半导体装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种特性的不均匀小的半导体装置。沉积第一绝缘体，在第一绝缘体上沉积金属氧化物，在金属氧化物上沉积第二绝缘体，在第二绝缘体上沉积氧化膜，通过进行热处理，第一绝缘体中、第二绝缘体中及氧化物中的氢移动到金属氧化物且被吸収，金属氧化物通过ALD法沉积。金属氧化物通过ALD法沉积。金属氧化物通过ALD法沉积。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种金属氧化物的制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种晶体管、半导体装置及电子设备。另外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置的制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体晶片及模块。
[0002]注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。除了晶体管等的半导体元件之外，半导体电路、运算装置或存储装置也是半导体装置的一个方式。显示装置(液晶显示装置、发光显示装置等)、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、摄像装置、电子设备等有时包括半导体装置。
[0003]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。

技术介绍

[0004]近年来，已对半导体装置进行开发，半导体装置主本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：沉积第一绝缘膜；在所述第一绝缘体上通过ALD法沉积金属氧化物；在所述金属氧化物上沉积第二绝缘体；在所述第二绝缘体上沉积氧化物；以及通过进行热处理，所述第一绝缘体中、所述第二绝缘体中及所述氧化物中的氢移动到所述金属氧化物且被吸収。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述ALD法包括如下步骤：将前驱物及载体吹扫气体导入到反应室的第一工序；停止导入所述前驱物且排出所述前驱物的第二工序；将氧化性气体导入到反应室的第三工序；以及停止导入所述氧化性气体且排出所述氧化性气体的第四工序，并且所述第一工序至第四工序分别以210℃以上且300℃以下的温度范围进行。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一工序至第四工序反复进行。4.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，其中所述前驱物包含铪且还包含选自氯、氟、溴、碘以及氢中的任一个或多个。5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中所述氧化性气体包含选自O2、O3、N2O、NO2、H2O及H2O2中的任一个或多个。6.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中所述载体吹扫气体包含选自N2、He、Ar、Kr及Xe中的任一个或多个。7.根据权利要求2至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中所述前驱物为HfCl4，并且所述氧化性气体包含O3。8.根据权利要求1所述的半导体装...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，小松良宽，大野敏和，柳泽悠一，笹川慎也，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：