一种具有静电防护功能的晶圆切割装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种具有静电防护功能的晶圆切割装置，包括机架、第一电动推杆和切割刀片，所述机架的内部上端设置有第一电动推杆，所述第一电动推杆的下端设置有切割刀片，所述机架内部两侧设置有位置调整机构，所述括机架的内部滑动设置有固定架，所述限位架的内部设置有气动吸附清洁机构，所述顶柱具有弹性，所述顶柱的下端设置有通电调整机构；在产生电流时会通过传感器来对电流进行监测，晶圆和切割刀摩擦的速度越快时，晶圆和切割刀片表面附带的静电也就越多，所以当摩擦力越大时，摩擦的速度越快，产生的电流量也就越多，通过对电流量进行监测，来调整晶圆的切割速度，避免在切割过程中产生大量的静电。割过程中产生大量的静电。割过程中产生大量的静电。

【技术实现步骤摘要】
一种具有静电防护功能的晶圆切割装置


[0001]本专利技术涉及晶圆切割
，具体为一种具有静电防护功能的晶圆切割装置。

技术介绍

[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅，高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅，硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆，而在晶圆生产完毕后，需要对晶圆进行切割，从而便于对晶圆进行后续的使用，而在对晶圆进行切割时需要使用到晶圆切割装置，而一般的晶圆切割装置在使用时还有一些缺点，比如：
[0003]在对晶圆进行切割时，由于晶圆与切割刀片之间会产生摩擦，而摩擦的过程中，晶圆与切割刀片会发生得失电子的现象，从而使得晶圆的表面会出现静电，而静电会对晶圆的切割造成影响，而在切割的过程中，由于晶圆的表面会出现线痕，所以会导致晶圆的厚度会产生的一定的偏差，所以在切割晶圆时，当切割装置的速度不发生及时的调整，由于晶圆表面线痕的影响会导致晶圆产生的静电发生变化，从而影响对晶圆的加工，在切割过程中当晶圆受到的摩擦力也会较小时，此时产生的静电量也会较小，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有静电防护功能的晶圆切割装置，包括机架(1)、第一电动推杆(2)和切割刀片(3)，其特征在于：所述机架(1)的内部上端设置有第一电动推杆(2)，所述第一电动推杆(2)的下端设置有切割刀片(3)，所述机架(1)内部两侧设置有位置调整机构，所述括机架(1)的内部滑动设置有固定架(8)，所述固定架(8)的内部设置有电动机(9)，所述电动机(9)的上端设置有限位架(10)，所述限位架(10)的内部设置有气动吸附清洁机构，所述第一电动推杆(2)的两侧下端设置有顶柱(28)，所述顶柱(28)具有弹性，所述顶柱(28)的下端设置有通电调整机构。2.根据权利要求1所述的一种具有静电防护功能的晶圆切割装置，其特征在于：所述位置调整机构包括第二电动推杆(4)、固定杆(5)、固定弹簧(6)和支撑杆(7)，所述第二电动推杆(4)设置在机架(1)的内部两侧，所述第二电动推杆(4)的侧面设置有固定杆(5)，所述固定杆(5)的内部设置有固定弹簧(6)，所述固定杆(5)的内部滑动设置有支撑杆(7)，所述支撑杆(7)的一端和固定弹簧(6)相连接，所述支撑杆(7)的另一端和固定架(8)相连接。3.根据权利要求1所述的一种具有静电防护功能的晶圆切割装置，其特征在于：所述气动吸附清洁机构包括进气口(11)、进气道(12)、离子风机(13)、排气道(14)、排气室(15)、活塞环(16)、固定道(17)和排气口(18)，所述进气口(11)等角度设置在限位架(10)的上端内部侧面，所述限位架(10)的下端内部对称设置有进气道(12)和排气道(14)，所述进气道(12)和排气道(14)分别与离子风机(13)相连接，所述离子风机(13)设置在固定架(8)的内部。4.根据权利要求3所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨帆，孙丽丽，邢红飞，晁娟，曾德琴，郑益，杜文汉，
申请(专利权)人：常州鼎先电子有限公司，
类型：发明
国别省市：