制造电容器的方法和制造半导体装置的方法制造方法及图纸

提供了制造电容器的方法和制造半导体装置的方法。所述制造电容器的方法包括：在反应空间中在半导体基底上形成下电极。在下电极上形成均质氧化物层。在均质氧化物层上形成介电层。在介电层上形成上电极。均质氧化物层的形成步骤包括将均质氧化物层形成循环执行至少一次。均质氧化物层形成循环包括供应氧化剂、清除氧化剂和泵出反应空间。清除氧化剂和泵出反应空间。清除氧化剂和泵出反应空间。

【技术实现步骤摘要】
制造电容器的方法和制造半导体装置的方法
[0001]本申请要求于2021年10月1日在韩国知识产权局提交的第10
‑
2021
‑
0131139号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。


[0002]本专利技术构思涉及制造电容器的方法和制造半导体装置的方法，更具体地，涉及制造具有提高的器件可靠性并且具有减少的2比特型缺陷(2
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bit type defect)的电容器和半导体装置的方法。

技术介绍

[0003]存在对半导体装置的小型化和高性能的需求。应用于动态随机存取存储器(DRAM)的电容器可能表现出崩溃缺陷(collapse defect)，所述崩溃缺陷降低了半导体装置的稳定性和可靠性。

技术实现思路

[0004]本专利技术构思的实施例提供了一种制造具有提高的器件可靠性并且具有减少的2比特型缺陷的电容器的方法。
[0005]本专利技术构思的实施例提供了一种制造具有提高的器件可靠性并且具有减少的2比特型缺陷的半导体装置的方法。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造电容器的方法，所述方法包括：在反应空间中在半导体基底上形成下电极；在下电极上形成均质氧化物层；在均质氧化物层上形成介电层；以及在介电层上形成上电极；其中，形成均质氧化物层的步骤包括将均质氧化物层形成循环执行至少一次，均质氧化物层形成循环包括：氧化剂的供应步骤；清除氧化剂的清除步骤；以及反应空间的泵出步骤。2.根据权利要求1所述的方法，其中，均质氧化物层形成循环包括顺序地执行氧化剂的供应步骤、氧化剂的清除步骤和反应空间的泵出步骤。3.根据权利要求1所述的方法，其中，氧化剂包括O2、O3、H2O、H2O2、CH3OH、C2H5OH或它们的混合物。4.根据权利要求1所述的方法，其中，执行反应空间的泵出步骤，使得在执行所述泵出步骤之后反应空间的内部压力在1Pa至30Pa的范围内。5.根据权利要求4所述的方法，其中，在1秒至5分钟的范围内执行反应空间的泵出步骤。6.根据权利要求1所述的方法，其中，执行氧化剂的清除步骤，使得在执行所述清除步骤之后反应空间的内部压力在30Pa至200Pa的范围内。7.根据权利要求6所述的方法，其中，在1秒至5分钟的范围内执行氧化剂的清除步骤。8.根据权利要求1所述的方法，其中，在氧化剂的供应步骤中，以在10000sccm至30000sccm的范围内的流速供应氧化剂。9.根据权利要求8所述的方法，其中，在1秒至5分钟的范围内执行氧化剂的供应步骤。10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，所述方法还包括：在均质氧化物层上形成介电层之前以及在介电层上形成上电极之前，在均质氧化物层上形成界面层。11.根据权利要求10所述的方法，其中：下电极包括包含金属A的氮化物的导电金属氮化物；并且界面层包括AON、AO
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、AMoO
x
、ARuO
x
、ATaO
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、ANbO
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、AVO
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、AZrO
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、A...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵哲珍，金铉埈，辛瑜暻，徐锺汎，郑昌和，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：