一种掩膜层及其生长方法和应用技术

本发明专利技术提供一种掩膜层及其生长方法和应用。所述生长方法包括：采用氧源和硅源在低压条件下进行外延生长，得到氧化硅掩膜层；所述低压的压力为15

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜层及其生长方法和应用


[0001]本专利技术属于半导体制造领域，具体涉及一种掩膜层及其生长方法和应用。

技术介绍

[0002]降本增效是恒久追求，效率提升是长期方向。光伏产业发展的核心驱动力是度电成本不断下行，带动投资收益率的不断提升，而降本增效是产业发展的恒久追求。在钝化发射极和背面电池的转换效率和降本空间逼近极限的当下，具有更高转换效率的新型电池技术迎来发展窗口期，隧穿氧化层钝化接触电池、光伏异质结电池、全背电极接触晶硅太阳电池或交叉指式背接触异质结等新一代电池技术有望快速崛起。
[0003]随着新一代技术的崛起，工艺步骤复杂性增加，需要在某些步骤增加掩膜保护，以确保高效的电池结构。传统的掩膜主要为磷硅玻璃(PSG)、硼硅玻璃(BSG)以及高温氧气生长的SiO2。PSG作为掩膜层，厚度大约在30
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50nm左右，生长速率较为缓慢，且清洗所使用的HF及碱溶液对PSG层的腐蚀速率很快，酸洗需要克服酸气、酸液对PSG的腐蚀，碱洗需要开发保护PSG层的添加剂配合使用，所以保护窗口比较小；BSG作为掩膜层，厚度大约在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜层的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：采用氧源和硅源在低压条件下进行外延生长，得到氧化硅掩膜层；所述低压的压力为15
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25Pa。2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述氧源为氧气；优选地，所述氧源的流量为500
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1500sccm；优选地，所述硅源为硅酸乙酯；优选地，所述硅源的流量为50
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100sccm；优选地，所述硅源和氧源的流量比为1:(5
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30)。3.根据权利要求1或2任一项所述的生长方法，其特征在于，所述外延生长在反应腔室中进行，所述硅源由载气携带进入反应腔室；优选地，所述载气包括氮气、氩气或氦气中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述硅源与载气的流量比为1:(0.5
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3)。4.根据权利要求1
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3任一项所述的生长方法，其特征在于，所述外延生长的方式为先通入氧源，再通入硅源；优选地，所述外延生长的温度为650
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850℃；优选地，所述外延生长的温度的升温速率为8
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12℃/min；优选地，所述外延生长的温度到达设定值后恒温3
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7min；优选地，所述外延生长的时间为8
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12min。5.根据权利要求3或4所述的生长方法，其特征在于，所述反应腔室的外壁温度为80
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100℃。6.根据权利要求1
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5任一项所述的生长方法，其特征在于，所述外延生长后，对反应腔室进行低压吹扫；优选地，所述低压吹扫使用的气体包括氮气、氩气或氦气中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述低压吹扫使用的气体的流量为1000
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2000sccm；优选地，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁文杰，梁笑，毛文龙，范伟，卢佳，林佳继，
申请(专利权)人：拉普拉斯新能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：