功率半导体器件及其制备方法技术

本公开提供了一种功率半导体器件及其制备方法，属于光电子制造技术领域。功率半导体器件包括：衬底，以及依次形成在衬底上的AlN层、核壳层和包覆层；核壳层包括GaN核体和AlGaN壳体，GaN核体位于AlGaN壳体内。本公开能够实现二维电子气的高效分布。够实现二维电子气的高效分布。够实现二维电子气的高效分布。

【技术实现步骤摘要】
功率半导体器件及其制备方法


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种功率半导体器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]功率半导体器件，又称电力电子器件(Power Electronic Device，PED)，是用于电力设备的电能变换和控制电路方面的大功率电子器件，电流为数十至数千安，电压为数百伏以上。功率半导体器件包括高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)、绝缘栅双极性晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor，IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal
‑
Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor，MOSFET)等器件，这些器件底部的外延结构相同。
[0003]随着以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料(即第三代半导体材料)在设备、工艺及器件方面的迅速发展，第三代半导体材料以其更高的击穿电压、热导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：衬底(10)，以及依次形成在所述衬底(10)上的AlN层(20)、核壳层(30)和包覆层(40)；所述核壳层(30)包括GaN核体(310)和AlGaN壳体(320)，所述GaN核体(310)位于所述AlGaN壳体(320)内。2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述GaN核体(310)在外延生长方向上的厚度为3
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10nm。3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述AlGaN壳体(320)在外延生长方向上的厚度为20
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40nm。4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件包括至少两个所述核壳层(30)；至少两个所述核壳层(30)沿外延生长方向依次叠设，且各所述核壳层(30)的所述GaN核体(310)相连。5.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于，所述核壳层(30)的数量为2
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20个。6.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王群，梅劲，陈张笑雄，龚逸品，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：