氮化镓基高电子迁移率晶体管制造技术

本实用新型专利技术提供一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，涉及半导体器件领域，包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层；缓冲层设于衬底层之上，沟道层设于缓冲层之上，势垒层设于沟道层之上；在势垒层之上，横向依次设置有第一钝化层、栅极、第一极化掺杂层以及第二钝化层，其中栅极与第二钝化层及势垒层围合形成腔体结构，第一极化掺杂层设于腔体结构内；还包括在沟道层之上，贴合第一钝化层设置的源极，以及在沟道层之上，贴合第二钝化层设置的漏极；还包括第二极化掺杂层，第二极化掺杂层设于缓冲层以及沟道层之间。本实用新型专利技术不仅能够提高击穿电压和巴利加优值FOM，还能够有效降低电流泄露。还能够有效降低电流泄露。还能够有效降低电流泄露。

【技术实现步骤摘要】
氮化镓基高电子迁移率晶体管


[0001]本技术涉及半导体器件领域，尤其涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管。

技术介绍

[0002]铝镓氮AlGaN/氮化镓GaN的高电子迁移率晶体管HEMT具有高击穿电压，但远未达到理论极限值，而常规技术会降低饱和电流，增大导通电阻或降低频率特性，不能完全发挥出氮化镓GaN基器件的优势，并且，造成缓冲层漏电的主要原因是在异质衬底上外延的氮化镓GaN基材料中存在大量的氮空位及位错等缺陷，这些缺陷能级及其他的浅施主杂质可电离产生电子，使氮化镓GaN缓冲层呈现弱n型导电。

技术实现思路

[0003]本技术提供一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，用以解决现有技术的高电子迁移率晶体管存在击穿电压较低且存在电流泄露的问题，提供了一种具有高击穿电压和低泄露电流的铝镓氮AlGaN/氮化镓GaN的高电子迁移率晶体管。
[0004]本技术提供了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层；
[0005]所述缓冲层设于所述衬底层之上，所述沟道层设于所述缓冲层之上，所述势垒层设于所述沟道层之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层；所述缓冲层设于所述衬底层之上，所述沟道层设于所述缓冲层之上，所述势垒层设于所述沟道层之上；在所述势垒层之上，横向依次设置有第一钝化层、栅极、第一极化掺杂层以及第二钝化层，其中所述栅极与所述第二钝化层及所述势垒层围合形成腔体结构，所述第一极化掺杂层设于所述腔体结构内；还包括在所述沟道层之上，贴合所述第一钝化层设置的源极，以及在所述沟道层之上，贴合第二钝化层设置的漏极；还包括第二极化掺杂层，所述第二极化掺杂层设于所述缓冲层以及所述沟道层之间。2.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第一极化掺杂层以及所述第二极化掺杂层为铝镓氮AlGaN。3.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第一极化掺杂层的厚度范围为10nm～150nm；所述第一极化掺杂层的长度范围为0.1um～6um。4.根据权利要求3所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第一极化掺杂层的厚度为50nm；所述第一极化掺杂层的长度为4.6um。5.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述源极与所述第一钝化层、所述势垒层以及所述沟道...

【专利技术属性】
技术研发人员：马旺，
申请(专利权)人：赛卓电子科技上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：