线圈装置制造方法及图纸

一种线圈装置(2)，其具有：元件主体(4)，其包含磁性体；线圈部(6α)，其设置于元件主体(4)内；端子电极(8)，其与线圈部(6α)的引线部连接。在元件主体(4)的外表面中的至少一面(4a)形成有含有金属和树脂的屏蔽层(10)。(4a)形成有含有金属和树脂的屏蔽层(10)。(4a)形成有含有金属和树脂的屏蔽层(10)。

【技术实现步骤摘要】
线圈装置


[0001]本专利技术涉及用于例如电感器等用途的线圈装置。

技术介绍

[0002]电感器等线圈装置被广泛用于电子设备。针对这种线圈装置，为了降低通过电流流通而产生的磁通的一部分泄露到产品的外部，在专利文献1的线圈装置中，通过将由铜制的片材构成的屏蔽与线圈装置的元件主体分开地形成并安装于元件主体，并遮断漏磁通。
[0003]但是，如果这样将屏蔽与元件主体分开地形成并安装，则存在线圈装置变大，并且线圈装置的制造成本增加的技术问题。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特表2019
‑
516246号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的问题
[0008]本专利技术是鉴于这样的实际情况而完成的，其目的在于提供一种线圈装置，能够特别在高频率下能有效地降低漏磁通，而且能够实现装置的小型化及制造成本的降低。
[0009]用于解决技术问题的手段
[0010]本专利技术人等对能够有效地降低漏磁通，而且能够实现装置的小型化及制造成本的降低的线圈装置进行了专门研究，其结果发现，通过将特定的屏蔽层形成于元件主体的表面，即使薄薄地形成屏蔽层，也特别是在高频率下能够有效地降低来自线圈装置的漏磁通，并由此完成了本专利技术。
[0011]即，本专利技术的线圈装置具有：
[0012]元件主体，其包含磁性体；
[0013]线圈部，其设置于所述元件主体内；及
[0014]端子电极，其与所述线圈部的引线部连接，
[0015]在所述元件主体的外表面内的至少一面形成有含有金属和树脂的屏蔽层。
[0016]该屏蔽层能够仅通过涂布含有金属和树脂的膏状的原料并使其干燥、固化而形成，能够容易地控制该屏蔽层的厚度。因此，与将金属制的片材的屏蔽安装于元件主体的结构相比，能够容易地制造线圈装置。而且，与在元件主体上安装金属制的片材的结构的线圈装置相比，也提高了屏蔽层和元件主体的密合性，并且也能够实现线圈装置的小型化。
[0017]优选所述屏蔽层具有被观察到所述金属比所述树脂多的富金属区域。优选在所述富金属区域的截面中，含有50％以上的所述金属。更优选在所述富金属区域的截面中，含有80％以上的所述金属。也认为，该富金属区域提高了漏磁通的遮断效果。
[0018]优选所述屏蔽层具有被观察到较多所述树脂的富树脂区域，所述富树脂区域存在于所述元件主体和所述富金属区域的界面。认为该富树脂区域提高了屏蔽层和元件主体的
密合性。
[0019]也可以是，所述端子电极具有与所述屏蔽层的所述富金属区域相同材质的区域。通过这样构成，能够针对特定的噪声频率有效地实现漏磁通的降低。认为其原因在于，相同材质的富金属区域能够以更广的范围覆盖元件主体表面。另外，可以由相同的原料同时形成端子电极和屏蔽层，因此，能够降低制造成本。
[0020]优选所述屏蔽层具有将含有所述金属和所述树脂的膏涂布于所述元件主体的外表面而形成的涂布层。涂布层能够容易地形成，厚度的控制也容易。因此，与具有金属制的片材的屏蔽的线圈装置相比，设计变更也容易，能够降低制造成本。
[0021]优选所述屏蔽层含有Ag。确认出，通过含有Ag的屏蔽层，即使形成得薄，特别是在高频率下也能够有效地降低漏磁通。
[0022]优选所述膏含有扁平形状的金属粉体。另外，也可以是，所述膏含有球形的金属粉体。另外，优选所述涂布层是将所述膏在170℃～230℃下热处理而形成的。
[0023]通过由这种膏形成的屏蔽层，漏磁通的降低效果提高。特别优选的是，含有平均粒径优选为800nm以下，更优选为100～500nm的小的金属粉体。通过含有这种金属粉体，在以使膏中包含的树脂固化的温度(170℃～230℃)将膏涂布膜热处理的情况下，能够提高富金属区域的金属含有率。因为金属粉体的颗粒细，所以认为是否在比金属本身的熔点温度低的温度下发生接近金属的烧结的现象。
[0024]优选所述屏蔽层形成于与形成有所述端子电极的所述元件主体的外表面相反侧的外表面。这样，在反安装侧面形成有屏蔽层的线圈装置能够有效地降低来自反安装面侧的漏磁通。此外，也可以是，在所述屏蔽的表面形成有镀敷层。镀敷层可以与形成于线圈装置的端子电极的表面的镀敷层的形成同时形成。
[0025]所述屏蔽层也可以具有形成于所述元件主体的反安装侧面的反安装侧屏蔽层、和从所述反安装侧屏蔽层穿过所述元件主体的侧面延伸至所述元件主体的安装侧面附近的接地导通部。
[0026]通过这样构成，可以使屏蔽层接地。因此，能够使屏蔽层与接地电位为相同电位。其结果，能够提高屏蔽层对漏磁通的遮断效果。另外，接地导通部也能够作为元件主体的侧面上的漏磁通的屏蔽发挥作用。而且，通过将接地导通部接地，从而即使在端子电极以外的部分，线圈装置的连接部位也增大，也能够提高线圈装置的安装强度。
[0027]也可以是，在所述元件主体的安装侧面朝向反安装侧形成有凹部，在所述凹部形成有安装侧屏蔽层。通过这样构成，能够在凹部与安装基板之间形成的空间中配置电容器芯片等其它电子部件。另外，通过形成于凹部的屏蔽层降低漏磁通，从而也能够防止对电子部件产生的不良影响。
[0028]也可以是，所述屏蔽层形成为覆盖所述元件主体的除安装侧面以外的外表面。通过这样构成，能够进一步降低漏磁通。
[0029]也可以是，所述端子电极从所述元件主体的安装侧面朝向所述元件主体的侧面形成为L字状。通过这样构成，在安装于基板等时容易形成焊锡圆角。
附图说明
[0030]图1A是表示本专利技术的一个实施方式的线圈装置的立体图。
[0031]图1B是表示本专利技术的另一实施方式的线圈装置的立体图。
[0032]图1C是表示本专利技术的再一实施方式的线圈装置的立体图。
[0033]图1D是表示本专利技术的再一实施方式的线圈装置的立体图。
[0034]图1E是表示本专利技术的再一实施方式的线圈装置的立体图。
[0035]图2A是从另一角度观察图1A所示的线圈装置的立体图。
[0036]图2B是从另一角度观察图1C所示的线圈装置的立体图。
[0037]图3A是将图1A所示的线圈装置安装于基板时的沿着IIIA
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IIIA线的截面图。
[0038]图3B是将图1B所示的线圈装置安装于基板时的沿着IIIB
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IIIB线的截面图。
[0039]图3C是将图1D所示的线圈装置安装于基板时的沿着IIIC
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IIIC线的截面图。
[0040]图4A是实施例的线圈装置的放大截面照片的示意图。
[0041]图4B是另一实施例的线圈装置的放大截面照片的示意图。
[0042]图5是漏磁通的测量装置的概略图。
[0043]附图标记说明
[0044]2、2a、2b、2c
……
电感器
[0045]4……...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种线圈装置，其中，具有：元件主体，其包含磁性体；线圈部，其设置于所述元件主体内；及端子电极，其与所述线圈部的引线部连接，在所述元件主体的外表面内的至少一面形成有含有金属和树脂的屏蔽层。2.根据权利要求1所述的线圈装置，其中，所述屏蔽层具有富金属区域，所述富金属区域是被观察到的所述金属比所述树脂多的区域。3.根据权利要求2所述的线圈装置，其中，在所述富金属区域的截面中，含有50％以上的所述金属。4.根据权利要求3所述的线圈装置，其中，在所述富金属区域的截面中，含有80％以上的所述金属。5.根据权利要求2～4中任一项所述的线圈装置，其中，所述屏蔽层具有富树脂区域，所述富树脂区域是被观察到较多所述树脂的区域，所述富树脂区域存在于所述元件主体和所述富金属区域的界面。6.根据权利要求2～4中任一项所述的线圈装置，其中，所述端子电极具有与所述屏蔽层的所述富金属区域相同材质的区域。7.根据权利要求1～4中任一项所述的线圈装置，其中，所述屏蔽层含有Ag。8.根据权利要求1～4中任一项所述的线圈装置，其中，所述屏蔽层具有涂布层，该涂布层是将含有所述金属和所述树脂的膏涂布于所述元件主体的外表面而形成的。9.根据权利要求8所述的线圈...

【专利技术属性】
技术研发人员：东田启吾，外海透，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：