温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供了制造电容器的方法和制造半导体装置的方法。所述制造电容器的方法包括：在反应空间中在半导体基底上形成下电极。在下电极上形成均质氧化物层。在均质氧化物层上形成介电层。在介电层上形成上电极。均质氧化物层的形成步骤包括将均质氧化物层形成循环执行...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。