芯片零件制造技术

本发明专利技术的芯片零件(1)包含：衬底(2)；电容器部(32)，具有多个壁部(85)，通过形成在所述第1主面(5)的沟槽(107)而相互分离且具有长度方向；及衬底主体部(54)，利用所述衬底(2)的一部分而形成在所述电容器部(32)的周围；所述壁部(85)由多个柱单元(90)形成，所述电容器部(32)在所述俯视下包括包含所述长度方向为第1长度方向(D1)的所述壁部(85)的第1电容器部(321)、及包含所述长度方向为与所述第1长度方向(D1)交叉的第2长度方向(D2)的所述壁部(85)的第2电容器部(322)。的第2电容器部(322)。的第2电容器部(322)。

【技术实现步骤摘要】
芯片零件


[0001]本公开涉及一种芯片零件。

技术介绍

[0002]专利文献1中公开有一种芯片电容器，具备衬底、形成在衬底上的第1导电体膜及第1焊垫膜、形成在第1导电体膜上及第1焊垫膜上的介电膜、以及形成在介电膜上且包含第2连接区域及第2电容器形成区域的第2导电体膜。第1导电体膜包含第1连接区域及第1电容器形成区域。在第1导电体膜的第1连接区域接合有第1外部电极，在第2导电体膜的第2连接区域接合有第2外部电极。
[0003][
技术介绍
文献][0004][专利文献][0005][专利文献1]日本专利特开2017
‑
195322号公报

技术实现思路

[0006][解决问题的技术手段][0007]本公开的一实施方式的芯片零件包含：衬底，具有第1主面及其相反侧的第2主面；电容器部，在从所述衬底的所述第1主面的法线方向观察的俯视下形成在所述第1主面，具有多个壁部，所述多个壁部通过形成在所述第1主面的沟槽而相互分离且具有长度方向；衬底主体部，利用所述衬底的一部分而形成在所述电容器部的周围，且至少连结于所述壁部的所述长度方向的一端部及另一端部中的一个；下部电极，沿着所述壁部的上表面及侧面形成；电容膜，沿着所述壁部的上表面及侧面形成在所述下部电极上；及上部电极，形成在所述电容膜上；所述壁部由多个柱单元形成，各所述柱单元在所述俯视下包含中央部、及从所述中央部朝互不相同的3个方向延伸的3个凸部，所述壁部通过相邻的所述柱单元的所述凸部彼此的连结而形成，所述电容器部在所述俯视下包括包含所述长度方向为第1长度方向的所述壁部的第1电容器部、及包含所述长度方向为与所述第1长度方向交叉的第2长度方向的所述壁部的第2电容器部。
附图说明
[0008]图1是本公开的一实施方式的芯片零件的示意性立体图。
[0009]图2是所述芯片零件的示意性俯视图。
[0010]图3是所述芯片零件的示意性分解图。
[0011]图4是所述芯片零件的示意性俯视图。
[0012]图5是所述芯片零件的示意性俯视图。
[0013]图6是所述芯片零件的示意性俯视图。
[0014]图7是所述芯片零件的示意性俯视图。
[0015]图8是图7的芯片零件的主要部分放大图。
[0016]图9是所述芯片零件的示意性剖视图。
[0017]图10是所述芯片零件的示意性剖视图。
[0018]图11A是表示所述芯片零件的制造步骤的一部分的示意性剖视图。
[0019]图11B是表示图11A的下一步骤的图。
[0020]图11C是表示图11B的下一步骤的图。
[0021]图11D是表示图11C的下一步骤的图。
[0022]图11E是表示图11D的下一步骤的图。
[0023]图11F是表示图11E的下一步骤的图。
[0024]图11G是表示图11F的下一步骤的图。
[0025]图11H是表示图11G的下一步骤的图。
[0026]图11I是表示图11H的下一步骤的图。
[0027]图11J是表示图11I的下一步骤的图。
[0028]图11K是表示图11J的下一步骤的图。
[0029]图11L是表示图11K的下一步骤的图。
[0030]图11M是表示图11L的下一步骤的图。
[0031]图11N是表示图11M的下一步骤的图。
[0032]图11O是表示图11N的下一步骤的图。
[0033]图11P是表示图11O的下一步骤的图。
[0034]图11Q是表示图11P的下一步骤的图。
[0035]图12是用于说明所述芯片零件的变化例的图。
[0036]图13是用于说明所述芯片零件的变化例的图。
[0037]图14是用于说明所述芯片零件的变化例的图。
[0038]图15是用于说明所述芯片零件的变化例的图。
[0039]图16是用于说明所述芯片零件的变化例的图。
[0040]图17是用于说明所述芯片零件的变化例的图。
[0041]图18是样品1的芯片零件的示意性俯视图。
[0042]图19是样品2的芯片零件的示意性俯视图。
[0043]图20是样品3的芯片零件的示意性俯视图。
[0044]图21是表示所述样品1的Q值及电容值的评价结果的图。
[0045]图22是表示所述样品2的Q值及电容值的评价结果的图。
[0046]图23是表示所述样品3的Q值及电容值的评价结果的图。
[0047]图24是表示所述样品1的串联电阻的评价结果的图。
[0048]图25是表示所述样品2的串联电阻的评价结果的图。
[0049]图26是表示所述样品3的串联电阻的评价结果的图。
[0050]图27是用于说明所述芯片零件的变化例的图。
[0051]图28是用于说明所述芯片零件的变化例的图。
[0052]图29是用于说明所述芯片零件的变化例的图。
[0053]图30是用于说明所述芯片零件的变化例的图。
[0054]图31是用于说明所述芯片零件的变化例的图。
[0055]图32是用于说明所述芯片零件的变化例的图。
[0056]图33是用于说明所述芯片零件的变化例的图。
[0057]图34是用于说明所述芯片零件的变化例的图。
[0058]图35是用于说明所述芯片零件的变化例的图。
[0059]图36是样品4的芯片零件的示意性俯视图。
[0060]图37是样品5的芯片零件的示意性俯视图。
[0061]图38是样品6的芯片零件的示意性俯视图。
[0062]图39是样品7的芯片零件的示意性俯视图。
[0063]图40是样品8的芯片零件的示意性俯视图。
[0064]图41是样品9的芯片零件的示意性俯视图。
[0065]图42是样品10的芯片零件的示意性俯视图。
[0066]图43是本公开的一实施方式的芯片零件的示意性立体图。
[0067]图44是所述芯片零件的示意性俯视图。
[0068]图45是所述芯片零件的示意性仰视图。
[0069]图46是所述芯片零件的示意性俯视图。
[0070]图47是所述芯片零件的示意性剖视图。
[0071]图48A是表示所述芯片零件的制造步骤的一部分的示意性剖视图。
[0072]图48B是表示图48A的下一步骤的图。
[0073]图48C是表示图48B的下一步骤的图。
[0074]图48D是表示图48C的下一步骤的图。
[0075]图48E是表示图48D的下一步骤的图。
[0076]图48F是表示图48E的下一步骤的图。
[0077]图48G是表示图48F的下一步骤的图。
[0078]图49是用于说明所述芯片零件的变化例的图。
具体实施方式
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片零件，包含：衬底，具有第1主面及其相反侧的第2主面；电容器部，在从所述衬底的所述第1主面的法线方向观察的俯视下形成在所述第1主面，具有多个壁部，所述多个壁部通过形成在所述第1主面的沟槽而相互分离且具有长度方向；衬底主体部，利用所述衬底的一部分而形成在所述电容器部的周围，且至少连结于所述壁部的所述长度方向的一端部及另一端部中的一个；下部电极，沿着所述壁部的上表面及侧面形成；电容膜，沿着所述壁部的上表面及侧面形成在所述下部电极上；及上部电极，形成在所述电容膜上；所述壁部由多个柱单元形成，各所述柱单元在所述俯视下包含中央部、及从所述中央部朝互不相同的3个方向延伸的3个凸部，所述壁部通过相邻的所述柱单元的所述凸部彼此的连结而形成，所述电容器部在所述俯视下包括包含所述长度方向为第1长度方向的所述壁部的第1电容器部、及包含所述长度方向为与所述第1长度方向交叉的第2长度方向的所述壁部的第2电容器部。2.根据权利要求1所述的芯片零件，其包含：第1外部电极，形成在所述衬底的所述第1主面上，且电连接于所述下部电极；及第2外部电极，在所述衬底的所述第1主面上离开所述第1外部电极而形成，且电连接于所述上部电极。3.根据权利要求2所述的芯片零件，其中所述电容器部包含在所述俯视下与所述第1外部电极重叠的第1重叠部、与所述第2外部电极重叠的第2重叠部、以及所述第1外部电极与所述第2外部电极之间的中间部。4.根据权利要求3所述的芯片零件，其中所述电容器部包含一个所述第1电容器部及一个所述第2电容器部，所述第1电容器部与所述第2电容器部彼此相邻地形成。5.根据权利要求4所述的芯片零件，其中所述第1电容器部是横跨所述第1重叠部与所述中间部而形成，且所述第2电容器部是横跨所述第2重叠部与所述中间部而形成。6.根据权利要求2或3所述的芯片零件，其中所述电容器部包含一对所述第1电容器部及一对所述第2电容器部，且所述一对第1电容器部及所述一对第2电容器部在所述俯视下交错地配置。7.根据权利要求1至6中任一项所述的芯片零件，其中所述第1长度方向及所述第2长度方向是相互正交的方向。8.根据权利要求2至7中任一项所述的芯片零件，其中所述下部电极包含形成在所述电容器部的外侧且包围所述电容器部的第1接触区域，所述上部电极包含在所述俯视下与所述电容器部重叠的第2接触区域，所述芯片零件还包含：第1电极膜，形成在所述衬底的所述第1主面上，将所述第1接触区域与所述第1外部电极电连接；及第2电极膜，形成在所述衬底的所述第1主面上，将所述第2接触区域与所述第2外部电极电连接。
9.根据权利要求8所述的芯片零件，其中所述衬底在所述俯视下形成为包围所述第1主面且具有相互对向的一对第1侧面及第2侧面、以及相互对向的一对第3侧面及第4侧面的四边形，在所述第1侧面侧配置有所述第1外部电极，且在所述第2侧面侧配置有所述第2外部电极，所述第1电极膜包含：第1部分，在所述俯视下与所述第1外部电极重叠，且沿着所述衬底的所述第1侧面延伸；及一对第2部分，从所述第1电极膜的所述第1部分的一端部及另一端部分别沿着所述衬底的所述第3侧面及所述第4侧面延伸；所述第2电极膜包含：第3部分，在所述俯视下与所述第2外部电极重叠；及第4部分，从所述第2电极膜的所述第3部分朝向所述第1外部电极延伸，且配置于夹在所述第1电极膜的所述一对第2部分之间的区域中。10.根据权利要求9所述的芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：深江圭佑，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：