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本发明提供一种掩膜层及其生长方法和应用。所述生长方法包括：采用氧源和硅源在低压条件下进行外延生长，得到氧化硅掩膜层；所述低压的压力为15
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该专利属于拉普拉斯新能源科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过拉普拉斯新能源科技股份有限公司授权不得商用。

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