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本实用新型提供一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，涉及半导体器件领域，包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层；缓冲层设于衬底层之上，沟道层设于缓冲层之上，势垒层设于沟道层之上；在势垒层之上，横向依次设置有第一钝化层、栅极、第一极化掺杂层以及第二钝化...
该专利属于赛卓电子科技（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过赛卓电子科技（上海）股份有限公司授权不得商用。

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