【技术实现步骤摘要】
一种压控振荡器及其避免振荡异常的方法、锁相环电路
[0001]本专利技术涉及锁相环电路,具体涉及一种压控振荡器及其避免振荡异常的方法、锁相环电路。
技术介绍
[0002]图像传感器的时钟和数据恢复电路主要采用锁相环(PLL,Phase Locked Loop)实现,而压控振荡器(VCO,Voltage Controlled Oscillator)是锁相环的关键模块,在很大程度上决定了锁相环的性能。环形压控振荡器采用标准的COMS工艺制造,在多时钟电路、片上系统等应用中其具有不可比拟的优势,因此是目前研究的热门领域。
[0003]常见的压控振荡器由电流控制振荡器、电压电流转换器、缓冲器组成,电流控制振荡器产生的振荡信号由缓冲器接收,在电流控制振荡器没有起振时,缓冲器会将自身噪声放大,进而产生不确定频率的时钟信号,该异常的信号会使得锁相环的电荷泵充放电错误,最终导致锁相环不能锁定或错误锁定。
技术实现思路
[0004]基于此,有必要针对环形压控振荡器振荡异常的问题,提供一种能够避免振荡异常的压控振荡器及锁 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种压控振荡器,其特征在于,包括:电流控制振荡器(1),用于产生振荡波形;电压电流转换器(2),用于将控制电压转换成电流;自动启停可调偏置电流器(3),用于在电压电流转换器(2)未产生电流时,保证电流控制振荡器(1)仍有电流流过,当电压电流转换器(2)有电流产生后,能够自动关闭;缓冲器(4),用于将所述电流控制振荡器(1)产生的信号进行振幅放大和缓冲。2.根据权利要求1所述的压控振荡器,其特征在于,所述自动启停可调偏置电流器的结构,包括单级放大器(3
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1)、逻辑门(3
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2)、偏置电流镜(3
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3);所述单级放大器(3
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1)包括P沟道型MOS管M3、N沟道型MOS管M4,所述M3的源极接电源,漏极接所述M4的漏极,所述M4的源极接地,所述M3的栅极接所述M3的漏极与所述M4的漏极的公共端,所述M4的栅极接信号线Vctrl,所述M3的漏极与所述M4的漏极的公共端接所述逻辑门(3
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2)的输入端;所述逻辑门(3
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2)包括与门U1和与门U2,输入信号线MOD与信号线EN同时接所述与门U1的输入端,所述与门U1的输出端接所述与门U2的输入端,所述与门U2的输入端接所述偏置电流镜(3
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3)的输入端;所述偏置电流镜(3
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3)包括若干个并联的结构相同的N沟道型MOS管M2_0、M2_1、
……
、M2_N,以及每个NMOS管对应的控制开关Bias[0]、Bias[1]、
……
、Bias[N],所述偏置电流镜(3
‑
3)的输出端子Tail接所述电流控制振荡器(1)。3.根据权利要求1所述的压控振荡器,其特征在于,所述电流控制振荡器(1)包括首尾相连的反相器K1、K2和K3,每个反相器的电源端接入电源,GND端同时接入电压电流转换器的输出端、自动启停可调偏置...
【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名,
申请(专利权)人:创视微电子成都有限公司,
类型:发明
国别省市:
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