一种蒸镀掩膜版及其制作方法、蒸镀设备技术

本发明专利技术公开了一种蒸镀掩膜版及其制作方法、蒸镀设备，该蒸镀掩膜版包括：掩膜本体，所述掩膜本体具有贯穿厚度方向的多个通孔，一个通孔对应一个显示面板，所述掩膜本体与所述显示面板的衬底基板具有相同的热形变特性；限定掩膜层，设置在所述掩膜本体的一侧，所述限定层掩膜用于形成所述显示面板所需的蒸镀图形；所述衬底基板位于所述限定掩膜层远离所述掩膜本体的一侧，所述掩膜本体的厚度远大于所述限定掩膜层的厚度。限定掩膜层的厚度。限定掩膜层的厚度。

【技术实现步骤摘要】
一种蒸镀掩膜版及其制作方法、蒸镀设备


[0001]本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种蒸镀掩膜版及其制作方法、蒸镀设备。

技术介绍

[0002]有源矩阵有机发光二极体(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)显示面板的发光器件中的各材料层，通常是采用真空蒸镀工艺制备而成的。
[0003]蒸镀工艺是在真空条件下，将有机材料放置于坩埚中，通过高温加热使镀膜材料蒸发或升华为气态粒子，气化的材料粒子通过蒸镀掩膜上限定的图形开孔沉积到基板上，并在基板表面相应的位置形成预设图形。由于基板与蒸镀掩膜在蒸镀机内受到坩埚热源辐射热及蒸镀材料的沉积热影响，会发生热膨胀变形，从而导致基板及掩膜开孔图形的位置偏差，发光材料蒸镀位置偏移，进而引起屏幕混色不良，边框处发生脱落不良，限制屏幕边框减小等问题。
[0004]鉴于此，如何减小蒸镀掩膜的工艺变形，成为一个亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供一种蒸镀掩膜版及其制作方法、蒸镀设备，用以解决现有技术中存在的上述问题。
[0006]第一方面，为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种蒸镀掩膜版，包括：
[0007]掩膜本体，所述掩膜本体具有贯穿厚度方向的多个通孔，一个通孔对应一个显示面板，所述掩膜本体与所述显示面板的衬底基板具有相同的热形变特性；
[0008]限定掩膜层，设置在所述掩膜本体的一侧，所述限定层掩膜用于形成所述显示面板所需的蒸镀图形；所述衬底基板位于所述限定掩膜层远离所述掩膜本体的一侧，所述掩膜本体的厚度远大于所述限定掩膜层的厚度。
[0009]一种可能的实施方式，所述通孔的横截面在所述厚度方向上逐渐增大。
[0010]一种可能的实施方式，所述掩膜本体具有平行的第一表面和第二表面；
[0011]所述通孔，包括：相对设置的第一开口和第二开口，所述第一开口位于所述第一表面，所述第二开口位于所述第二表面，所述第一开口的面积大于所述第二开口的面积；所述限定掩膜层位于所述第二表面。
[0012]一种可能的实施方式，所述第二开口完全覆盖所述衬底基板的有效显示区。
[0013]一种可能的实施方式，所述第一开口和所述第二开口在所述第一表面的正投影的边缘间距大于2mm。
[0014]一种可能的实施方式，所述限定掩膜层，包括：
[0015]多个掩膜单元，所述掩膜单元与至少一个通孔对应；
[0016]多个间隙，所述间隙位于相邻的两个掩膜单元之间。
[0017]一种可能的实施方式，所述掩膜单元包括呈阵列排布的多个像素开口，或与所述衬底基板的有效显示区对应的显示开口。
[0018]一种可能的实施方式，还包括：
[0019]多个支撑结构，所述多个支撑结构围绕所述多个掩膜单元。
[0020]一种可能的实施方式，还包括：
[0021]至少一个间隔结构，所述间隔结构位于至少部分相邻两个掩膜单元之间。
[0022]一种可能的实施方式，所述通孔的形状，包括：
[0023]长方形、正方形、圆形、异形。
[0024]一种可能的实施方式，不同形状的通孔设置在于不同区域。
[0025]一种可能的实施方式，所述限定掩膜层的材料，包括：
[0026]金属材料或聚酰亚胺。
[0027]一种可能的实施方式，所述限定掩膜层的材料为所述金属材料时，所述蒸镀掩膜版还包括：
[0028]导电层，位于所述掩膜本体与所述限定掩膜层之间，所述导电层与所述限定掩膜层的图形一致。
[0029]一种可能的实施方式，所述限定掩膜层完全覆盖所述导电层。
[0030]一种可能的实施方式，所述限定掩膜层的边缘为弧面。
[0031]一种可能的实施方式，所述金属材料，包括：
[0032]铁、镍、钴中的任一个或任意组合；所述导电层的材料，包括：
[0033]氧化铟锡、钛、铂、银中的任一个。
[0034]一种可能的实施方式，所述掩膜本体的厚度与所述衬底基板的厚度相同；
[0035]所述掩膜本体与所述衬底基板采用的材料相同。
[0036]一种可能的实施方式，所述限定掩膜层的厚度范围为5um～30um。
[0037]第二方面，本专利技术实施例提供了一种基于第一方面的蒸镀掩膜版的制作方法，包括：
[0038]提供一掩膜体；
[0039]对所述掩膜体进行图案化，形成掩膜本体，所述掩膜本体具有贯穿厚度方向的多个通孔，一个通孔对应一个显示面板，所述掩膜本体与所述显示面板的衬底基板具有相同的热形变特性；
[0040]在所述掩膜本体的一通孔中形成一层填充层；所述填充层至少填平所述多个通孔，使所述掩膜本体表面平整；
[0041]在所述填充层的一侧，形成限定掩膜层；其中，所述限定掩膜层用于形成所述显示面板所需的蒸镀图形，所述限定掩膜层的厚度远小于所述掩膜本体的厚度；
[0042]剥离所述填充层。
[0043]一种可能的实施方式，在所述填充层的一侧，形成所述限定掩膜层，包括：
[0044]在所述掩膜本体的第二表面所在侧，沉积金属层；所述第二表面为所述通孔开口面积最小的一面；
[0045]对所述金属层进行图案化，形成与所述蒸镀图形一致的导电层；
[0046]在所述导电层远离所述掩膜本体的一侧表面，电沉积形成所述限定掩膜层。
[0047]一种可能的实施方式，在所述填充层一侧，形成所述限定掩膜层，包括：
[0048]在所述掩膜本体的第二表面所在侧，涂覆一层聚酰亚胺层；所述第二表面为所述
通孔开口面积最小的一面；
[0049]对所述聚酰亚胺层进行固化；
[0050]对固化后的聚酰亚胺层进行图案化，获得所述限定掩膜层。
[0051]第三方面，本专利技术实施例提供了一种蒸镀设备，包括如第一方面所述的蒸镀掩膜版。
附图说明
[0052]图1为相关技术中OLED发光器件的膜层结构示意图；
[0053]图2为相关技术中一种蒸镀金属掩膜版的俯视图；
[0054]图3为图2中AA
’
方向的截面图；
[0055]图4为相关技术中金属掩膜与显示面板的衬底基板下垂量的对比示意图；
[0056]图5为相关技术中在衬底基板上沉积发光材料与衬底基板显示区的偏移对比示意图；
[0057]图6为本专利技术实施例提供的一种蒸镀掩膜版的俯视示意图；
[0058]图7为本专利技术实施例提供的一种图6中BB
’
的截面图；
[0059]图8为本专利技术实施例提供的一种图6中掩膜本体在BB
’
的截面图；
[0060]图9为本专利技术实施例提供的另一种图6中掩膜本体在BB
’
的截面图；
[0061]图10为本专利技术实施例提供的一种蒸镀掩膜版的结构示意图；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蒸镀掩膜版，其特征在于，包括：掩膜本体，所述掩膜本体具有贯穿厚度方向的多个通孔，一个通孔对应一个显示面板，所述掩膜本体与所述显示面板的衬底基板具有相同的热形变特性；限定掩膜层，设置在所述掩膜本体的一侧，所述限定层掩膜用于形成所述显示面板所需的蒸镀图形；所述衬底基板位于所述限定掩膜层远离所述掩膜本体的一侧，所述掩膜本体的厚度远大于所述限定掩膜层的厚度。2.如权利要求1所述的蒸镀掩膜版，其特征在于，所述通孔的横截面在所述厚度方向上逐渐增大。3.如权利要求2所述的蒸镀掩膜版，其特征在于，所述掩膜本体具有平行的第一表面和第二表面；所述通孔，包括：相对设置的第一开口和第二开口，所述第一开口位于所述第一表面，所述第二开口位于所述第二表面，所述第一开口的面积大于所述第二开口的面积；所述限定掩膜层位于所述第二表面。4.如权利要求3所述的蒸镀掩膜版，其特征在于，所述第二开口完全覆盖所述衬底基板的有效显示区。5.如权利要求3所述的蒸镀掩膜版，其特征在于，所述第一开口和所述第二开口在所述第一表面的正投影的边缘间距大于2mm。6.如权利要求1所述的蒸镀掩膜版，其特征在于，所述限定掩膜层，包括：多个掩膜单元，所述掩膜单元与至少一个通孔对应；多个间隙，所述间隙位于相邻的两个掩膜单元之间。7.如权利要求6所述的蒸镀掩膜版，其特征在于，所述掩膜单元包括呈阵列排布的多个像素开口，或与所述衬底基板的有效显示区对应的显示开口。8.如权利要求6所述的蒸镀掩膜版，其特征在于，还包括：多个支撑结构，所述多个支撑结构围绕所述多个掩膜单元。9.如权利要求8所述的蒸镀掩膜版，其特征在于，还包括：至少一个间隔结构，所述间隔结构位于至少部分相邻两个掩膜单元之间。10.如权利要求1
‑
9任一项所述的蒸镀掩膜版，其特征在于，所述通孔的形状，包括：长方形、正方形、圆形、异形。11.如权利要求10所述的蒸镀掩膜版，其特征在于，不同形状的通孔设置在于不同区域。12.如权利要求1
‑
9任一项所述的蒸镀掩膜版，其特征在于，所述限定掩膜层的材料，包括：金属材料或聚酰亚胺。13.如权利要求12所述的蒸镀掩膜版，其特征在于，所述限定掩膜层的材料为所述金属材料时，所述蒸镀掩膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：白珊珊，李彦松，刘华猛，关新兴，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：