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本公开提供了一种功率半导体器件及其制备方法，属于光电子制造技术领域。功率半导体器件包括：衬底，以及依次形成在衬底上的AlN层、核壳层和包覆层；核壳层包括GaN核体和AlGaN壳体，GaN核体位于AlGaN壳体内。本公开能够实现二维电子气的高...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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