一。
[0010]根据一些实施例,晶圆检测方法包含:准备步骤、初始路径建立步骤以及检测步骤。在准备步骤中,提供探针模块,探针模块包括第一探针、第二探针及处理模块,第一探针耦接处理模块,第二探针耦接接地。在初始路径建立步骤中,使第一探针耦接晶圆上的晶粒的第一电极点,以及使第二探针耦接晶粒的第二电极点,以使晶粒被配置在处理模块与接地之间的测试回路中。在检测步骤中,处理模块通过第一探针及第一电极点提供驱动电流
至被配置在测试回路中的晶粒,并取得晶粒对应的检测电压,处理模块用于基于二参考电压对检测电压产生检测结果。其中,二参考电压分别代表晶粒的高临界阀值及低临界阀值。
[0011]根据一些实施例,晶圆检测设备用于对晶圆上的阵列区域内的多个晶粒进行检测,晶圆布局有多条第一布局线、多条第二布局线、对应地耦接各个第一布局线的多个第一接触垫、及对应地耦接各个第二布局线的多个第二接触垫,各条第一布局线耦接排列在同一行的各个晶粒的第一电极点,各条第二布局线耦接排列在同一列的各个晶粒的第二电极点,晶圆检测设备包含:探针模块。探针模块用于对各个晶粒提供一驱动路径以及对被选定的晶粒提供一接地路径。第一路径、接地路径及被选定的晶粒构成检测程序中的测试回路。探针模块包括多个第一探针、多个第二探针、对应耦接各个第一探针的多个处理模块、耦接在所述多个第二探针与接地之间的切换器组。其中,各个第一探针被提供来在检测程序中接触所述多个第一接触垫中对应的一个,各个第二探针被提供来在检测程序中接触所述多个第二接触垫中对应的一个,切换器组被控制为使所述多个第二探针的其中一个耦接接地路径,切换器组使被选定的晶粒被配置在测试回路中。其中,各个处理模块通过对应的驱动路径提供驱动电流至各个晶粒,处理模块并于各个晶粒通过切换器组被耦接至接地路径时取得对应的检测电压,各个处理模块用于基于二参考电压对检测电压产生检测结果,所述二参考电压分别代表晶粒的一高临界阀值及一低临界阀值。
[0012]根据一些实施例,以处理模块搭配切换器组成行与列的控制方式来取得测试结果,在配置有用以串接晶粒之电极点的布局线的晶圆上,进行快速地切换,以将电流输入至所要测试的晶粒,进而同时完成同一行或同一列上的晶粒的电性测试,然后再通过切换器的切换,使排列在下一行或下一列的各个晶粒被配置成受测目标。藉此以简化的行/列控制方式来进行矩阵形式的行/列控制手段,节省了测试设备的成本。
附图说明
[0013]图1为根据一些实施例的晶圆检测设备的示意图;图2为根据一些实施例的晶圆检测时的电路路径示意图;图3为根据一些实施例的晶圆检测方法的流程图;图4为根据一些实施例的晶圆上的阵列区域内的线路示意图;图5为探针模块在对应至图4示例的阵列区域的示意图;图6为根据一些实施例的测试回路示意图。
具体实施方式
[0014]为充分了解本申请揭露内容的目的、特征及功效,现借助下述具体的实施例,并配合附图,对本申请揭露内容做一详细说明,说明如后:
[0015]在本申请中,所描述的用语“一”或“一个”来描述要件或特征。此举只是为了方便说明,并且对本申请的范畴提供一般性的意义。因此,除非很明显地另指他意,否则此种描述应理解为包括一个或至少一个,且单数也同时包括复数。
[0016]在本申请中,所描述的用语“包含、包括、具有”或其它它任何类似用语意非仅限于本文所列出的此类要件或特征而已,而是可包括未明确列出但却是所述要件或特征通常固有的其它部分。
[0017]在本申请中,所描述的“第一”或“第二”等类似序数的词语,用以区分或指关联于相同或类似的要件或特征,且不必然隐含此等要件或特征在空间上的顺序。应了解的是,在某些情况或配置下,序数词语可交换使用而不影响本申请的实施。
[0018]在本文中,所描述的“耦接”用语可指二或多个要件或特征相互直接地作实体接触,或是相互间接地作实体接触,亦可指二或多个要件或特征相互操作或动作,亦可指电性上(电或电信号)之间的直接或者间接的连接。
[0019]请参照图1及图2,图1为根据一些实施例的晶圆检测设备的示意图。图2为根据一些实施例的晶圆检测时的电路路径示意图。
[0020]如图1所示,晶圆检测设备包含:探针模块200。探针模块包括第一探针220、第二探针230及处理模块300。通过探针模块200的移动、晶圆的移动或二者的协同运作,可使探针模块200上的第一探针220与第二探针230对应地耦接至晶粒110的第一电极点111与第二电极点112。
[0021]在此实施例中,对于晶粒110的电性检测是基于至少二参考电压。在晶粒110通过第一探针220与第二探针230对应地的耦接并建立起测试回路的路径后,被驱动的晶粒110在此路径中会相应地基于本身的属性而对路径本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆检测设备,包含:一探针模块,包括一第一探针、一第二探针及一处理模块,所述第一探针被提供来与一晶圆上的一晶粒的一第一电极点形成耦接,所述第二探针被提供来与所述晶圆上的所述晶粒的一第二电极点形成耦接,所述第一探针还耦接所述处理模块,所述第二探针还耦接一接地,其中,所述处理模块通过所述第一探针及所述第一电极点对所述晶粒提供一驱动电流,所述处理模块在所述晶粒被驱动时取得对应的一检测电压,所述处理模块用于基于至少二参考电压对所述检测电压产生一检测结果,其中,该二参考电压分别代表该晶粒的一高临界阀值及一低临界阀值。2.如权利要求1所述的晶圆检测设备,其中该处理模块具有:一驱动器,其耦接所述第一探针以及提供所述驱动电流;一比较单元,其耦接所述第一探针以用于取得所述检测电压,所述比较单元还用于基于所述二参考电压各别与所述检测电压进行比较,以产生所述检测结果;以及一逻辑元件,其耦接所述比较单元以用于储存所述检测结果。3.如权利要求2所述的晶圆检测设备,其中,所述比较单元具有并联的一第一比较器及一第二比较器,所述第一比较器及所述第二比较器的输出端耦接所述逻辑元件,所述第一比较器的第一输入端耦接所述第一探针,所述第二比较器的第一输入端耦接所述第一探针,所述第一比较器的第二输入端具有所述二参考电压的其中之一,所述第二比较器的第二输入端具有所述二参考电压的另外一个。4.一种晶圆检测方法,包含:一准备步骤,提供一探针模块,所述探针模块包括一第一探针、一第二探针及一处理模块,所述第一探针耦接所述处理模块,所述第二探针耦接一接地;一初始路径建立步骤,使所述第一探针耦接一晶圆上的一晶粒的一第一电极点,以及使所述第二探针耦接所述晶粒的一第二电极点,以使所述晶粒被配置在所述处理模块与所述接地之间的一测试回路中;以及一检测步骤,借助所述处理模块通过所述第一探针及所述第一电极点提供一驱动电流至被配置在所述测试回路中的所述晶粒,并取得所述晶粒对应的一检测电压,所述处理模块用于基于二参考电压对所述检测电压产生一检测结果,其中,所述二参考电压分别代表所述晶粒的一高临界阀值及一低临界阀值。5.一种晶圆检测设备,用于对一晶圆上的一阵列区域内的多个晶粒进行检测,所述晶圆布局有多条第一布局线、多条第二布局线、对应地耦接各所述第一布局线的多个第一接触垫、及对应地耦接各所述第二布局线的多个...

【专利技术属性】
技术研发人员:王遵义曾一士张敏宏赵自笃
申请(专利权)人:致茂电子苏州有限公司
类型:发明
国别省市:

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