【技术实现步骤摘要】
位线感测放大器和半导体存储器装置
[0001]本申请要求于2021年8月27日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0114140号韩国专利申请的权益，所述韩国专利申请的全部公开出于所有目的通过引用包含于此。
[0002]实施例涉及位线感测放大器和包括位线感测放大器的半导体存储器装置。
技术介绍
[0003]半导体存储器装置可被分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。在易失性存储器装置中，当电源被切断时，存储的数据可能丢失，并且易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)等。
技术实现思路
[0004]根据实施例，一种位线感测放大器包括：多个第一半导体器件，包括在第一方向上并排设置的多个感测晶体管和多个选择晶体管，并且所述多个第一半导体器件感测位线和互补位线的电压变化；和多个布线图案，设置在所述多个第一半导体器件上，以在第一方向上延伸并电连接到所述多个第一半导体器件中的至少一个。所述多个感测晶体管包括共享源电极的第...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种位线感测放大器，包括：多个第一半导体器件，包括在第一方向上并排设置的多个感测晶体管和多个选择晶体管，并且所述多个第一半导体器件被配置为感测位线的电压变化和互补位线的电压变化；和多个布线图案，设置在所述多个第一半导体器件上，在第一方向上延伸，并且电连接到所述多个第一半导体器件中的至少一个，其中：所述多个感测晶体管包括共享源电极的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，所述多个选择晶体管包括被控制为互补地导通和截止的第一选择晶体管和第二选择晶体管，并且所述多个布线图案包括：第一布线图案，电连接第一晶体管的栅电极、第三晶体管的栅电极、第一选择晶体管的漏电极和第二选择晶体管的漏电极，和第二布线图案，电连接第二晶体管的栅电极和第三晶体管的漏电极。2.根据权利要求1所述的位线感测放大器，其中，所述多个感测晶体管还包括：第四晶体管，具有电连接到第一布线图案并通过位线的电压变化而被控制的电极；和第五晶体管，具有电连接到第二布线图案并通过互补位线的电压变化而被控制的电极。3.根据权利要求2所述的位线感测放大器，其中，第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管是P沟道金属氧化物半导体晶体管，并且第四晶体管和第五晶体管是N沟道金属氧化物半导体晶体管。4.根据权利要求1所述的位线感测放大器，其中，所述多个第一半导体器件还包括：第一隔离晶体管，连接在位线与第二布线图案之间；第二隔离晶体管，连接在互补位线与第一布线图案之间；和偏移消除晶体管，连接在互补位线与第二布线图案之间。5.根据权利要求1所述的位线感测放大器，其中，所述多个感测晶体管中的每个的栅电极在第一方向上延伸，并且所述多个选择晶体管中的每个的栅电极在与第一方向垂直的第二方向上延伸。6.根据权利要求1所述的位线感测放大器，其中，第一晶体管和第一选择晶体管在第一方向上彼此最靠近地设置，并且第二晶体管和第二选择晶体管在第一方向上彼此最靠近地设置。7.根据权利要求1至权利要求6中的任意一项所述的位线感测放大器，其中，所述多个第一半导体器件设置在第一区域中，多个第二半导体器件设置在第二区域中，在与第一方向垂直的第二方向上位于第一区域的一侧处，并且所述多个第二半导体器件与所述多个第一半导体器件对称地设置。8.根据权利要求7所述的位线感测放大器，还包括：多个布线图案，设置在所述多个第二半导体器件上，并且在第一方向上延伸，其中，在第一区域和第二区域中，在第二方向上布置的所述多个布线图案的数量为7或更少。
9.一种位线感测放大器，包括：感测放大单元，被配置为：感测位线与互补位线之间的电压差，并且基于感测的电压差来调整感测位线的电压和互补感测位线的电压；隔离单元，包括连接到位线和感测位线并通过隔离信号控制的第一隔离晶体管，并且包括连接在互补位线与互补感测位线之间并通过隔离信号控制的第二隔离晶体管；偏移消除单元，包括连接在互补位线与感测位线之间并通过偏移消除信号控制的偏移消除晶体管；和晶体管选择单元，包括第一选择晶体管和第二选择晶体管，第一选择晶体管和第二选择晶体管连接到互补感测位线，并且通过...
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