一种SiCMOSFET重复浪涌测试方法技术

本发明专利技术公开了一种SiC MOSFET重复浪涌测试方法，包括：选取TO

【技术实现步骤摘要】
一种SiC MOSFET重复浪涌测试方法


[0001]本专利技术属于功率半导体测试
，具体涉及一种SiC MOSFET重复浪涌测试方法。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)作为第三代半导体的代表性材料，具有禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和速度大等优点，使其在高温、高频、大功率等场合具有令人瞩目的应用前景。
[0003]在大多数大功率变流器应用中，MOS开关器件需要一个续流二极管来处理反向电流。传统硅(Si)MOSFET体内寄生的二极管并不适合此目的，由于少子存储效应导致反向恢复特性较差，引起较大的开关功耗。在实际工程应用中一般会在MOSFET源漏两端反向并联快速恢复二极管(Fast Recovery Diode，简称FRD)抑制寄生体二极管导通，并提供新的续流通路。相同耐压下，SiC MOSFET能够承受更高的电场，漂移区非常薄。因此，其体二极管正向导通时内部存储电荷比Si MOSFET少很多，有助于改善反向恢复特性，使开关功耗极低，该特性使得SiC MOSFET体二极管的使用成为可能。
[0004]目前的浪涌测试电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiC MOSFET重复浪涌测试方法，其特征在于，包括：选取TO
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247封装的SiC MOSFET待测器件；将所述SiC MOSFET待测器件放置于浪涌测试电路中；确定所述浪涌测试电路中栅极偏置电源的幅值和极性，测试所述SiC MOSFET待测器件的沟道开启程度对其体二极管浪涌可靠性的影响，并选择用于浪涌测试电路的栅极偏置电压；确定所述SiC MOSFET待测器件的测试温度，测试温度对所述SiC MOSFET待测器件的体二极管浪涌可靠性的影响，并选择用于浪涌测试电路的测试温度；在上述栅极偏置电压和测试温度下，触发波形发生器，所述浪涌测试电路在第一个浪涌周期内完成一次浪涌电流冲击测试；重复若干周期的浪涌电流冲击测试后，测量所述SiC MOSFET待测器件的静态特性、反向恢复特性和寄生电容，以及所述SiC MOSFET待测器件栅极、源极、漏极之间的短路情况，判断该SiC MOSFET待测器件是否失效或是明显退化，若未发生失效或是明显退化，则继续重复上述若干周期的浪涌电流冲击测试，若发生了失效或是明显退化，则所述浪涌测试电路停止对所述SiC MOSFET待测器件的测试。2.根据权利要求1所述的SiC MOSFET重复浪涌测试方法，其特征在于，所述浪涌测试电路包括第一驱动电路、第二驱动电路、栅极偏置电源、电容阵列、三极管Q1、三极管Q2、电压源V、开关S、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电感L、二极管D和温度控制系统，其中，所述三极管Q1的基极与所述第一驱动电路连接，所述三极管Q2的基极与所述第二驱动电路连接，所述三极管Q1的集电极与所述三极管Q2的发射极、所述开关S的一端、所述电容阵列的一端连接，所述三极管Q1的发射极与所述电压源V的正极连接，所述电压源V的负极与所述电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端、所述电阻R2的一端、所述电容阵列的另一端和所述电阻R3的一端均接地，所述电阻R2的另一端与所述开关S的另一端连接，所述电阻R3与所述SiC MOSFET待测器件连接，所述三极管Q2的集电极与所述电感L的一端连接，所述电感L的另一端与所述二极管D的正极连接，所述二极管D的负极与所述SiC MOSFET待测器件连接，所述栅极偏置电源与所述SiC MOSFET待测器件连接，所述温度控制系统设置于所述SiC MOSFET待测器件封装的外侧。3....

【专利技术属性】
技术研发人员：何艳静，赖建锟，弓小武，张玉明，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：